CN112864288B 发光二极管器件、制造其的方法和包括其的显示装置 （三星电子株式会社）

US2017373228A1,2017.12.28件包括具有核-壳结构的发光层、提供为覆盖第发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的2钝化层，提供为覆盖所述第一半导体层的顶表面的一部分和所述第二其中所述发光层通过形成在衬底上的膜材料层上而形成，在所3.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其中所述钝化层被提供为覆盖所述发光层4.根据权利要求3所述的发光二极管件，其中所述第一电极被提供为接触所述第一半6.根据权利要求4所述的发光二极管器件，其中所述第一半导体层的所述顶表面的所钝化层，提供为覆盖所述第一半导体层的顶表面的一部分和所述第二第二电极，提供在所述发光层的第二侧以接触所述第二半311.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述第一半导体层的所述顶表面的在所述钝化层中的开口处的第二部分包括用于改善光提取的凹凸结构。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述多个像素包括多个蓝色发光二极管器15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述多个像素中的一个或更多个第一像素通过在所述膜上依次沉积呈三维形状的第一半导体层、覆盖所述形成钝化层以覆盖所述发光层，所述钝化层覆盖所述第一半导体层的顶形成分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触的第一电极通过蚀刻所述钝化层，在所述发光层的顶表面的一部分处在所述钝化通过去除所述膜，在所述第一半导体层的底表面的一部分处在所述钝化4钝化层，提供为覆盖所述发光层，包括覆盖所述有源层的在所述第一的第一开口以及在所述第二半导体层的第一表面上的其中所述发光层通过形成在衬底上的膜材料层上而形成，在所22.根据权利要求21所述的发光二极管器件，其中所述多个突起通过一个或更多个膜5[0001]本公开涉及发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法以及包括该LED器件的部分在钝化层中的第一开口处，第二电极被提供为接触第二半导体层的底表面的第二部[0014]第一半导体层的顶表面的在钝化层中的开口处的第二部分可以包括用于改善光6[0018]所述多个像素中的一个或更多个第一像素还可以包括将蓝光转换成绿光的绿色转换层，所述多个像素中的一个或更多个第二像素还包括将蓝光转换成红光的红色转换[0019]根据本公开的一方面，提供了一种制造发光二极管(LED)器件的方法，该方法包分别与第一半导体层和第二半导体层接触的第一电极[0025]该LED器件还可以包括在第一半导体层的第一表面上在第一开口处形成的多个突7[0042]在所呈现的各个附图中显示的连接线或连接器旨在表示各个元件之间的示例性[0046]发光层110可以具有核-壳结构。核-壳结构可以意思是其中提供在外侧的壳包围层112相比拥有相对厚的厚度的三维(3D一半导体层111可以包括p型半导体。例如，第一半导体层111可以包括III-V族的n型半导8[0051]具有核-壳结构的发光层110可以如下所述地通过借助金属有机化学气相沉积[0052]所述膜可以用作用于发光层110的生长的籽晶层。所述膜可以与在所述膜上生长被提供为覆盖发光层的除了第一半导体层111的顶表面的部分111a和第二半导体层112的第一半导体层111的顶表面的部分111a通过不被钝化层1[0055]第一电极130可以包括透明电极。当第一半导体层111包括例如n型氮化物半导体[0057]第二电极140可以包括反射电极。当第二半导体层112包括例如p型氮化物半导体[0058]根据一示例实施方式，在向如上所述地构造的LED器件100中的第一电极130和第9间隔开且在其间具有空腔，从而减小可能在发光层110中产生的应力并因而形成具有低缺被提供为覆盖发光层210的除了第一半导体层211的顶表面的部分和第二半导体层212的底[0064]第一半导体层211的顶表面的通过钝化层120敞开的所述部分可以包括凹凸结构[0065]根据该示例实施方式，通过在第一半导体层211的顶表面的所述部分上形成凹凸提供为覆盖有源层313的第二半导体层3被提供为覆盖发光层的除了第一半导体层311的顶表面的部分和第二半导体层312的底表面的部分以外的表面。