CN111948505B 一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法 （中电普瑞科技有限公司）

一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控本发明一种用于测试GaN功率器件输出特性工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能够有效避免控制信号和主线路连接线带来的电2所述隔离驱动芯片的副边供电端和所述高隔离电源的正向电压所述GaN功率开关器件VT1的门极和其源极连接；所述GaN功率开关器所述GaN功率开关器件VT1的源极和所述待测GaN功率开关器件VT2的所述第一RC吸收保护电路和所述第二RC吸收保护电所述直流电源Vd的正极和所述GaN功率开关器件VT1的漏极连接；所述直流电源极和所述待测GaN功率开关器件VT2的所述Boost升压电路，用于将输入电源输入的电压升高至50V，并为所述推挽电路，用于将所述Boost升压电路输出的50V电压转换成正压输出和负压输所述正压调节电路，用于将所述推挽电路输出的正压输出调节为范围在5V～20V内的向所述隔离驱动芯片的输入端输入控制所述待测GaN功率开关器件VT2的驱动脉冲信驱动电压下待测GaN功率开关器件VT2漏源两端电3驱动电压下待测GaN功率开关器件VT2漏源两端电6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设正向驱动电压的电压范围为5V~4[0001]本发明涉及电力电子测试领域，具体涉及一种GaN功率器件输出特性的测试电路[0004]针对现有技术的不足，本发明的目的是在一个很小的工装板上能够实现GaN功率接地端和所述待测GaN功率开关器件VT[0009]所述隔离驱动芯片的输出端和所述驱动磁珠FZB的一端连接；所述驱动磁珠FZB的5[0019]所述正压调节电路，用于将所述推挽电路输出的正压输出调节为范围在5V～20V[0028]向所述隔离驱动芯片的输入端输入控制所述待测GaN功率开关器件VT2的驱动脉正向驱动电压下待测GaN功率开关器件VT2漏源两端[0033]本发明提供了一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法，本发明提供的小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能够有效避免控制信号和主线路连接线电源均能够耐受5kV的隔离电压，避免在高频状态下控制信号对GaN功率器件产生的干扰，6接地端和所述待测GaN功率开关器件VT端和所述第二电阻R2的一端连接；所述第二电阻R2的另一端和所述第二电容C2的一端连[0047]所述隔离驱动芯片的输出端和所述驱动磁珠FZB的一端连接；所述驱动磁珠FZB的7[0055]所述正压调节电路，用于将所述推挽电路输出的正压输出调节为范围在5V～20V所述Boost升压电路升高至稳定的50V电压，该50V电压经过高隔离推挽电路转化成正压和变阻器的阻值，使高隔离电源的输出正压调节范围在5V～20V内，输出负压调节范围在_[0069]向所述隔离驱动芯片的输入端输入控制所述待测GaN功率开关器件VT2的驱动脉8现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定[0074]这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或其他可编程设备上执行的指令提供用于