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文档简介

US2011204488A1,2011.TW407314B,2000.10.012提供堆叠设置的第一晶圆本体和第二晶圆本体，所述第一晶圆本体在所述第一晶圆本体表面的所述切割道中形成第一切割硅通在所述第二晶圆本体表面与所述第一切割硅通孔对所述切割硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布包括多层如权利要求1-6任一项所述的晶圆制作方法形成的晶圆，多层所述晶圆堆叠3割区面积过大导致晶圆的有效利用率降低进而导致4[0033]本公开提供的晶圆制作方法，通过在切割道设置填充有5[0052]步骤S110，提供一晶圆本体100，所述晶圆本体100上设置有用于切割的切割道[0054]本公开实施例提供的晶圆制作方法，通过在切割道120设置填充有保护材料的切6氮化钽和氮化钛等导电材料中的一种或者多种，此时在填充保护材料可[0068]步骤S330，在第二晶圆本体400上切割道120和第一切割硅通孔230对应的位置形7氮化钽和氮化钛等导电材料中的一种或者多种，此时在填充保护材料可[0077]在步骤S340中，在所述第二切割硅通孔240填充所述保护材料，保护材料可以是氮化钽和氮化钛等导电材料中的一种或者多种，此时在填充保护材料可8[0079]而对于更多层晶圆堆叠的结构，在已形成完第一切割硅通孔230和第二切割硅通孔240的双层堆叠结构的基础上，增加的每层晶圆均可采用先堆叠再形成切割硅通孔的方[0082]本公开实施例提供的晶圆制作方法，通过在切割道120设置填充有保护材料的切[0084]本公开实施例提供的晶圆，通过在切割道120设置填充有保护材料的切割硅通孔[0085]晶圆本体100可以被划分为切割道120和晶粒区110，切割时切割刀作用于切割道[0086]在所述切割道120延伸方向形成切割硅通孔200，所述切割硅通孔200包括连续分硅通孔200的宽度是指切割硅通孔200和切割道120平行的两个侧壁9[0091]本公开实施例提供的晶圆，通过在切割道120设置填充有保护材料的切割硅通孔者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识

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