在第一半导体层311的顶表面的通过钝化层120敞开的所述部分上，[0069]第一半导体层311的顶表面的在膜150之间敞开的所述部分可以包括凹凸结构作第三LED器件可以包括根据上述实施方式的LED器件100、LED器件200和LED器件300中的任素和红色像素时，第一像素1151、第二像素1152和第三像素1153可以分别包括蓝色LED器为红色像素的第三像素1153还可以包括将紫外线转换成红452'可以在随后的工艺中与衬底450一起在其间限定空腔(图7的453)，并且可以在牺牲图案451不变形的温度范围内形成。膜材料层452'可以形成至一厚度，使得在去除牺牲图案的腿部可以提供在空腔453的相反两侧以接触氧化铝时那样具有彼此相同的组成时，膜452可以通过借助在约1000℃的热处理使膜材料[0084]通过晶化形成的膜452可以以包括大颗粒的多晶形式或以单晶形式形成。在随后导体层411、有源层413和第二半导体层412。更具体地，可以通过有机金属CVD(金属有机通过调节生长时间，第一半导体层411可以在空腔453上的膜452上以具有相对厚的厚度的[0093]在该示例实施方式中，由于在衬底450与发光层410之间存在空腔453，不管衬底450与发光层410之间在热膨胀系数方面的差异如何，应力能也可以通过空腔453的变形被以通过使用例如原子层沉积(ALD)或CVD在发光层410的表面上沉积例如硅氧化物或硅氮化[0096]参照图11，光致抗蚀剂460形成在衬底450上并被图案化以使钝化层420的顶部敞开。然后，第二电极440可以形成在钝化层420上以接触第二半导体层412的敞开的部分第二电极440可以包括p型电极。第二电极440可以通过经由使用例如电子束沉积等在钝化[0100]参照图15，第一电极430可以形成在钝化层420的底表面上以接触第一半导体层可以通过经由使用例如电子束沉积等在钝化层420的底表面上沉积诸如ITO、IZO等的透明[0101]如上所述完成的LED器件400可以具有例如约100μm×100μm或更小的尺寸以及约[0103]根据另一示例实施方式，在如上所述在图14中形成第一半导体层411的敞开的部分411a之后，用于提高光提取效率的凹凸结构可以如图17所示地形成在第一半导体层411化钾(KOH)等湿蚀刻第一半导体层411的敞开的(例如暴露的)部在其间具有空腔453，从而可以制造具有低缺陷密度的高质量的LED器件400。由于发光层式中示出的特征对于需要在衬底450与发光层410之间的分离的应用领域(例如制造具有垂[0105]在下文中，将对制造具有比根据前述实施方式制造的LED器件400大的尺寸的LED[0106]图18至图28是用于描述根据另一示例实施方式的制造LED器件的方法的示图，图29是用于描述根据另一示例实施方式的制造LED器件的方法的示图，图30是用于描述根据另一示例实施方式的制造LED器件的方法的示图，图31是用于描述根据另一示例实施方式552具有与空腔553对应的多个突出部分。图20显示了形成与三个牺牲图案551对应的三个空腔553和膜552的三个突出部分的情况。通过晶化形成的膜552可以以包括大颗粒的多晶形成为覆盖第一半导体层511的顶表面和侧表面。可以在有源层513上生长第二半导体层[0115]膜552与在膜552上生长的发光层510一起可以减轻可能引起位错的应力，使得在[0117]参照图23，光致抗蚀剂560形成在衬底550上并被图案化以使钝化层520的顶部敞开。然后，第二电极540可以形成在钝化层520上以接触第二半导体层512的敞开的部分导体层511的底表面的在膜552之间的部分511除，第一半导体层511的底表面的部分511b可以敞开。分离构件570可以从第二电极540分[0120]参照图27，第一电极530可以形成在钝化层520的底表面上以接触第一半导体层[0121]在该示例实施方式中，可以通过使用具有多个突出部分的膜552来生长发光层膜552保持原样使得第一半导体层511的底表面的在膜552之间的部分511a敞开之后，第一电极530可以形成在钝化层520的底表面上以接触第一半导体层511的敞开的部分511a，从而制造LED器件500'。敞开的部分511b之后，用于提高光提取效率的凹凸结构可以形成在第一半导体层511的敞膜552保持原样使得第一半导体层511的底表面的在膜552之间的部分511a敞开之后，用于提高光提取效率的凹凸结构可以形成在第一半导体层511的敞开的部分511a中的每个上。[0127]本申请基于2019年11月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-