CN111933660B 显示装置及制造该显示装置的方法 （三星显示有限公司）

US2012074435A1,2012.03.29US2011163664A1,2011提供了一种显示装置以及制造该显示装置一体地布置在显示区域和传感器区域中并且限2对电极，一体地布置在所述显示区域和所述传感器区域中，并且限定与3在所述基底的上表面上与所述透射区域叠置地形成覆盖所述牺牲金属层并且与所述透射区域对应的初始有17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：去除所述初始有机图案层的一部4[0001]本申请要求于2019年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0055835号韩[0004]随着显示装置被各种地使用，可以使用用于设计各种形式的显示装置的各种方5[0027]通过结合附图的实施例的以下描述，这些和/或其它方面将变得明显和更容易地[0032]图5是根据实施例的沿着图3的线I-I'截取的显示区域的一部分和沿着图4的线6的效果和特征以及实现本公开的效果和特征的方法对于本领域技术人员而言将变得明显。显示装置1可以通过使用从显示区域DA中的多个主像素Pm发射的[0048]显示装置1包括传感器区域SA。传感器区域SA可以是其下方布置有诸如使用红外7以布置在传感器区域SA的单位区域中的辅助像素Pa的数量会比布置在显示区域DA的单位[0052]图1示出了传感器区域SA布置在具有矩形形状的显示区域DA的一侧(右上侧)处。[0055]显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上的显示元件层200以及作为密封[0057]显示元件层200可以包括包含主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'的电路层、作为显示元件的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'、位于电路层与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之间的无机绝缘层IL以及绝缘层IL'。素Pa包括辅助薄膜晶体管TFT'和连接到其的辅助有机发光二极管OLED'。8图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无9[0074]主像素Pm和辅助像素Pa中的每者可以电连接到非显示区域NDA中的外围电路。在[0075]第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL向主像素Pm和辅助像素Pa中的每者提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以经由发光控制线EL向主像素Pm和辅助像素Pa中的每像素Pm和辅助像素Pa中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，而显示区域DA中的主反被暴露以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板生的控制信号可以经由印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路第二电源线170的主像素Pm和辅助像素P到端子140的连接线151以及经由连接到连接线151的数据线DL被提供到主像素Pm和辅助像[0078]第一电源线160可以包括在x方向上彼此平行延伸的第一子线1并且显示区域DA位于第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170可以具有带有开口截取的显示区域DA的一部分和沿着图4的线II-II'截取的传感器区域SA的一部分的示意性[0084]主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管[0085]组件20可以布置在传感器区域SA下方。组件20可以是被构造为透射/接收红外光行进通过透射区域TA。从显示装置1的外部产生并入射在组件20上的光可以在-z方向上行中，基底100可以具有多层结构，该多层结构包括包含上面描述的聚合物树脂的层和无机化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiO2)。缓冲层111可以设置为使得第一缓冲层111a和第二缓冲层[0089]在传感器区域SA中，下电极层BSM可以布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111bBSM布置在辅助薄膜晶体管TFT'下方，从而防止辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于从组件20晶体管TFT可以连接到显示区域DA中的主有机发光二极管OLED，从而驱动主有机发光二极而驱动辅助有机发光二极管OLED'。[0092]第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上并且可以包括多晶[0093]第二半导体层A2可以与下电极层BSM叠置，并且第二缓冲层111b在第二半导体层[0094]第一栅极绝缘层112可以设置为覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅化钛(TiO2[0095]在第一栅极绝缘层112上，第一栅电极G1和第二栅电极G2布置为分别与第一半导[0096]第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝第二栅极绝缘层113可以包括包含上面描述的无机绝缘材料的单层[0097]主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'。[0100]第一上电极CE2和第二上电极CE2'可以包括[0101]层间绝缘层115可以设置为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。层间绝缘层22等。[0102]当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层冲层111的上表面或基底100的上表面。第一孔H1可以形成为使得第一栅极绝缘层112的第和层间绝缘层115可以分别包括第二开口和第三开口以机绝缘层IL可以具有可以通过组件20透射/接收的光的透射率，所以无机绝缘层IL可以不[0106]源电极S1和S2以及漏电极D1和D2布置在层间绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏包括平坦化的上表面，使得第一像素电极221和第二像素电极221'两者都平坦地布置在平[0109]平坦化层117可以包括与透射区域TA对应的第二孔H2。第二孔H2可以布置为与第第一漏电极D1中的一个。第一像素电极221可以经由开口与第一源电极S1或第一漏电极D1[0111]此外，平坦化层117包括暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极[0112]第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括导电氧化物(诸如氧化铟锡[0113]像素限定层119可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个的边边缘和第二像素电极221'的边缘与在第一像素电极221和第二像素电极221'上的对电极[0114]像素限定层119可以包括定位在透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可以与第一可以布置为与第一孔H1的内壁间隔开。有机图案层OPL的厚度可以在从第一孔H1的边缘到机图案层OPL的作用。示区域DA和传感器区域SA中的主像素P[0119]在第一功能层222a上，第一发光层222b和第二发光层222b'布置为分别与第一像[0120]第二功能层222c可以布置在第一发光层222b和第二发光层222b'上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以一体地布置为与分别包括在显示区域DA和传感器区域SA中的2O3的层[0122]在显示区域DA中的从第一像素电极221至对电极223的范围内的层可以构成主有机发光二极管OLED。在传感器区域SA中的从第二像素电极221'至对电极223的范围内的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。三孔H3的侧壁对于基底100的上表面的倾斜度可以小于透射孔TAH的侧表面对于基底100的[0130]主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以被封装基底300A覆盖。有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管O100与封装基底300A之间渗透的外部湿气[0135]第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以一体地形成以覆[0136]作为另一实施例，有机封装层320可以一体地形成以覆盖显示区域DA和传感器区属层ML可以由与第一像素电极221和第二像素电极221'的材料相同的材料与第一像素电极[0140]在一些实施例中，初始有机图案层POPL可以由与像素限定层119的材料相同的材[0141]初始有机图案层POPL可以包括相对于基底100的上表面形成锐角的倾斜表面。在示，形成布置为围绕透射区域TA的外围的有机图案层OPL，并且可以形成包括第一功能层[0147]当将通过沿着-z方向从基底100的上部分发射激光束LP来去除透射区域TA中的无