CN112309894B 晶片加工装置和使用该晶片加工装置的晶片加工方法 （三星电子株式会社）

JP2002367914A,200晶片加工装置和使用该晶片加工装置的晶并基于第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号生成用于控制电子压力调节器的反馈2加热板，其中穿过所述加热板形成有多个真空端口并第一电源和第二电源，被配置为分别向所述加热设备的不同第一温度控制器，被配置为基于由所述多个温度传感器生成的第二温度控制器，被配置为基于由所述多个温度传感器生成的信号和所述第二反馈温度控制信号来生成用于控制所述电子压力调节器的压力的反馈压所述第一反馈温度控制信号和所述第二反馈温度控制信号来识别所述第一电源与所述第其中，所述第一温度传感器被配置为生成所述第一测量值，其中，所述第一温度控制器还被配置为基于所述第一测量值来其中，所述第二温度控制器还被配置为基于所述第二测量值来之后所述第一电源的第一电力输出与所述第二电源的第二电力输3其中，所述第二电源被配置为向所述加热设备的与所述边加热板，其中穿过所述加热板形成有多个真空端口并第一电源、第二电源和第三电源，被配置为分别向所第一温度控制器，被配置为基于所述多个温度传感器的第一述第一电源的第一电力输出的第一反馈温度第二温度控制器，被配置为基于所述多个温度传感器的第二述第二电源的第二电力输出的第二反馈温度第三温度控制器，被配置为基于所述多个温度传感器的第三述第三电源的第三电力输出的第三反馈温度多个第二真空端口，相对于所述加热板的中心呈圆形其中所述晶片卡紧控制器还被配置为：基于所述第一反馈所述第一电子压力调节器和所述第二电子压力调节其中，所述第一温度传感器被配置为生成所述第一测量值其中，所述第一温度控制器还被配置为基于所述第一测量值来4其中，所述第二温度控制器还被配置为基于所述第二测量值来其中，所述第三温度控制器还被配置为基于所述第三测量值来其中，所述第二电源被配置为基于所述第二反馈温度控制信号其中，所述第三电源被配置为基于所述第三反馈温度控制信号于所述第一反馈温度控制信号、所述第二反馈温度控制信号和所述第三反馈温度控制信于所述第一反馈温度控制信号、所述第二反馈温度控制信号和所述第三反馈温度控制信加热板，其中穿过所述加热板形成有多个真空端口并第一电源和第二电源，被配置为分别向所述加热设备的不同第一测量设备和第二测量设备，被配置为分别测量所述第一馈温度控制信号被配置为控制所述第一电力输出和所述第于由所述第一测量设备测量的所述第一电力输出和由所述第二测量设备测量的所述第二5一反馈温度控制信号，向所述加热设备的与所述中心区域相对应的中心部分提供工作电其中，所述第二电源还被配置为基于所述第二反馈温度控经由加热设备对加热板进行加热，其中穿过所述加热板形成基于所述晶片的翘曲来调节所述多个真空端口中热设备的与所述加热板的中心区域相对应的电力输出和所述加热设备的与所述加热板的加热设备的与所述加热板的中心区域相对应的电力输出的最大值和所述加热设备的与所述加热板的边缘区域相对应的电力输出的最大加热设备的与所述加热板的中心区域相对应的电力输出的最大值和所述加热设备的与所述加热板的边缘区域相对应的电力输出的最小加热设备的与所述加热板的中心区域相对应的电力输出的最小值和所述加热设备的与所述加热板的边缘区域相对应的电力输出的最大6[0002]本申请要求于2019年7月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-[0003]根据本申请的实施例的方法和装置涉及晶片加工装置和使用该晶片加工装置的[0005]一个或多个实施例提供了一种用于均匀地控制整个晶片的温度的晶片加工装置基于由所述多个温度传感器生成的第一测量值来生成用于控制所述第一电源的电力输出馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号生成用于控制电子压力调节器的压力的反馈压7于多个温度传感器的第二测量值来生成用于控制第二电源的第二电力输出的第二反馈温控制信号被配置为分别控制第一电子压力调节器和第二电子压力调节设备，被配置为分别测量所述第一电源的第一电力输出和所述第二电源的第二电力输出；第一电力输出和第二电力输出来生成用于控制电子压力调节器的压力的反馈压力控制信[0017]图6是示意性地示出了根据示例实施例的晶片加工装置中包括的加热板的顶视8[0019]图8A和图8B是示出了根据实施例的用于描述晶片的卡紧的加热板的顶表面的平[0028]在晶片W被装载在晶片加工装置100a中并由加热板110支撑时要对晶片W执行的工体器件制造工艺期间支撑晶片W并保持晶片W的温度的卡紧设备，其中晶片W的温度必须保CH2F232342344F862和COS中的至少一个作为9[0034]多个支撑销115可以布置在加热板110的顶表面上。多个支撑销115可以支撑布置117可以将不同的热输出提供到加热板110的不同部分上。