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文档简介
电子技术二极管的特性C
H
A
R
A
C
T
E
R
I
S
T
I
C
S
O
F
D
I
O
D
E二极管的伏安特性01二极管的
主要参数02
二极管的
伏安特性01i二极管的伏安特性
二极管两端外加电压与流经二极管的电流之间的关系
正向特性反向特性伏安特性uu++++i----
反向击穿电压UBR •
齐纳击穿•雪崩击穿
•
热击穿外加反向电压大于反向
击穿电压二极管被击穿外加正向电压大于死区
电压二极管才能导通
③
反向截止区
④正向特性
反向特性
导通电压硅管0.5-0.7V，锗管0.2-0.3V
死区电压
硅管0.5V,锗管0.1V②正向导通区非线性①正向死区反向击穿区ui平时我们说二极管的单向导电性指的就是“正向导通区”和“反向截止区”这两个常用的工作状态二极管的四种工作状态反向截止区正向导通区反向击穿区正向
死区
二极管的02主要参数最大整流电流IF
额定正向工作电流IFM二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向电流。二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。二极管的主要参数
最高反向工作电压URM允许加在二极管两端
的最大反向电压。
一般为
击穿电压的1/2或2/3。反向击穿电压UBR二极管的主要参数
最高反向工作电压URMui反向漏电流IR二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。二极管的主要参数
反向漏电流IR最高工作频率rm二极管正常工作的上限频率。由于二极管存在结电容，超过最高工作频率的二极管相当于一直导通，将失去单向导电的特性。二极管的主要参数
常见二极管的主要参数及选型额定正向工作电流最高工作频率最高反向工作电压反向电流国外型号硅
面接触型硅
整流二极管
1
000
1
000
3
000
点接触型
锗二极管面接触型硅
整流二极管1N40011N4002
1N5403
150MHz
100MHz参数
型号2CZ52A2CZ52D2CZ55C2CZ56E≤500
≤1
000整流二极管<5<5
<10100
100
50100200IFM
(mA)2AP12AP91
0003
000≤250
≤200IR
(μA)Cj
(pF)VRM
(V)25200100300备注20103kHz3kHz168≤
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