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文档简介
衬底上执行一外延工艺以形成一外延层；步骤2步骤S4，去除所述保护层，执行一抛光工艺以使所述所述复合结构包括三层所述超结结构：一第一层超结结构、一第二层超所述第一层超结结构的所述外延层的杂质浓度小于所述第二层超结结构的所述外延所述第二层超结结构的所述外延层的杂质浓度小于所述第三层超结结构的所述外延形成从下到上外延层的浓度和填充区的浓度同时变化的3[0002]超结MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金氧半场效晶体管)是在传统平面VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)理论基础上成不同的P型区分布，使得器件在在开通关断过程中电容充放电过程变化更加平缓，降低的多层超结半导体器件的制备方法，不仅可以解决多次外延注入工艺中工艺成本高的问4[0017]所述第二层超结结构的所述外延层的杂质浓度小于所述第三层超结结构的所述5[0034]图8为传统的深槽工艺形成的超结MOSFET的耗尽层边界曲线随着Vds逐渐展宽的[0035]图9为本发明实施例中的制备方法形成的超结MOSFET的耗尽层边界曲线随着Vds[0043]步骤S1，在具有第一导电类型杂质的半导体衬底1上执行一外延工艺以形成一外层11的保护下利用干法刻蚀工艺在第一外延层2中刻蚀出多个凹槽12，刻蚀的宽度在3~6结器件的槽深可以达到传统单次深槽工艺的槽深的三倍，具有更高的耐压能力(800V以充区(P型区)的底部和具有第一导电类型杂质的外延层(N型区)形成的PN结直接或者间接延层2a)的厚度大于第二层超结结构的外延层(第二外延层2b)的厚度，其差值不小于5μm，并且第二层超结结构的外延层(第二外延层2b)的厚度与第三层超结结构的外延层(第三外[0058]第二层超结结构的外延层的杂质浓度小于第三层超结结且偏浓比率的范围为515％之间。789
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