CN111459726B 一种芯片以及芯片自修复方法 （中山远实微科技有限公司）_第1页
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文档简介

到数据异常信号和/或检测到逻辑异常信号，当检测修复模块检测到所述数据异常信号和/或检块读取所述非易失性存储器中的数据更新到易2所述上电稳定信号检测模块读取所述非易失性存储器的固定地址取到固定地址预置的所述稳定标记数据时，向所述检测修复模块输出上电稳定检测信号，否则延时一段时间后继续读取固定地址预置的所述所述检测修复模块检测所述上电稳定检测信号，若检测到所述上电稳若检测到所述易失性存储器的所述数据异常信号，则读取若检测到所述易失性存储器的所述逻辑异常信号，则读取3[0003]图1的芯片是现有的存储器芯片，成像装置通过控制电源的通断给芯片进行供电以从根本上解决上述技术问题，可以避免因为电池意外松动而引起的芯片损坏的技术问[0009](ⅱ)在所述芯片上电后，所述检测修复模块检测是否有检测到数据异常信号和/[0010](ⅲ)当检测修复模块检测到所述数据异常信号和/或检测到所述逻辑异常信号发4校验值不符合校验规律时，所述数据异常信息模块输出数据异常信号至所述检测修复模述易失性存储器校验正常的数据以及对所述易失性存储器正常识别的标记性数据中的至少一项。池或者安装入成像装置中由于缺少了该部分数据芯片也不能正常工作5全部或部分数据的校验值不符合校验规律时，则输出异常信号。例如图6为易失性存储器0x3ffh地址里的数据，0x3fah到0x3ffh地址的数据即3F460246A020为前面地址[0035]逻辑异常信号模块检测到控制电路的特殊信号发生异常6到由数据异常信号模块和/或逻辑异常信号模块输出的异常信号。只要检测修复模块检测当检测到正常的标记数据时，输出上电稳定检测信号，启动实施方式1的后续检测修复模7[0049]如图4所示，本实施例电路模块相比实施例1中的增设了89

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