CN111640816B 异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法 （通威太阳能(金堂)有限公司）

A,2011.12.14A,2019.03.08A,2020.02.07U,2021.04.02结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层2组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结为由氢气和硅烷气体的量的比值为3-15的范围内的混合气体为由烷烃和氢气的量的比值在1/20-3/5的范围内的混合气体各自包括与第四层本征非晶硅薄膜层接触的第一层掺杂层和与透光导电层接触的第二层层掺杂层的掺杂浓度大于第一层掺杂层的掺6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池片，其特征二氧化碳混合的混合气体沉积而成的整体层7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池片，杂层的结晶度为40％-65N型掺杂层的第二层掺杂层的磷的掺杂量为183掺杂层的结晶度为40％-65P型掺杂层的第二层掺杂层的硼的掺杂量置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第其中，所述第一组本征非晶硅薄膜层和所述第二组本征三层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉层状结构；N型掺杂层的第二层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅烷、磷20.根据权利要求14或16所述的异质结太阳能电池21.一种叠瓦组件，其特征在于，叠瓦组件由按照权4型掺杂层的顶侧和P型掺杂层的底侧设置透光导电层；在透光导电层的暴露在外的表面上用含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而形成第三层本征非晶29.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，包括：控制混合气体中各组分的比例以使得形成的N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂30.根据权利要求27所述的方法，其特征在于5包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的N型掺杂层的第二掺杂层的结晶度为31.根据权利要求28所述的方法，其特征在于包括：控制混合气体中各组分的比例以使得形成的P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的掺杂32.根据权利要求28所述的方法，其特征在于包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的P型掺杂层的第二掺杂层的结晶度为33.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，侧和P型掺杂层的底侧设置透光导电层；在透光导电层的暴露在外的表面上施加电极，其层上使用具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的混合气体生成微晶硅材质的第二层掺其中，设置第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而形成第三层本征非晶硅薄膜37.根据权利要求35所述的方法，其特征在于包括：控制混合气体中各组分的比例以使得形成的N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂638.根据权利要求35所述的方法，其特征在于包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的N型掺杂层的第二掺杂层的结晶度为39.根据权利要求36所述的方法，其特征在于包括：控制混合气体中各组分的比例以使得形成的P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的掺杂40.根据权利要求36所述的方法，其特征在于，制造P型掺包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的P型掺杂层的第二掺杂层的结晶度为78[0009]并且，本发明中，本征非晶硅薄膜层的顶侧和底侧的掺杂层均可以具有两层结一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向[0028]在一种实施方式中，第四层本征非晶硅薄膜层为由烷烃和氢气的量的比值在1/[0030]在一种实施方式中，N型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至9[0032]在一种实施方式中，P型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至方案中任意一项所述的异质结太阳能电池片以叠瓦一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包[0046]在一种实施方式中，N型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至[0048]在一种实施方式中，P型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至[0058]在第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧设置N型掺杂层，在第二组本征非晶硅薄膜层[0062]在单晶硅衬底层的顶表面或底表面上均用碳同族掺杂硅的混合气体沉积而形成[0063]在第一层本征非晶硅薄膜层的暴露在外的表面上用硅源气氛沉积而形成第二层[0064]在第二层本征非晶硅薄膜层的暴露在外的表面上用含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而形成第[0065]在第三层本征非晶硅薄膜层的暴露在外的表面上用含氢气氛和含氘气氛中的至气体的量的比值为3-15的范围内的混合气体沉积而形成第三层本征非晶的量的比值在1/20-3/5的范围内的混合气[0070]在第四层本征非晶硅薄膜层上使用具有第一掺杂浓度的混合气体生成非晶硅材[0071]在第一掺杂层上使用具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的混合气体生成微各组分的比例以使得形成的N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的各组分的比例以使得形成的P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的[0086]在第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧设置N型掺杂层，在第二组本征非晶硅薄膜层[0090]在第四层本征非晶硅薄膜层上使用具有第一掺杂浓度的混合气体生成非晶硅材[0091]在第一掺杂层上使用具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的混合气体生成微各组分的比例以使得形成的N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的各组分的比例以使得形成的P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的[0104]并且，本发明中，本征非晶硅薄膜层的顶侧和底侧的掺杂层均可以具有两层结[0109]本发明提供了异质结太阳能电池片、叠瓦组件和制造异质结太阳能电池片的方烷烃和氢气的量的比值在1/20-3/5的范围内的混合气体沉积而成的整体[0116]具体来说，第一层本征非晶硅薄膜层的成分使得非晶硅薄膜层不会变得长程有第三层本征非晶硅薄膜层能够在提供氢钝化的同时具有较小的厚度，降低膜层的接触电[0117]继续参考图1，位于第一组本征非晶硅薄膜层顶侧的掺杂层为掺杂磷的N型掺杂[0118]本实施方式还提供了一种叠瓦组件，叠瓦组件由多个图1中的异质结太阳能电池[0119]本实施方式还提供了一种制造如图1所示的异质结太阳能电池片的方法。该方法包括制造异质结太阳能电池片整片的步骤和将异质结太阳能电池片整片裂片的步骤。其含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而形成第三层本征非晶硅的量的比值在1/20-3/5的范围内的混合气体沉积而形成第四层本征非晶硅薄膜层上使用具有第一掺杂浓度的混合气体生成非晶硅材质的第一层掺杂层；在第一掺杂层上使用具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的混合气体生成微晶硅材质比例以使得形成的N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂量为14ppm-17ppm。制造N型掺杂层的第二层掺杂层的步骤包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的N型掺杂层比例以使得形成的P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的掺杂量为14ppm-17ppm。制造P型掺杂层的第二层掺杂层的步骤包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的P型掺杂层[0128]图2示出了根据本发明的第二优选实施方式的异质结太阳能电池片。本实施方式[0129]其中，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括四层结[0130]在图2所示的实施方式中，N型掺杂层和P型掺杂层均包括两层结构——与第四层磷烷混合的混合气体沉积而成的整体层状结构；N型掺杂层的第二层掺杂层为由含氢气氛二层掺杂层的结晶度为40％-65N型掺杂层的第二层掺杂层的磷的掺杂量为18ppm-[0133]P型掺杂层的第一层掺杂层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅烷、三甲基硼混合的混合气体沉积而成的整体层状结构；P型掺杂层的第二层掺杂层为由含氢气氛二层掺杂层的结晶度为40％-65P型掺杂层的第二层掺杂层的硼的掺杂量为18ppm-[0135]将本征非晶硅薄膜层的顶侧和底侧的掺杂层均设置为具有两层结构——掺杂浓[0136]本实施方式还提供了叠瓦组件，叠瓦组件可以由图2中所示的异质结太阳能电池[0137]本实施方式还提供了一种制造如图2所示的异质结太阳能电池片的方法。方法包括制造异质结太阳能电池片整片的步骤和将异质结太阳能电池片整片裂片的步骤，其中，本征非晶硅薄膜层上使用具有第一掺杂浓度的混合气体生成非晶硅材质的第一层掺杂层；在第一掺杂层上使用具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的混合气体生成微晶硅材质比例以使得形成的N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂量为14ppm-17ppm。制造N型掺杂层的第二层掺杂层的步骤包括：控制混合气体中的各组分的比例以使得形成的N型掺杂层比例以使得形成的P型掺杂层的第一层掺杂层的