CN119716458A 一种碳化硅mosfet器件结温在线监测方法及系统_第1页
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(12)发明专利申请(10)申请公布号CN119716458A号张永磊王凯冯江刘权锐(54)发明名称通过碳化硅MOSFET器件的源极寄生电感Ls通过碳化硅MOSFET器件的源极寄生电感Ls将动态电流信息转化为感应电压信号V.:通过动态电流转换单元将电压信号Veme转换为包含有开通/关断延迟时间、开通/关断电流斜率信息的电压脉冲别发送至脉冲宽度计算单元以及高精度边沿定位单元：通过脉冲宽度计算单元，提取PWM信号上升沿/下降沿上升沿之间的粗略时间Tore:通过高精度边沿定位单元，定位PWM信号上升沿/下降沿、电压脉冲信号Vcp1、Vcp2、Vcp3和Vcp4的上升沿，并计算上述边沿与其相邻时钟信号上升沿之间器件结温转换单元将脉冲宽度计算单元中得到的对应的粗略时间Tone,与高精度边沿定位单元中得到的对应的精细时间相叠加Tame,即可获得器件精准的开通/关断延迟时间以及开通/关断电流斜率信息。最终对照上述参数与器件结温之间的关系即可获得器件结温。2号34一种碳化硅MOSFET器件结温在线监测方法及系统56附图说明79Tt₃-t₄=(Teycle-Tfinefalling)+Tcoarse_34+(Tt₄-t₅=Trine_3+Tcoarse45通过碳化硅通过碳化硅MOSFET器件的源极寄生电感Lss将动态电流通/关断延迟时间、开通/关断电流斜率信息的电压脉冲别发送至脉冲宽度计算单元以及高精度边沿定位单元；通过脉冲宽度计算单元，提取PWM信号上升沿/下降沿通过高精度边沿定位单元，定位PWM信号上升沿/下降上升沿，并计算上述边沿与其相邻时钟信号上升沿之间器件结温转换单元将脉冲宽度计算单元中得到的对应的粗略时间Tcarse,与高精度边沿定位单元中得到的对应的精细时间相叠加Tfne,即可获得器件精准的开通/关断延迟时间以及开通/关断电流斜率信息。最终对照上述参数与器件结温之间的关系即可获得器件结温。时钟信号时钟信号PWM信号碳化硅MOSFET脉冲宽度计数单元驱动信号。高精度边沿动态电流信息定位单元转化单元R₂K₂ttttVref3Vref3Vref1Vref1t信号延迟单元延迟单元o-o-o

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