CN112420506B 基板处理方法和基板处理系统 （东京毅力科创株式会社）

JP2018147908A,2018.09.202在所述一面的湿蚀刻过程中，基于测量出的所述厚度的面内分所述一面的湿蚀刻利用自喷雾喷嘴对所述基板喷射的蚀所述一面的蚀刻量由来自于所述喷雾喷嘴的所述蚀刻液的喷射时间和喷射量在所述一面的湿蚀刻过程中，同时对所述另一面供给将所所述基板的在所述一面湿蚀刻后的厚度比所述目所述另一面的湿蚀刻利用自层流喷嘴对所述基板供给的蚀所述控制部控制所述蚀刻部的动作以进行如基于测量出的所述厚度的面内分布，对所述一面进行湿蚀刻，以使在将所述基板翻转之后，对所述基板的另一面进行湿蚀3所述蚀刻部具备对所述基板的一面喷射蚀刻所述控制部控制所述蚀刻液对所述一面喷射的喷射时所述控制部控制所述蚀刻部的动作，以使所述基板的在所述一面湿蚀所述蚀刻部具备温度调节液喷嘴，该温度调节液喷嘴在对所述一所述控制部控制所述蚀刻部的动作，以利用所述温度调节液将所述基所述控制部将一个基板的所述厚度测量部的测量结果对下一个基板的所述磨削部的4[0002]在专利文献1中公开有对硅单晶铸锭进行切片而得到晶圆的蚀刻方法。在该蚀刻5[0019]本发明的技术适当地进行对基板的湿蚀刻，适当地使基板厚度的面内均匀性提[0022]如图1所示，晶圆处理系统1具有将送入送出站2和处理站3连接为一体而成的结[0024]在送入送出站2，晶圆输送区域20以与盒载置台10相邻的方式设于该盒载置台10于盒载置台10的盒C和后述的传送装置30[0027]在第1处理模块G1设有作为蚀刻部的蚀刻装置40、清洗装置41以及晶圆输送装置[0028]蚀刻装置40对切割面即晶圆W的表面Wa和背面Wb进行蚀刻。例如对表面Wa或背面Wb供给蚀刻液(化学溶液)，对该表面Wa或背面Wb进行湿蚀刻。对于蚀刻液，例如使用HF、3PO4[0029]清洗装置41对在后述的加工装置80进行了磨削处理的晶圆W的磨削面进行清洗。6理模块G1以及第2处理模块G2的各处理装置输送[0031]在第2处理模块G2设有用于交接晶圆W的传送装置60、用于翻转晶圆W的表背面的能够相对于第1处理模块G1～第3处理模块G3的各处理[0034]旋转台81构成为利用旋转机构(未图示)以铅垂的旋转中心线84为中心旋转自在旋转台81上设有四个对晶圆W进行吸附保持的卡盘85。卡盘85在与旋转台81相同的圆周[0035]交接位置A0为旋转台81的靠第2处理模块G2侧(X轴负方向侧且Y轴负方向侧)的位[0038]厚度测量部86测量磨削处理后的晶圆W的厚度的面内分布。所测量的厚度的面内7[0039]在以上的晶圆处理系统1设有作为控制部的控制装置90。控制装置90是例如具备下表面连接有排出回收了的液体的排出管121和对杯120内的气氛进行真空抽吸而排气的[0047]二流体喷嘴131与对晶圆W供给蚀刻液的蚀刻液供给管133以及供给气体的气体供给管134连接。来自蚀刻液供给管133的蚀刻液和来自气体供给管134的气体在二流体喷嘴[0049]气体供给管134与内部储存有气体、例如氮气等非活性气体的气体供给源136连[0050]二流体喷嘴131构成为通过控制蚀刻液和气体的供给量而能够对晶圆W将蚀刻液8[0053]蚀刻液喷嘴141经由对晶圆W供给蚀刻液的蚀刻液供给管145与蚀刻液供给源146[0054]蚀刻液喷嘴141对晶圆W呈层流状供给蚀刻液，从而均匀地对晶圆W的蚀刻面进行[0055]冲洗液喷嘴142经由对晶圆W供给冲洗液的冲洗液供给管147与冲洗液供给源148[0057]气体喷嘴143经由对晶圆W供给气体、例如氮气等非活性气体的气体供给管149与[0060]在基座111的下方设有向保持于保持机构110的晶圆W的与穿旋转机构113的内部，在与下表面侧喷嘴160相反的一侧分支为清洗液供给管162和冲洗[0063]清洗液供给管162对吸附面(与加工装置80进行磨削的磨削面相反的面)供给清洗也可以使冲洗液供给管163与冲洗液供给源[0067]在供给管161设有控制自下表面侧喷嘴160供给来的清洗液和冲洗液的温度的温9述那样构成的晶圆处理系统1和蚀刻装置40进行的晶圆处理(f)所示，利用蚀刻液对晶圆W的作为本实施方式的一面的背面Wb进行湿蚀刻(图6的步骤130的二流体喷嘴131沿径向水平移动，从而选择性地对晶圆W的背面Wb的任意的位置进行[0085]如此，在本实施方式中，采用喷雾喷嘴(二流体喷嘴131)来作为供给蚀刻液的喷的湿蚀刻以外，还利用蚀刻液对晶圆W的面内的任意的蚀刻对象区域冲击时的压力(冲击如，也可以将图1所示的加工装置80的交接位置A0和加工位置A2之间的位置作为测量位置表面Wa进行磨削的表面磨削单元设于加工位置A1，将用于对晶圆W的背面Wb进行磨削的背