CN110908243A 抗蚀剂组合物和图案化方法 （信越化学工业株式会社）

基础聚合物和含有具有碘化的苯环的锍盐的产2R3R46.根据权利要求5所述的抗蚀剂组合物，其中所述基础聚合物包含具有式(a1)的重复3-C62-C72-C7酰氧基或C2-C7烷氧基羰基，R14为单键或其中部分碳可10.根据权利要求5所述的抗蚀剂组合物，其中所述基础聚合物还包含选自式(f1)至A各自独立地为氢或甲基，Z111--O-Z31-NH-Z31-13.根据权利要求12所述的方法，其中所述高能辐射为波长193nm的ArF准分子激光辐4[0002]本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2018年9月18日于日本提交[0004]为了满足LSI的更高集成度和运行速度的要求，降低图案尺度的努力正在迅速进行。尤其是为了顺应智能电话的广泛使用而扩大逻辑存储器市场推动小型化技术的发展。作为先进的小型化技术，通过ArF浸没式光刻的双重图案化以10nm节点制造微电子器件已小至ArF曝光的可用光子数的1/14，因此尺寸的变化(LWR或CDU)很大程度上受光子数变化[0007]专利文献1至3公开了具有卤素取代的苯环的锍盐。因为在阳离子侧上引入EUV完5-C20烷[0018]非亲核性反离子典型地为氟化的磺酸根、氟化的酰亚胺或氟化的甲基阴离子6-O-Z11-、-C(＝O)-O-Z11-或-C2-O-Z31-、-C(=21至R28各自独立地为可以以键合在一起以与它们所连接的硫原子形成环；A为氢或三氟甲基；和M-为非亲核性反离7[0046]本发明的一个实施方案为包含具有碘化的苯环的锍盐和任选的基础聚合物的抗[0047]锍盐型产酸剂因为阳离子结构部分含有碘化的苯环而对EUV为高度吸收性并且可有效分解。JP-A2018-005224和2018-025789描述了在阴离子中具有碘化的苯环的锍和碘[0048]阳离子结构部分中引入具有大原子量的碘的锍盐扩散性较小并且与聚合物完全显影的正型和负型图案形成中或在通过有机8基.9[0094]具有式(1)的锍盐可以例如通过使用碘化的苯甲酸、苯酚或苯胺使带苯环的锍盐[0095]根据本发明的包含具有式(1)的锍盐的抗蚀剂组合物甚至在不含有基础聚合物含有酸不稳定性基团的重复单元，优选具有式(a1)的重复单元或具有式(a2)的重复单元。[0104]在式(a1)和(a2)中由R11和R12表示的酸不稳定性基团可以选自各种这样的基团，[0110]基础聚合物可以还包含具有酚羟基作为粘合性基团的重复单元(b)。衍生出重复A如上文所定义。[0124]在另外的实施方案中，可以将衍生自具有可聚合不饱和键的鎓盐的重复单元(f)23一起以与它们所连接的硫原子形成环。由此形成的环同上文对于式(1)中两个R5键合在一酸根离子如甲磺酸根和丁磺酸根；酰亚胺离子如双(三氟甲基磺酰)亚胺、双(全氟乙基磺酰)亚胺和双(全氟丁磺酰)亚胺；甲基阴离子如三(三氟甲基磺酰基)甲基阴离子(tris(trifluoromethylsulfonyl)methide)和三(全氟乙基磺酰基)甲基阴离子(tris[0144]用于配制正型抗蚀剂组合物的基础聚合物包含具有酸不稳定性基团的重复单元[0149]基础聚合物应当优选具有在1,000至500,[0150]如果基础聚合物具有宽的分子量分布或分散度(Mw/Mn)，这表明存在较低分子量[0151]基础聚合物可以为在组成比、Mw或Mw/Mn方面不同的两种或更多种聚合物的共混[0153]在含有具有式(1)的锍盐和上文定义的基础聚合物的抗蚀剂组合物中，可以以任借这些优点，该组合物完全可用于商业应用并且适合作为用于制造VLSI的图案形成材料。[0154]在此使用的有机溶剂的实例描述于JP-A2008-111103[0156]可以向抗蚀剂组合物中添加不同于具有式(1)的锍盐的产酸剂，只要本发明的益尽管在此使用的PAG可以为在曝光至高能辐射时能够产生酸的任意化合物，但是优选能够氰基或磺酸酯基团的胺化合物，和如JP3790649中所描述的具有氨基甲酸酯基团的化合[0158]还可以将USP8,795,942(JP-A2008-158339)中所描述的在α位处未氟化的磺酸如2-苯基-2-氧代乙基、2-(1-萘基)-2-氧代乙基和2-(2-萘基)-2-氧代乙基。在这些基团201A-C(＝O)--C122-C12烯基、C6-C20起以与它们所连接的硫原子形成环。由此形成的环同上文对于式(1)中两个R5键合在一起[0169]具有式(4)的化合物的实例包括描述于JP-A2017-219836中的那些。因为碘对波[0170]还可以使用USP7,598,016(JP-A2008-239918)中描述的聚合物型猝灭剂。聚合[0174]在此可以使用的溶解抑制剂为分子上具有至少两个酚羟基的其中所述酚羟基上的全部氢原子的平均0至100mol％被酸不稳定性基团替换的化合物，或为分子上具有至少一个羧基的其中所述羧基上的全部氢原子的平均50至100mol％被酸不稳定性基团替换的拒水性改进剂包括具有氟代烷基的聚合物和具有1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇残基的特定结元的聚合物可以充当拒水性添加剂并且在PEB期间有效地防止酸蒸发，由此防止在显影之SOG或有机减反射涂层)上或待在其上形成掩模电路的衬底(例如Cr、CrO、CrON、MoSi2或[0186]然后将抗蚀剂膜以图案化方式曝光至高能辐射。高能辐射的实例包括UV、深UV、选在80至120℃烘焙(PEB)30秒[0195]用于抗蚀剂组合物中的产酸剂PAG1至PAG20具有下文所示的结构。通过对氟苯基[0217]将表1和2中的抗蚀剂组合物的每一种旋涂在具有含硅旋涂硬掩模SHB-A940