CN111941251B 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 （上海新昇半导体科技有限公司）_第1页
CN111941251B 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 （上海新昇半导体科技有限公司）_第2页
CN111941251B 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 （上海新昇半导体科技有限公司）_第3页
CN111941251B 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 （上海新昇半导体科技有限公司）_第4页
CN111941251B 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 （上海新昇半导体科技有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩20页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

US5558563A,1996.09.24抛光方法，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光2所述凹槽包括靠近所述抛光垫外围的第一环形槽与靠近所述抛光垫中心的第二环形一环形槽的外沿与所述第二环形槽的内沿之间的距离所述第一环形槽的内沿与硅片的边缘之间的距离为2mm至4mm，所述抛光垫还包括开设在所述抛光面的一个或多个排液槽，所述抛光垫驱动装置，所述抛光垫设置于所述抛光垫驱动装置上，抛光垫驱动由所述抛光头带动所述硅片，使所述硅片的正面接触权利要求1-4中任一项所述的抛通过控制所述抛光头运动来调整所述硅片的边缘与所述凹槽接触的面3[0003]硅片的表面抛光往往需要经过双面抛光(DSP，doublesidepolish)和正面最终4硅片的边缘位置悬空在所述抛光垫抛光面的凹槽[0032]图5为使用根据本发明实施例的抛光垫对硅片进行抛光时，凹槽相对于硅片的边[0035]图8为在执行根据本发明实施例的硅片的抛光方法的过程中抛光头的运动示意[0036]图9为在根据本发明实施例的硅片的抛光方法中，硅片的边缘进入凹槽不同深度5向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。6形槽102与抛光垫同心设置，第一环形槽101与第二环形槽102的横截面包括但不限于为矩在第一环形槽101与第二环形槽102之间，使硅片200相对的两个边缘同时悬空在第一环形[0051]第二环形槽102的深度和宽度可以与第一环形槽101相同或近似，即第二环形槽以通过控制硅片200沿抛光垫100的半径方向左右移动来调整硅片200与凹槽接触的面积，[0053]作为示例，第一环形槽101的外沿与硅片200的边缘之间的距离D3和第二环形槽的边缘之间的距离D4和第二环形槽102的外沿与硅片200的边缘之间的距离D5可以为2mm~7图5所示的运动轨迹。图5中，硅片200被两条虚线包围的区域为硅片的边缘经过凹槽的区个实施例的排液槽103一端连通第二环形槽102，贯穿第一环形槽101，另一端连通抛光垫有助于第一环形槽101和第二环形槽102中的抛光液流向排液槽。排液槽103可以围绕抛光递增。排液槽103可以如图1和图2所示的自第二环形槽102开始贯穿第一环形槽101直至延其能够排出第一环形槽101和第二环形槽102中的抛[0062]本发明实施例另一方面提供一种抛光设备，参照图6，所述抛光设备包括抛光垫8[0066]根据本发明实施例的抛光设备由于采用了在硅片的边缘下方设置有凹槽的抛光[0071]示例性地，抛光垫的抛光面上开设有靠近抛光垫外围的第一环形槽和/或靠近抛9或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论