CN111755473B 发光二极管、其制造方法以及包括所述发光二极管的显示装置 （三星显示有限公司）

根据本公开内容的实施方案的发光二极管包括第一电极；与所述第一电极相对的第二电在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层之间的至的显示装置显示改善的寿命特性和发射效率性2在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层3.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述绝缘层包括包含所述无机材料的多个无所述多个无机绝缘层和所述多个有机绝缘层在所述绝缘层8.显示装置，包括多个发光二极管，其中所述多个发在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层3其中所述绝缘层的所述形成包括通过沉积无机材料来形4[0002]本申请要求于2019年3月26日提交的第10-2019-0034517号韩国专利申请的优先[0006]本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及其中绝缘层与包含量子点[0007]本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面还提供的第二电荷转移层；以及在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷5[0020]在本发明构思的一个或多于一个的实施方案中，显示装置包括多个发光二极层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层之间的绝缘层。所述绝缘色光的波长更长的波长的第三颜色光的第三发光[0024]在本发明构思的一个或多于一个的实施方案中，用于制造发光二极管的方法包的所述形成和所述有机绝缘层的所述形成交替地且6[0036]图13是示出用于制造根据本发明构思的实施方案的发光二极[0037]图14A至图14E是示出用于按顺序制造根据本发明构思的实施方案的发光二极管7[0046]电子装置ED可以包括显示装置DD和壳体HAU。显示装置DD可以通过显示表面IS显三方向DR3表示。每一个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可以通过(沿着)第以覆盖显示装置DD的顶表面的一部分以及侧[0052]绝缘层ISL设置在第一电荷转移层CTL1与发射层EML之间和/或第二电荷转移层CTL2与发射层EML之间。图3A例示了其中绝缘层ISL设置在第二电荷转移层CTL2与发射层不受限制。在一个或多于一个的实施方案中，绝缘层ISL可以分别设置在第一电荷转移层8晶体的核和包围核的壳。具有核-壳结构的量子点QD的壳可以起到用于防止或减小核的化[0059]例如，金属和非金属氧化物可以各自独立地包括二元化合物(例如SiO2、Al2O3、2O33O42O33O43O4和/或NiO)和/或三元化合物(例9量子点颗粒的直径可以是量子点颗粒在横截面中[0066]在一个或多于一个的实施方案的发光二极管EE中，发射层EML可以发射荧光。例[0067]从发射层EML发射的光的发射波长可以根据使用的量子点QD的种类(或类型)改成像(LITI)法)应用分散在基体部件中的量子点QD[0069]包含在发射层EML中的量子点QD可以被层压成一个或多于一个的层。在一个或多[0070]在一个或多于一个的实施方案的发光二极管EE中，发射层EML可以进一步包含任三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPSiO3[0072]在一个或多于一个的实施方案的发光二极管EE中，发射层EML可以进一步包含掺基]苯(BCzVB)、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯剂。[0073]图3B是示出根据一个或多于一个的实施方案的发光二极管中包括的绝缘层ISL的机材料的至少一个无机绝缘层ISL-IOL1。无机绝缘层ISL-IOL1可以通过原子层沉积(ALD)[0075]绝缘层ISL可以包括包含有机材料的至少一个有机绝缘层ISL-OL1。有机绝缘层[0076]有机绝缘层ISL-OL1中包含的有机材料可以是选自正己烷、呋喃和六甲基二硅氧要其是不阻挡由发光二极管产生的光的透明材料，并且能够使发光二极管的发射层EML平[0077]绝缘层ISL可以包括多个无机绝缘层ISL-IOL1至ISL-IOLn+1和多个有机绝缘层ISL-OL1至ISL-OLn。多个无机绝缘层ISL-IOL1至ISL-IOLn+1和多个有机绝缘层ISL-OL1至ISL-OLn可以交替地设置。