即使当加热板110的一个区域具113可以布置在加热板110的顶表面或底表面上。温度传感器113可以检测加热板110的温[0039]第一温度控制器121和第二温度控制器123可以通过接收第一温度控制命令TCC1和第二温度控制命令TCC2根据工艺配方来生成用于控制第一电源131和第二电源133的电[0040]第一温度控制器121和第二温度控制器123可以从温度传感器113接收作为温度测图2A）处的温度传感器113测量的温度，且第二温度T2可以是由与加热板110的边缘区域ER[0041]第一温度控制器121和第二温度控制器123可以基于第一温度T1和第二温度T2来[0042]第一反馈温度控制信号FTCS1和第二反馈温度控制信号FTCS2可以是基于第一温第二温度T2高于根据工艺配方的温度时，第二温度控制器123可以生成第二反馈温度控制[0043]第一电源131和第二电源133可以根据第一温度控制信号TCS1和第二温度控制信以将电力输出提供给加热设备117。第一电源131可以将电力输出传输到加热设备117的与[0044]晶片卡紧控制器140可以控制电子压力调节器150。晶片卡紧控制器140可以基于外部晶片卡紧命令WCC生成用于控制电子压力调节器150的压力控制信[0045]晶片卡紧控制器140可以基于第一反馈温度控制信号FCS1和第二反馈温度控制信反馈温度控制信号FTCS1和第二温度控制信号FTCS2来执行特定计算。晶片卡紧控制器140制器140可以基于以上计算的结果来生成反馈压力控制信号FPCS，而无需确定晶片W的翘[0047]当根据现有技术的晶片加工装置通过使用真空压力法固定晶片W时，晶片加工装[0048]根据一个或多个实施例，可以基于第一反馈温度控制信号FTCS1和第二反馈温度控制信号FTCS2来确定晶片W是否具有翘曲和翘曲度，并且可以基于所确定的晶片W的翘曲真空压力可以是用于固定晶片W的最小压力和用于减小晶片W的翘曲并均匀地加工晶片W的[0049]第一温度控制器121和第二温度控制器123以及晶片卡紧控制器140可以包括硬[0050]例如，第一温度控制器121和第二温度控制器123以及晶片卡紧控制器140可以包专用硬件或固件的处理器。第一温度控制器121和第二温度控制器123以及晶片卡紧控制器140可以包括通用计算机或专用硬件，例如数字信号处理器（DSP）、现场可编程门阵列140的操作可以通过使用可以由一个或多个处理器读取和执行并存储在计算机可读记录介形式存储和/或传输信息的某些机制。例如，计算机可读记录介质可以包括只读存储器第二电源133的电力输出通过该路径被提[0059]晶片卡紧控制器140可以基于第一电力输出O1和第二电力输出O2生成反馈压力控行特定计算，然后可以基于计算结果生成用于控制电子压力调节器150的反馈压力控制信[0063]过程控制器120可以包括各种类型的计算设备或处理器设备，如上面在图1A中关于第一温度控制器121和第二温度控制器123以及晶片卡紧控制器140所描述的。过程控制器120可以包括用于控制加热板110的温度并控制电子压力调节器150的压力输出的软件生成第一温度控制信号TCS1和第二温度控制信号TCS2以及压力控110的温度的第一反馈温度控制信号FTCS1和第二反馈温度控制信号FTCS2；并分别向第一馈温度控制信号FTCS2生成用于控制电子压力调节器150的反馈压力控制信号F命令TCC1和第二温度控制命令TCC2根据工艺配方来分别生成第一温度控制信号TCS1和第[0074]基于接收到的第一温度控制信号TSC1和第二温度控制信号TSC2，第一电源131和第二电源133可以对加热板110进行加热以在加热板110的整个表面上[0075]图4是示出了根据实施例的用于描述晶片加工方法的实验示例的结果的曲线图。热板110的边缘区域ER与晶片W之间的距离大于加热板110的中心区域CR与晶片W之间的距[0081]与装载平坦晶片的第一时间点t1相比，第二时间点t2示出了紧接着装载晶片W之表1示出了布置在中心区域CR、中间区域MR和边缘区域ER中的温度传感器的测量值的最小[0086]紧接着装载平坦晶片W和具有翘曲的晶片W之后改变后的温度之比为约100.5%至[0088]操作P130可以与在操作P120中装载晶片W基本同时地执行，或者紧接着操作P120FTCS1和第二反馈温度控制信号FTCS2；以及基于第一反馈温度控制信号FTCS1和第二反馈温度控制信号FTCS2，将电力输出提供给加热设备117的与加热板110的不同区域相对应的[0091]下表2示出了紧接着第一时间点t1和第二时间点t2之后加热设备117的与加热板[0094]相较于紧接着装载没有翘曲的晶片W和具有翘曲的晶片W之后对于加热板110的中些实施例中，晶片卡紧控制器140可以计算具有翘曲的晶片B的中心-边缘电力输出差与没心-边缘电力输出差与平坦的晶片A的中心-边缘电力输出差之比可以为约232.2%，这指示[0097]在图2A至图2C中，将加热设备117的与中心区域CR相对应的电力输出中的最大电力输出和加热设备117的与边缘区域ER相对应的电力输出中的最大电力输出进行比较。