CN111101128A 用于预清洁和蚀刻装置的高温涂层及相关方法 （Asm Ip控股有限公司）

用于预清洁和蚀刻装置的高温涂层及相关公开了用于预清洁和蚀刻装置的高温涂层及相关方法，所述预清洁和蚀刻装置包括反应管和远程等离子体单元中的至少之一包含具有方法包括准备待涂布的第一表面；清洁第一表2岐管或所述远程等离子体单元中的至少之一包其中所述涂层的所述第一层或所述第二层中的至少之一通过原子层沉积(ALD)形成；2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层在所述气体分配设备上并且所述第一3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层在所述气体分配设备上并且所述第二4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层在所述远程等离子体单元上并且所述5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层在所述远程等离子体单元上并且所述6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层包含以下中的至少之一：氧化铝7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层包含以下中的至少之一：氧化铝11.根据权利要求10所述的装置，其中所述复合涂层的形成在以下中的至少之一上重314.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一涂层包含以下中的至少之一：氧化铝15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二涂层包含以下中的至少之一：氧化铝16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一涂层在所述气体分配设备上并且所述17.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二涂层在所述气体分配设备上并且所述18.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一涂层在所述远程等离子体单元上并且19.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二涂层在所述远程等离子体单元上并且4[0002]已在半导体膜制造装置内的部件上采用涂层以避免可能不利地影响半导体晶片上形成的膜的颗粒产生。特别是已在可能进行预清洁或蚀刻工艺的装置上使用这些涂层。ALDAl2O3涂层的晶片上会出现铝金均匀的厚度施加并且在经受较高的温度和严苛的化学5的所述第一层或第二层中的至少之一通过原子层沉积(ALD)形成；并且其中所述第一层和[0011]下文将参照某些实施例的图式来描述本文中所公开的本发明的这些和其它特征、[0012]图1为根据本发明的至少一个实施方案的具有异位涂层的半导体膜预清洁装置的[0013]图2为根据本发明的至少一个实施方案的具有原位涂层的半导体膜预清洁装置的发明所公开的范围不应受下文所描述特定公开实施6前体或反应气体)引入到处理室中以用于将用化学方法吸附的前体转换成沉积表面上的所骤以在转换用化学方法吸附的前体之后从处理室移除过量前体和/或从处理室移除过量反[0025]图1示意了根据本发明的至少一个实施方案的具有异位涂层的半导体膜预清洁装气体的实例可包括用来从半导体晶片130去除膜如硅氧化物(SiOx)或硅锗氧化物(SiGeOx)程等离子体单元170激活的气体以在碳去除工艺过程中形成氢自由基气体。第四气体源传输路径160确保来自第一气体源180和第二气体源190A的气体的均匀混合物被递送到反歧管150可有助于高效地向晶片边缘递送由第三气体源190B生成的自由基气体并改善碳去2O)用于原位ALD沉积氧化钇(如美国专7游连接吹扫气体源195E以在化学吸附前体的转化之后去除过[0030]气体分配系统或喷淋头140、气体递送路径135和气体歧管190是也可被涂布的部发明的至少一个实施方案的具有高纵横比孔的另一类型部件如气体分配系统或喷淋头流到半导体晶片130上。所述多个孔420可包含具有高纵横比的特征并还可包含不同的形[0031]图4B示意了引入了涂层以防止颗粒形成的气体分配系统或喷淋头140。多个涂层或第二涂层530中的至少之一或两者可通过原子层沉积(ALD)技术施加。使用ALD技术的好[0034]图6示意了根据本发明的至少一个实施方案的涂层布置600。涂层布置600包括待8现。涂层可延伸到不止两层不同的ALD涂层(例如，氧化钇和氧化铝)或可仅包含一层涂层[0036]图7示意了根据本发明的至少一个实施方案的涂层布置700。涂层布置700包括待740中的至少之一或全部可通过原子层沉积(ALD)技术施加。在仅一个涂层通过ALD实现的优化小孔设计以在ALD涂布期间减少由截留的前体引起的局部不均匀涂层缺陷或牛顿环。9[0040]涂布步骤830可包括通过ALD技术形成至少一个涂层。ALD技术可通过原位或异位[0042]涂布后处理步骤840可包括改善涂层的质量或性质。实例可包括氟化或氯化涂层功能关系和/或物理联接。许多另选的或附加的功能关系或物理连接可能存在于实际的系和/或特性以及其任何和所有等效物的所有