在图3B中，显示了其中无机绝缘层ISL-IOL1和无机绝缘层ISL-IOLn+1分别设置在绝缘层ISL的最下层和最上层处的情况作为实施方案，但本发明构思的设置在发射层与电荷转移层之间，使得空穴或电子的一侧不会过度地注入(考虑空穴注入在部分区域中，但发射层的顶部部分覆盖有无机绝缘层并且可以更均匀地实现电荷转移。管EE-1可以包括设置在第一电极EL1与发射层EML之间的空穴传输区HTR，以及设置在发射并且可以具有ITO/Ag/ITO的层压结构。[0088]空穴传输区HTR可以设置在第一电极EL1上。空穴传输区HTR可以包括空穴注入层穴缓冲层可以根据从发射层EML发射的光的波长补偿光学共振距离并且可以增加光发射效子阻挡层可以阻挡或减少从电子传输区ETR至空穴传输区[0089]空穴传输区HTR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的具有使用多种不同材料形成的单个层的结构，或者从第一电极EL1层压的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/空穴缓冲层、空穴注入层HIL/空穴缓冲三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(传输区ETR可以包括选自空穴阻挡层、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个。然[0094]电子传输区ETR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的[0095]例如，电子传输区ETR可以具有单个层(例如电子注入层EIL或电子传输层ETL)的射层EML层压的电子传输层ETL/电子注入层EIL、或空穴阻挡层/电子传输层ETL/电子注入[0097]如果电子传输区ETR包括电子传输层ETL，电子传输层ETL可以包含基于蒽的化合度可以是约100A至约1,000A,并且可以是例如约150A至约500A.如果电子传输层[0098]如果电子传输区ETR包括电子注入层EIL，电子注入层EIL可以包含LiF、喹啉锂2[0099]电子传输区ETR可以包括如以上描述的空穴阻挡层。空穴阻挡层可以包含例如选自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至HTR与发射层EML之间设置绝缘层ISL-2，可以防止或减少从空穴传输区HTR至发射层EML的设置在发射层EML与电子传输区ETR之间，并且第二绝缘层ISL-32可以设置在发射层EML与[0106]第一绝缘层ISL-31和第二绝缘层ISL-32可以各自独立地包含无机材料和有机材在第一绝缘层ISL-31和第二绝缘层ISL-32中的相应的[0107]第一绝缘层ISL-31和第二绝缘层ISL-32可以各自独立地具有约0.1nm至约10nm的ISL-32中的每一个包含的材料和厚度可以根据发射层EML中包含的量子点QD的类型适当地EML中包含的量子点QD具有高于电子注入性质的空穴注入性质，第二绝缘层ISL-32的厚度发光二极管EE-4可以是在从第二电极EL2至第一电极EL1的方向上发[0110]根据发射层EML中包含的量子点QD的类型，根据实施方案的发光二极管EE-4可以输层ETL与发射层EML之间的绝缘层ISL-5，注入的电子的量和空穴的量可以被控制成达到缘层ISL-6可以包括第一绝缘层ISL-61和第二绝缘层ISL-62。第一绝缘层ISL-61可以设置在发射层EML与电子传输区ETR之间，并且第二绝缘层ISL-62可以设置在发射层EML与空穴传输区HTR之间。第一绝缘层ISL-61和第二绝缘层ISL-62各自可以设置成与发射层EML接触。第一绝缘层ISL-61和第二绝缘层ISL-62中包含的材料和厚度各自可以根据发射层EML思的实施方案的显示装置DD的横截面视图。图11是对应于图10中的线II-II'的横截面视[0121]参考图10和图11，显示装置DD可以包括非发射区NPXA以及发射区PXA-B、发射区发光二极管EE-1、发光二极管EE-2和发光二极管EE-3中的每一个产生的光的区。发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R可以在平面上(例如，在通过第一方向DR1和第二方向被显示作为实施方案。例如，实施方案的显示装置DD可以包括彼此区分开的蓝色发射区[0124]在一个或多于一个的实施方案中，显示装置DD的蓝色发射区PXA-B、绿色发射区[0125]第一发光二极管EE-1的第一发射层EML-B可以包含第一量子点QD1。第一量子点[0126]第二发光二极管EE-2的第二发射层EML-G和第三发光二极管EE-3的第三发射层EML-R可以分别包含第二量子点QD2和第三量子点QD3。