CN112631089B 基板处理方法以及基板处理装置 （株式会社斯库林集团）

US2010055915A1,2010JP2002053312A,2002本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以2在基板上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至照射所述等离子体的工序包括：通过向气氛中的第一电极基板的半径方向的位置的整体而延伸的所述等照射所述等离子体的工序在开始供给所述处理液的工序之后且停止供给所述处理液照射所述等离子体的工序在停止供给所述处液体供给部，向所述基板上供给所述处理液以在所述基板上形成所述处理液的液膜；所述等离子体源具有：第一电极及第二电极；以及用所述等离子体源静态地保持所述等离子体源的周围的气氛，并且通过所述等离子体源构成为能够在对所述基板的旋转而言的半径方所述等离子体源产生遍及所述基板的半径方向的位置的整体而延伸的3液体供给部，向所述基板上供给所述处理液以在所述基板上形成所述处理液的液膜；4[0003]另一方面，在日本专利特开2002-53312号公报(专利文献1)所公开的抗蚀剂除去包括使所述等离子体的位置在所述基板的旋转的使用遍及所述基板的半径方向的位置的整体而延伸的所述5射所述等离子体的工序包括向所述基板吹附等离子体射所述等离子体的工序包括静态地保持所述等离子体中的6[0045]图4是概略性地说明图1的基板处理装置所具有的液体供给部及等离子体源的配7[0048]图7是以与图5相对应的视场概略性地表示本发明的实施方式2中的基板处理装置[0050]图9是概略性地说明本发明的实施方式3的基板处理装置所具有的液体供给部及[0053]图12是以与图5相对应的视场概略性地表示本发明的实施方式4中的基板处理装8[0101]图1是概略性地表示本实施方式1的基板处理系统100的结构的例子的平面图。基载置部PS以及中心机器人CR作为在各处理单元UT与装载埠LP之间搬送基板SB的搬送机构[0103]未处理的基板SB由分度器机器人IR从载体C取出，经由基板载置部PS传递至中心9灯等构成，在CPU91的控制下显示各种信息。通信部98具有经由局域网(LocalArea的各装置的控制的多个模式。通过CPU91执行处理程序94P来选择上述多种模式中的一个具有绝缘包覆部36。配管33包括从气体送出部39接受气体的供给的气体入口(图5中的上[0117]所述照射伴随着基板SB的旋转，同时使用在对基板SB的旋转而言的周向DP(图4)进行一边供给处理液一边照射等离子体PL[0127]等离子体源30包括配置在气体的配管33中的第一电极31及配置在配管33外的第[0132]图7是以与图5对应的视场概略性地表示本实施方式2中的基板处理装置102的结电极31A的面积可为配管33的内部空间的面积的一半以上。第二电极32A配置在配管33外，够生成从第一电极31A向处理液的液膜LQ延伸的等离[0137]图9是概略性地说明本实施方式3的基板处理装置103所具有的液体喷嘴20B及等离子体源30B的配置的平面图。液体喷嘴20B及等离子体源30B分别代替液体喷嘴20及等离部分配置在液体喷嘴20B中。绝缘包覆部36B以隔开产生等离子体PL的空间与第一电极31B[0139]等离子体源30B构成为能够产成遍及基板SB的半径方向DR(图9)的位置的整体而(图9)的位置的整体而延伸，更优选为第一电极31B遍及基板SB的半径方向DR(图9)的位置[0141]使用了基板处理装置103的基板处理方法中的等离子体照射伴随着基板SB的旋[0143]根据本实施方式，使用遍及半径方向DR(图9)的位置的整体而延伸的等离子体PL[0145]图12是以与图5对应的视场概略性地表示本实施方式4中的基板处理装置104的结[0146]基板处理装置104具有等离子体源30C来代替等离子体源30(图5及图6：实施方式一面)及上表面F2(与第一面相反的第二面)。第一电极31C远离液膜LQ而配置在下表面F1等离子体PL的空间与第一电极31C之间的方式包覆第一电极31C。绝缘包覆部37C以隔开产生等离子体PL的空间与第二电极32C之间的方式包覆[0147]使用基板处理装置104的基板处理方法中的等离子体PL的生成通过使等离子体源气氛的略微的流动与所述实施方式1～所述实施方式3那样的用于生成等离子体射流的流态状态。本实施方式中的等离子体PL的照射一边静态地保持等离子体PL中的气氛一边进源30C可产生实质上覆盖基板SB的整个面的等离子体PL。在此种情况下，优选等离子体源[0150]根据本实施方式，能够在静态地保持等离子体PL中的气氛的同时产生等离子体