CN111727512B 光电半导体组件和制造光电半导体组件的方法 （欧司朗Oled股份有限公司）

2020.07.24PCT/EP2019/0516082019.01.23WO2019/145350DE2019.08.01US2010187546A1,2010.07.29光电半导体组件和制造光电半导体组件的2-至少一个光电半导体芯片(3)，所述至少一个光电半导体芯片(3)敷设在所述第一引-所述线路(5)越过所述灌封体(4)并直接在所述灌封体(4)上从所述半导体芯片(3)引-从所述连接区域(25)到所述半导体芯片(3)的所述线路(5)在垂直于所述安装区域-所述半导体芯片(3)在侧向上突出超过具有所述安装区域(24)的第一引线框部件-对于所述半导体芯片(3)在侧向上超出所述第一引线框部件(21)的突出部P，取决于其中所述半导体芯片(3)是用于产生辐射的其中所述发光物质体(7)在远离所述安装区域(24且其中所述发光物质体(7)具有从线路(5)达到所述芯其中所述芯片上侧(30)在远离所述安装区域(24)的方向上与所述灌封体(4)齐平，使其中所述减小的厚度(D1)在所述完全厚度(D2)的20％和55％之间，其中包含20％和其中所述灌封体(4)的背向所述安装区域(24)的上侧(40)在横截面中看是弯曲延伸3其中所述连接区域(25)高于所述芯片上侧(30)，使得所述连组件(1)的底侧(11)的距离大于所述芯片上侧(30)至所述底侧(11)的距离，并且所述底侧其中所述第一引线框部件(21)和所述第二引线9.根据权利要求1至4中任一项所述的光电半导体组件A)提供具有多个引线框(20)的半蚀刻的引线框复合体(2)，其中每个引线框(20)具有第一引线框部件(21)和第二引线框部件(22)并且是为完成的半导体组D)在所述引线框(20)之间产生线路(5)和电布线(6)，其中所述布线(6)将相邻引线框E)切断所述引线框(20)之间的连接条(26)，使得仅经由所述布线(6)提供相邻引线框其中在随后的步骤G)中分离为所述半导体其中在步骤F)中，所述线路(5)和所述布线(6)一起是所述其中所述平台(62)具有完全厚度(D2)并且在完成的半导体组件及其中所述线路(5)和所述布线(6)被同时创建并其中借助于膜辅助喷涂执行步骤C)，使得在填充所述灌封体(4)的材料时，用喷涂膜其中所述喷涂膜(44)补偿所述连接区域(25)和所述芯片上侧(30)4[0003]该任务尤其通过具有权利要求1的特征的半导体组件来解决。优选的扩展是其余可以将它们单独地或组合为组地敷设在单个引线框部件或多5电线路从所述半导体芯片越过所述灌封体引导到所述引线框部件中其他引线框部件的连[0019]由于芯片高度公差和引线框的回蚀公差，通常并非所有的表面都在同一高度因此，在创建所述灌封体时，在所述灌封体和/或所述半导体组件的上侧中得到沟槽和凹6述测试以及基于所述测试使用例如亮度分组或色度坐标分组对所述组件的描述都比分离[0025]特别地，还在复合体中就以机器可读的形式与按照色度坐标和/或亮度的各自分[0026]诸如DMC代码或OCR代码的标记在金属中可以比在诸如环氧树脂或硅树脂的灌封或通过喷涂将发光物质施加到所述半导体芯片上以进行波长转换，例如以粘接板的形式。7在所述半导体芯片的运行期间产生的辐射部分地或完全地转换成[0035]根据至少一个实施方式，所述减小的厚度为所述完全厚度的至少10％或20％和/[0036]根据至少一个实施方式，所述引线框部件的完全厚度为至少50μm或70μm或100μm8之前就已经对所述组件进行电测试，并且可选地还可以对所述组件进行预分类或连接成9[0061]根据至少一个实施方式，所述线路和/或所述布线的宽度分别为至少10μm或20μm[0062]根据至少一个实施方式，步骤C）借助于膜辅助喷涂（英语：FilmAssisted[0063]下面参照附图基于实施例详细解释在此描述的光电半导体组件和在此描述的方[0070]图11A和图11B示出了用于在此描述的光电半导体组件的实施例的制造方法的方[0072]图15示出了用于制造在此描述的光电半导体组件的实施例的引线框复合体的示[0073]在图1中示出了光电半导体组件1的实施例。半导体组件1包括由第一引线框部件21和第二引线框部件22组成的引线框20。第一引线框部件21具有带有减小的厚度的区域。体芯片3的芯片上侧30背向安装区域24。经由第一引线框部件21并且借助于通向第二引线框部件22的电线路5对半导体芯片3进行电接触。半导体组件1可以例如借助于钎焊被表面选地，灌封体4的上侧40与芯片上侧30以及与第二引线框部件22处的连接区域25齐平。因[0078]这些半导体芯片3分别连接到全部三个电线路5之一，并且经由这些线路5与引线[0079]在图2B中可以看出，具有半导体芯片3的半导体组件21在底侧11处近似成型为正即使在制造方法期间仍然可以单独地跟踪半导体组件1并说明在半导体组件1上的特征数[0083]在图3中还示出了相邻的引线框20在制造期间经由连接条26彼此连接。可以经由纵向伸展y例如为至少0.8mm或1mm和/或至多8mm或5mm或2mm。相应的值可以适用于所有其[0087]在图5中示出了多个半导体芯片3经由仅两个引线框部件21、22以矩阵形式布[0090]在图7中示出了半导体芯片3以突出部P突出超过安装区域24。由此总体上实现了例如LED芯片。半导体芯片3b可以是简称为ESD芯片的用于保护免受静电放电损害的芯片。这样的绝缘层75特别是可以代替图8的凹部29。因此，绝缘层75可以部分或完全地覆盖壁质体7也可以延伸到灌封体4的上侧40上。可选地，发光物质体7覆盖线路5和/或连接区域[0108]因此，可以经由布线6以及相关联的引线框部件22一起沿着行和列创建连续的电[0110]在图15中示出了用于行测试接触部91的布线6连接了第二引线框部件22。这些布345678EHPWxy