第二量子点QD2和第三量子点QD3可[0127]在图11中显示的一个或多于一个的实施方案中，第一量子点至第三量子点(QD1、波长区的光的第一发光二极管EE-1中使用的第一量子点QD1可以具有相对较小的平均直[0128]第一量子点至第三量子点(QD1、QD2和QD3)的平均直径的关系不限于以上限定的EE-1、发光二极管EE-2和发光二极管EE-3中包含的第一量子点至第三量子点(QD1、QD2和[0129]在一个或多于一个的实施方案中，可以使用彼此不同的核材料形成发光二极管EE-1、发光二极管EE-2和发光二极管EE-3中包含的第一量子点至第三量子点(QD1、QD2和发光二极管EE-1的蓝色发射区PXA-B可以具有最大的面积，并且对应于产生绿色光的第二分隔的区。非发射区NPXA可以是相邻的发射区PXA-B、发射区PXA-G与发射区PXA-R之间的中的每一个可以对应于本公开内容中的像素。像素限定层PDL可以分隔(隔开)发光二极管来形成和/或可以通过包含黑色颜料和/或黑色染料来形成。通过包含黑色颜料和/或黑色区PXA-R。通过像素限定层PDL，发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R以及非发射区[0135]参考图10，蓝色发射区PXA-B和红色发射区PXA-R可以交替地布置在第一方向DR1[0136]第一组PXG1和第二组PXG2可以隔开地设置在第二方向DR2上。第一组PXG1和第二组PXG2中的每一个可以提供多个。第一组PXG1和第二组PXG2可以交替地布置在第二方向[0137]一个绿色发射区PXA-G可以与一个蓝色发射区PXA-B或一个红色发射区PXA-R隔开地设置在第四方向DR4上。第四方向DR4可以是第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向(例[0138]图10中显示的发射区PXA-B、发射区PXA-G和发射区PXA-R的布置结构可以具有波发射区PXA-G和红色发射区PXA-R可以沿第一方向DR1[0139]参考图2和图11，实施方案的显示装置DD进一步包括光控制层PP。在显示装置DD[0140]在图11中显示的一个或多于一个的实施方案中，光控制层PP可以包括滤色器层[0141]基体层BL可以是提供其中设置滤色器层CFL等的基体表面的构件。基体层BL可以[0142]滤色器层CFL可以包括光阻挡部件BM和滤色器部件CF。滤色器部件CF可以包括多中包含的量子点可以具有不同的核材料和/或包含的核的平均[0146]光阻挡部件BM可以是黑色矩阵。可以通过包含有机光阻挡材料和/或无机光阻挡材料(包括黑色颜料和/或黑色染料)来形成光阻挡部件BM。光阻挡部件BM可以防止或减少[0148]在图11中显示的一个或多于一个的实施方案中，滤色器层CFL的第一滤色器CF-B被显示为与第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R重叠，但本发明构思的实施方案不限于此。[0150]根据图12中显示的实施方案的显示装置DD-1可以包括包含多个发光二极管(EE-[0151]如图12中显示的实施方案的显示装置DD-1关于光控制层与图11中显示的显示装[0152]在一个或多于一个的实施方案中，光控制层PP-1可以包括偏振层POL和支撑偏振[0153]基体层BL可以是提供其中设置偏振层POL的基体表面的构件。基体层BL可以是玻装置DD-1的外部的入射光入射至显示面板DP并且然后被反射的实施方案中，偏振层POL可少)功能的圆形偏振器和/或偏振层POL可以包括来自线性偏振器的λ/4相位[0157]一个或多于一个的本实施方案的显示装置可以包括在包含量子点的发射层之上[0159]图13是用于制造根据本发明构思的实施方案的发光二极管的方法的流程图。图14A至图14E是示出用于按顺序制造根据本发明构思的实施方案的发光二极管的方法的动[0161]参考图13和图14A，用于制造根据本发明构思的实施方案的发光二极管的方法包制造根据一个或多于一个的实施方案的发光二极管的方法中，可以在形成发射层EML的步层EML之前，以及在按顺序形成空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之后，可以在空穴传输层[0162]发射层EML包含量子点QD。可以通过将多个量子点QD分散在用于基体部件HS的材料IOL来形成第二无机绝缘层ISL-IO的发光二极管的方法包括通过将无机材料IOL沉积在发射层EML上形成绝缘层ISL'的步骤。形成绝缘层ISL'的步骤可以包括通过沉积无机材料IOL形成无机绝缘层ISL-IOL1和无机绝无机材料IOL形成无机绝缘层ISL-IOL1和无机绝缘层ISL-IOL2的步骤，以及通过沉积有机形成无机绝缘层ISL-IOL1和无机绝缘层ISL-IOL2的步骤进行两次并且形成有机绝缘层成无机绝缘层ISL-IOL1和无机绝缘层ISL-IOL2的步骤以及形成有机绝缘层ISL-OL1的步骤[0167]在用于制造根据本发明构思的一个或多于一个的实施方