CN112578631B 图案检查方法、光掩模检查装置、光掩模的制造方法 （Hoya株式会社）

定且高精度地进行线宽测量。向检查区域照射到包含第1透射控制部和第2透射控制部的边界部分即第1边界、以及第2透射控制部和第3透射控制部的边界部分即第2边界的区域的光强度变合到模型函数；以及根据拟合的结果求出第2透21.一种图案检查方法，检查在透明基板上具有转印用图案的光掩模的所述转印用图微分处理工序，通过对根据所述光强度分布数据求出的光强度分布曲线进行微分处2透射控制部和所述第3透射控制部的边界部分即第2边界的区域的光强根据所述拟合的结果求出所述第2透射控制部的尺所述第1透射控制部构成使所述透明基板露出而成所述第2透射控制部构成在所述透明基板上形成半透光膜而成的所述第3透射控制部构成在所述透明基板上至少形成遮光膜而成曲线与所述光强度变化曲线的差值成为最小，其中所述合成曲线是将从所述第1模型函数得到的第1模型曲线和从所述第2模型函数得到的第2模型曲线合成而根据所述第1模型曲线的峰值位置和所述第2模型曲线的峰值位置，求出所述第2透射12.一种光掩模检查装置，其检查在透明基板上具有转印用图案的光掩模的所述转印3所述模型函数包括与所述第1边界对应的第1模型函数、和与所述第2边界所述运算单元进行拟合，使得合成曲线与所述光强度变化曲线的差值成所述合成曲线是将从所述第1模型函数得到的第1模型曲线和从所述第2模型函数得到的第4制造方法。特别是，本发明是用于制造电子器件的光掩模，特别是适合于显示装置(例如[0011]在生产光掩模时，进行确认是否满足根据该光掩模的用途而确定的规格的检系统的分辨率，其质量(信息量)发生变化，但在显示装置制造用的光掩模的CD(Critical5[0015]这样，作为图案线宽测量的方法，已知使用利用了电子束的CD-SEM(Critical应用了扫描型电子显微镜(SEM)的测量装置，主要用于测量在半导体晶片上形成的图案或用于制造该图案的光掩模(光罩(Reticle))的微细图案的线宽。该测量装置具有能够精密[0019]在专利文献3中记载了一种光掩模(透射辅助掩模)，其具有线和间隔图案(Line结构。这里，遮光部31的宽度为1.5μm，与遮光部3162透射控制部和所述第3透射控制部的边界部分即第2边界的区域的光强[0049]所述模型函数包括与所述第1边界对应的第1模型函数、和与所述第2边界对应的小，其中所述合成曲线是将从所述第1模型函数得到的第1模型曲线和从所述第2模型函数[0058]根据所述第1模型曲线的峰值位置和所述第2模型曲线的峰值位置，求出所述第27度分布数据求出的光强度分布曲线进行微分处理而得到的光强度变化曲线拟合到模型函[0074]所述模型函数包括与所述第1透射控制部和所述第2透射控制部的边界部分即第1[0075]所述运算单元进行拟合，使得合成曲线与所述光强度变其中所述合成曲线是将从所述第1模型函数得到的第1模型曲线和从所述第2模型函数得到[0078]图1是专利文献3中记载的具有线和间隔图案作为转印用图案的光掩模(透射辅助[0080]图3是表示将与图2相同的转印用图案的检查区域作为基于FIB(FocusedIon[0082]图5是表示求出转印用图案中包含的检查区域的第2透射控制部(半透光部)的线8[0083]图6是表示通过具有卤素灯作为光源的光学式线宽测量装置对基准掩模的包含转印用图案的参照区域的区域照射光，使用将摄像元件作为CCD的显微镜得到的透射光图像[0084]图7是示出以曲线表示根据使用5种基准掩模得到的透射光图像而得到的参照区[0089]图12是表示通过具有卤素灯作为光源的光学式线宽测量装置对检查对象光掩模的包含转印用图案的检查区域的区域照射光，并使用将摄像元件作为CCD的显微镜而得到[0095]显示装置用光掩模随着显示装置的高精细化，微细图案的导入有日益发展的趋[0096]显示装置的布线图案的微细化不仅提高画面的亮度和反[0097]根据专利文献3，记载了在具有由遮光部和透光部构成的线和间隔图案的二元掩9包围的(A)相当的部分作为检查区域，使用卤素灯对该区域照射检查光(波长λ=400~焦离子束)修正装置的二次电子图像而得到的(参考例2)。