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文档简介

201710514071.72017.06.29感单元采集位于所述触点识别区内的用户触控户第二触控部在所述第二触控面上的显示位置与当前用户第二触控部在所述第一触控面上的元将会控制所述传感单元采集位于所述触点识请可以解决屏内指纹识别器件在显示屏折叠后2所述第一触控面和所述第二触控面位于同一平面或者不同平面,所所述第一判断单元用于:当所述第一触控面和所述第二触控面不在同所述第一触控面是否朝向当前用户;述传感单元采集位于所述触点识别区内的第一触控部的二触控部在所述第二触控面上的显示位置与当前第二触控部在所述第一触控面上的位置述传感单元采集当前所述第二触控部在所述触点识别区的第二判断单元,用于判断所述传感单元获取的触点信息与所述操作指令接收单元用于接收用户设置指令,显示面板用于在所述传感单元用于获取用户部位在所述触点识别区上的触点信息所述显示面板用于显示一操作指令标识列表,所述操作指令标识列表中所述操作指令接收单元还用于接收用户对操作指令标识的选择指令操作指令标识对应的操作指令与传感单元获取的触点信息3第一触控面和所述第二触控面不在同一平面时,判断所述第一触控面是否朝向当前用户”包括:所述第一判断单元用于判断当前传感单元感知到的环境光强是否低于预设光强值,第一触控面和所述第二触控面不在同一平面时,判断所述第一触控面是否朝向当前用户”15.如权利要求14所述的触点识别装置,其特征在于,所述提示信息包括声音提示信所述奇数列像素点阵列用于接收正向偏压信号,发出红外光信号;421.如权利要求2所述的触点识别装置,其特22.如权利要求2或21所述的触点识别装置,其特23.如权利要求22所述的触点识别装置,其特征在24.如权利要求1所述的触点识别装置,其特征所述第一触控面和所述第二触控面位于同一平面或者不同平面,所感单元采集位于所述触点识别区内的第一触控部在所述第二触控面上的显示位置与当前第二触控部在所述第一触控面上的位置相对采集当前所述第二触控部在所述触点识别区的5触点信息预设单元设置预设触点信息与操作指令的对第二判断单元判断所述传感单元获取的触点信息与预设触点信息是否29.如权利要求28所述的触点识别方法,其特征在于,所述装置包括操作指令接收单操作指令接收单元接收用户设置指令,显示面板在所述第一触控面上显示触点识别传感单元获取用户部位在所述触点识别区上的触点显示面板显示一操作指令标识列表,所述操作指令标识列表操作指令接收单元接收用户对操作指令标识的选择指令,识对应的操作指令与传感单元获取的触点信息的第一判断单元判断当前传感单元是否捕捉到用户部第一判断单元判断当前传感单元感知到的环境光强是否低第一判断单元判断检测到的当前第一触控面第二判断单元根据所述传感单元获取到的触点信息计处理单元在所述第二判断单元判定所述触点信息与预设触点信息不匹37.如权利要求27所述的触点识别方法,其特征38.如权利要求37所述的触点识别方法,其特6所述红外感应层接收第一触发信号,发出红外光信号;以及所述红外感奇数列像素点阵列接收正向偏压信号,发出红外光信号操作指令接收单元接收用户对触点识别子区域的启动指令,或者,操作指令接收单元接收用户对触点识别子区域的关7[0001]本申请是分案申请,原申请的申请号为201710行动装置的特征融合成单一装置,且实现装置轻薄便携的用户体验,例如美国专利[0005]目前显示屏技术包括液晶显示(LCD)屏或有源阵列式有机发光二极管(AMOLED)显[0006]由于光侦测二极管(PhotoDiode)的结构亦可采用此类半导体材料制备,且生产设备也兼容于TFT阵列的生产设备,因此近年来TFT光侦测二极管开始以TFT阵列制备方式作生产,并广泛应用在X光感测平板器件,如中华人民共和国专利CN103829959B、材料之光能隙(Bandgap)皆以可见光为主要吸收范围,因此较易受环境可见光之干扰形成8感测阵列薄膜上,避免了周围环境之可见光形成噪声干扰,如上述中华人民共和国专利[0007]若将此类熟知的TFT可见光感测阵列薄膜以柔性基材制备,并配置在柔性显示屏[0011]所述第一判断单元用于:当所述第一触控面和所述第二拟第二触控部在所述第二触控面上的显示位置与当前第二触控部在所述第一触控面上的制所述传感单元采集当前所述第二触控部在所述触点识[0017]第二判断单元,用于判断所述传感单元获取的触点信息与预设触点信息是否匹9区域的关闭指令,所述传感单元控制电路用于关闭所述触点识别子区域的下方的传感单[0047]本发明的第二方面还提供了一种触点识别方法,所述方述传感单元采集位于所述触点识别区内的第一触控部位的二触控部在所述第二触控面上的显示