然心区域CR相对应的电力输出中的最小电力输出和加热设备117的与边缘区域ER相对应的电制器140可以通过将加热设备117的与中心区域CR相对应的电力输出中的最大电力输出和[0099]在其他实施例中，当晶片卡紧控制器140确定晶片W具有晶片卡紧控制器140可以通过将加热设备117的与中心区域CR相对应的电力输出中的最小电力输出和加热设备117的与边缘区域ER相对应的电力输出中的最大电力输出进行比较，对应的电力输出的平均电力输出和加热设备117的与边缘区域ER相对应的电力输出的平均以通过将加热设备117的与中心区域CR相对应的电力输出的中值电力输出和加热设备117的与边缘区域ER相对应的电力输出的中值电力输出进行比较，来计算中心-边缘电力输出[0101]根据示例实施例，晶片卡紧控制器140可以基于第一反馈温度控制信号和第二反实施例中，晶片卡紧控制器140可以通过使用关于与当前正在加工的晶片W的中心-边缘电W的中心-边缘电力输出差和当前正在加工的晶片W的中心-边缘电力输出差之比有关的数[0102]晶片卡紧控制器140可以基于晶片W的翘曲来生成反馈压力控可以通过基于当前正在加工的晶片W的中心-边缘电力输出差使用关于与最佳压力控制信[0106]图6是根据示例实施例的包括在晶片加工装置200中的加热板210的示意性顶视[0109]温度传感器213、支撑销215和加热设备217可以分别与以上参照图1A描述的温度[0110]内真空端口211I和外真空端口211O可以形成在加热板210上。内真空端口211I和对应的第一电源131的电力输出的信号。第二温度控制信号TCS2可以是用于控制与加热板用于控制与加热板210的中间区域MR相对应的第三电源135的电力输[0112]第一电源131至第三电源135可以分别响应于第一温度控制信号至第三温度控制[0114]第一温度控制器121至第三温度控制器125可以分别读取关于第一温度至第三温[0115]晶片卡紧控制器140可以基于晶片卡紧命令WCC来生成第一压力控制信号PCS1和第二压力控制信号PCS2。第一电子压力调节器151可以基于第一压力控制信号PCS1来调节内真空端口211I的真空压力。第二电子压力调节器153可以基于第二压力控制信号PCS2来[0116]晶片卡紧控制器140可以基于第一反馈温度控制信号至第三反馈温度控制信号晶片卡紧控制器140可以基于第一反馈温度控制信号至第三反馈温度控制信号FTCS1、佳真空压力来卡紧晶片W。第一电子压力调节器151和第二电子压力调节器153可以分别基于第一反馈压力信号FPCS1和第二反馈压力信号FPCS2来分别调节内真空端口211I的压力[0117]图5和图6示出了设置两个电子压力调节器以分别调节内真空端口211I的压力和[0122]操作P230可以与操作P220中装载晶片W基本同时地执行，或者紧接着操作P220中热设备217的与加热板210的不同区域相[0125]在一些实施例中，晶片卡紧控制器140可以将加热设备217的分别与加热板210的是紧接着将没有翘曲的晶片W装载到加热板210上之后加热设备217的分别与加热板210的[0126]在一些实施例中，晶片卡紧控制器140可以基于加热设备217的分别与加热板210的分别对应于加热板210的中心区域CR、边缘区域ER和中间区域MR的电力输出之差有关的[0128]晶片卡紧控制器140可以基于晶片W的三维形状来生成第一反馈压力控制信号FPCS1和第二反馈压力控制信号FPCS2。基于第一反馈压力控制信号FPCS1和第二反馈压力[0130]图8A和图8B是示出了根据实施例的用于描述晶片W的卡紧的加热板110的顶表面[0131]图8A和图8B中的内真空端口211I和外真空端口211O中的通过使用相对粗的线指示的内真空端口211I和外真空端口211O指示基于反馈压力控制信号FPCS1和FPCS2对其执真空端口211I和外真空端口211O指示基于反馈压力控制信号FPCS1和FPCS2对其执行控制[0132]可以顺序地执行基于第一反馈压力控制信号FPCS1和第二反馈压力控制信号在基于第一反馈压力控制信号FPCS1控制内真空端口211I以接收最佳真空压力之后，如图[0138]压力阀350可以连接到诸如真空泵的外部设备，并且由真空泵产生的真空压力可[0139]温度控制器320可以根据工艺配方基于晶片加工命令WPC来生成用于分别控制第一电源131和第二电源133的第一温度控制信号TCS1和第二温度控制340可以基于晶片W的翘曲度来生成第一基于翘曲的温度控制信号WBTCS1和第二基于翘曲控制器320可以生成用于控制第一电源131和第二电源133输出相对较低的电力输出的信[0144]因此，晶片W可以生成第一基于翘曲的温度控制信号WBTCS1和第二基于翘曲的温相对应的部分的电力输出大于被传输到加热设备117的与加热板110的中心区域CR（见图加热设备1