FIB修正装置将从镓等离子源得中的(A)部分的透射光图像得到的光强度分布在理论上可以认为形成图4的(a)的虚线所示该光强度急剧地变化的部位是透光部和半透光部的边界、或者半透光部和遮光部的边界，[0113]图4的(b)是通过描绘对图4的(a)的实线所示的曲线进行微分处理后的值的绝对控制部、对于曝光用光具有透射率T2(％)的第2透射控制部和对于曝光用光具有透射率T3透射控制部的一个边缘与第1透射控制部相邻，并且第2透射控制部的另一个边缘与第3透[0121]遮光膜可以在其表面侧(与透明基板相反的一侧)的表层具有防反射层等功能的相移量p优选为更优选为5sps60,进一步优选为5sps45。通过使半透光部的相使用。控制部和所述第3透射控制部的边界部分的第2边界的区域中的光强度变化曲线的微分工[0133]图5表示求出转印用图案中包含的检查区域的第2透射控制部(半透光部)的线宽具有包含有半透光部(第2透射控制部)和遮光部(第3透射控制部)相邻的部分的转印用图部)、半透光部(第2透射控制部)以及遮光部(第3透射控制部)按该顺序排列的区域作为参射控制部)相邻的部分的区域作为第1参照区域，将包含半透光部(第2透射控制部)和遮光部(第3透射控制部)相邻的部分的区域作为第2参照区域，针对这2个参照区域分别取得后[0142]根据使用上述5种基准掩模得到的透射光图像，得到参照区域的光强度分布数据[0143]例如，在上述(1)中得到的透射光图像的参照区域内画出与透光部和半透光部之作图7那样的光强度分布曲线。用于获得光强度的该直线可以设定在参照区域内的任意位[0144](3)生成透光部-半透光部的第1边界、以及半透光部-遮光部的第2边界的光强度[0145]对在上述(2)中得到的光强度分布曲线(或者光强度分布数据)进行一次微分处第2边界部分的作为与半透光部的透射率T2对应[0162]通过具有卤素灯作为光源的光学式线宽测量装置对检查对象掩模的包含转印用图案的检查区域的区域照射光，使用将摄像元件作为CCD的显微镜，得到透射光图像(图模的检查区域中透光部和半透光部的边界(第1边界)、以及半透光部和遮光部的边界(第2转印用图案包括与遮光部的第1边缘相邻的第1半透光部和与遮光部的第2边缘相邻的第2[0165]与上述(2)的基准掩模的光强度分布曲线的生成同样，在取得的检查对象掩模的透射光图像中，在检查区域内的任意位置引出与半透光部的宽度方向平行的直线(图12的选择在上述(5)中求出的透光部和半透光部的第1边界的模型函数(透光部-半透光部的模线(第1模型曲线)以及半透光部-遮光部的模型函数(第2模型函数)表示的曲线(第2模型曲[0172]如图12所示，本实施方式的检查对象掩模的检查区域包含2个半透光部(第1半透[0176](峰值间的像素数)＝|(透光部－半透光部的模型函数的峰值位置)－(半透光对从该光强度分布数据求出的光强度分布曲线进行微分处理而得到的光强度变化曲线拟[0182]上述光掩模的检查装置可包括模型函数保持单元，该模型函数保持单元将第2透[0184]运算单元可以根据所输入的一次函数和第2透射控制部对检查光的透射率，来计[0188]例如，在第1透射控制部与第2透射控制部的光的透射率差(T1(％)－T2(％)的绝的光的透射率差(T2(％)-T3(％)的绝对值)满足0<|T2(％)－T3(％)|≤30(点)的情况下，在遮光膜上形成有光致抗蚀剂膜。这里的光掩模坯体也可以是遮光膜和/或半透光膜的一[0202]上述光掩模例如可以用于在被转印体上形成线宽和/或间隔宽度小于3μm的线和[0204]本发明包括使用通过上述本发明的制造方法制造的光掩模的显示装置的制造方[0205]作为将利用本发明的光掩模的制造方法制造的光掩模所具备的转印用图案转印或FPD用等的显示装置用曝光装置的等倍的投影曝光装置或接近式曝光装置。除了上述显[0208]以上具体说明了本发明的实施方式，但本发明的技术范射控制部和第3透射控制部形成的转印图案中存在两种透射率。即使在存在两种透射率的[0210]具体而言，第2透射控制部与第3透射控制部的边界部分即第2边界的光强度变化