位置与当前用户第二触控部在所述第一触控面上的传感单元采集当前所述第二触控部在所述触点识别区的令标识对应的操作指令与传感单元获取的触点信息的对[0067]第一判断单元判断检测到的当前第一触控面上的触点数量是否大于预设触点数[0103]所述装置包括第一显示面板101和第二显示面板111,所述第一显示面板101包括[0104]在所述第一触控面上设置有触点识别区,所述触点识别区下方设置有传感单元[0105]所述触点信息预设单元104用于设置预设触点信息与操作指令的对应关系,所述[0106]通常,折叠显示屏中的每一显示面板具有一个触控面和非触控面(显示面板的背[0107]若判定第一触控面朝向当前用户,则传感单元102用于获取第一触控部在触点识别区的第一触点信息,所述第二判断单元127用于判断获取的第一触点信息与第一预设触匹配则处理单元106不执行第一预设触点信息对应的操作指令。所述第一触点信息为第一[0109]又由于第二触控面上显示的虚拟第二触控部位置与第一触控面上真实的第二触上的显示位置也对应发生移动。因而当所述虚拟第二触控部位于虚拟触点识别区时(说明点识别区的第二触点信息,所述第二判断单元127用于判断获取的第二触点信息与第二预若不匹配则处理单元106不执行第二预设触点信息对应的朝用户人眼,用户无法精准地将另外四根手指的某一根(如无名指)移动至触点识别区内。因而处理单元控制第二触控面上显示虚拟的4根手指(或虚拟的无名指)以及虚拟触点识别识别区。设置指令可以通过用户点击第一触控面或第二触控面上设置栏中的某一按钮触所述设置指令,这样一方面可以提高触控配置信息(即预设触点信息与操作指令的对应关当前用户。括:第一判断单元用于判断检测到的当前第一触控面上的触点数量是否大于预设触点数数量是通过传感单元或第一显示面板的触控面板括第一预设触点信息或第二预设触点信息,所述第一触点信息或第二触点信息为指纹信晶显示(LCD)面板或有机发光二极管(OLED)显示面板,皆是以TFT结构驱动扫描单一像素,以实现面板上像素阵列的显示功能。形成TFT开关功能的主要结构为半导体场效晶体管产设备也兼容于TFT阵列的生产设备,因此近年来TFT光侦测二极管开始以TFT阵列制备方式进行生产。本实施方式所述的TFT影像感测阵列薄膜即为上述提到的TFT光侦测二极管共和国专利CN204808361U中对传感单元结构的描述。TFT影像感测阵列薄膜的生产工艺与[0126]图5所示的传感单元易受周围环境光或者显示屏像素所发出的可见光的反射、折沉积的氢气浓度,微晶光电二极管的操作波长范围可以扩展到光波长600nm到1000nm的范晶硅光电二极管也可采用双结以上p型/i型/n型结构串接形成。该光电二极管第一结层p有可扩展光敏波长范围之非结晶硅化合物之p型/i型/n型光电二极管结构,优选之化合物之光敏范围达到光波长600nm到1000n[0131]在采用非结晶硅化合物光电二极管之实施例中,为了提作扫描驱动外加一偏压(包括正向偏压,或零偏压或负偏压)在p型/i型/n型光电二极管之[0133]在某些实施例中,第一触发信号可以通过在p型/i型/n型红外光敏二极管之间施加正向偏压触发,第二触发信号可以通过在p型/i型/n型红外光敏二极管之间施加零偏压以对编号为奇数的像素点阵列施加正向偏压,以使得奇数列像素点阵列可发出红外光信施例中,第一触发信号可以通过在p型/i型/n型红外光敏二极管之间施加零偏压或负偏压形成的阵列有10列像素点阵为例,在第一周期内对p型/i型/n型红外光敏二极管施加正向源触发信号(第一触发信号)与侦测触发信号(第二触发信号)交替切换,并符合一预设频列驱动扫描每一帧(Frame)红外光敏二极管阵列至少能接收到一帧完整的影像信号所需的些实施例中,当所述显示单元为AMOLED显示屏或微发光二极管显示屏或量子点显示屏时,[0136]在某些实施例中,当第一显示面板为LCD液晶显示屏或电子墨水显示屏时,所述TFT影像感测阵列薄膜包括红外感应层,所述红外感应层为红外光敏二极管或红外光敏电的传感单元即可实现触点信息检测识别(如指纹识别功能),当然也可以图6的传感单元结域的下方对应设置一传感单元。所述装置还包括操作指令接收单元和传感单元控制电路,传感单元控制电路接收用户触发的启动信号,将两个触点识别子区域下方的光侦测器件号可以被下方的TFT影像感测阵列薄膜(即光侦测器件)所吸收,从而捕捉到用户的触点信[0146]步骤S106后还可以进入步骤S107当所述虚拟第二触控部二判断单元判断获取的第二触点信息与第二预设触点信息是否匹配,若匹配则进入步骤包括:第一判断单元判断检测到的当前第一触控面上的触

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