CN113053726B 膜形成方法和系统 （东京毅力科创株式会社）

US2007082468A1,2007.04.12本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如2将所述基板用氢等离子体进行处理的工序，其在所述用重氢等离子体4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜形成方法，其中处理的工序和所述用氢等离子体进行处理的工序中的至少任一者中供所述控制部构成为控制所述膜形成装置以通过执行包括如下工序的多次循环而在基将所述基板用氢等离子体进行处理的工序，其在所述用重氢等离子体3[0018]图7为示出将氮化硅膜曝露于D2等离子体和/或H2等离子体[0019]图8为示出能实施第1实施方式～第4实施方式的膜形成方法的膜形成装置的一例[0021]图10为示出基于模拟的H2等离子体和D2等离子体中所含的4以包括将处理容器内排气并抽真空的步骤而不向处理容5序S14可以包括将处理容器内排气并抽真空的步骤而理容器内排气并抽真空的步骤而不向处理容器[0042]根据本实施方式的膜形成方法，在供给原料气体的工序S11后执行用重氢等离子略进行吹扫的工序S12，在供给原料气体的工序S11后进行用氢等离子体进行处理的工序6[0047]根据本实施方式的膜形成方法，与第1实施方式的膜形成方法同样地在供给原料[0050]用氢等离子体进行处理的工序S31在用重氢等离子体进行处理的工序S13后进[0051]根据本实施方式的膜形成方法，与第1实施方式的膜形成方法同样地在供给原料[0055]根据本实施方式的膜形成方法，与第1实施方式的膜形成方法同样地在供给原料7和D自由基时的、键合于Si的Cl从SiNH2ClH2的离去的活化能。需要说明的是，作为基组2ClH2供给H自由基时的、键合于Si的Cl从SiNH2ClH2的离去的活化能生的表面反应进行说明。图7为示出将氮化硅膜曝露于D2等离子体和/或H2等离子体时的表而可以去除比使氮化硅膜仅暴露于H2等离子体时还多的[0066]图7的(c)示出将氮化硅膜曝露于H2等离子体、然后曝露于D28[0067]图7的(d)示出将氮化硅膜曝露于D2等离子体、然后曝露于H2D2等离子体中所含的D自由基从氮化硅2等离子体中所含的H自由基进一步从氮化硅膜的表面夺取H和Cl，[0070]图8为示出能实施第1实施方式～第4实施方式的膜形成方法的膜形成装置的一例[0071]立式热处理装置100具有下端呈开口的有顶的圆筒体状的处理容器1。处理容器1晶舟5中多级地载置有作为基板的多张(例如25～150张)的半导体晶圆(以下称为“晶圆[0073]晶舟5借助由石英形成的保温筒7被载置于台8上。台8被支撑于贯通使歧管3的下端的开口开闭的金属(不锈钢)制的盖体9的地支撑。在盖体9的周边部与歧管3的下端之间设有用于保持处理容器1内的气密性的密封93Si2Cl6)等SiHI3)等含有碘(I)的硅(Si)化合物、或例如二溴硅烷(DBS；SiH2Br2)、三溴硅烷(TBS；SiHBr3)等含有溴(Br)的硅(Si)[0079]气体供给管22其垂直部分设置于后述的等离子体生成空间。在气体供给管22借助气体配管从氮化气体供给源供给氮化气体。在气体配管上设有流量控制器和开关阀。氮气(N2肼(N2H4[0080]气体供给管23其垂直部分设置于后述的等离子体生成空间气体供给源的H2气体和来自重氢气体供给源的D2气体借助气体配管和气体供给管23被供给[0082]在处理容器1的侧壁的一部分形成有等离子体生成机构30。等离子体生成机构30[0084]等离子体分隔壁32气密地焊接于处理容器1的外壁。等离子体分隔壁32例如由石于排出氮化气体的气体供给管22和用于排出H2气体和D2气体的气体供给管23。需要说明的是，用于排出原料气体的气体供给管21被设置于沿着等离子体生成空间外的处理容器1的另外，从气体供给管23排出的H2气体和D2气体在施加了高频电力的等离子体生成空间内被[0088]在等离子体分隔壁32的外侧以覆盖该等离子体分隔壁32的方式安装有绝缘保护[0096]用软件ANSYSChemkin-Pro2019R2，通过PlasMaPSR(Perfectly[0104]图10为示出基于模拟的H2等离子体和D2等离子体中所含的高由等离子体中所含的自由基去除膜表面的杂质的[0112]如图12所示，可知即使等离子体生成空间的压力为300～2100[0114]接着，对于模拟条件A，评价使单位等离子体生成空间的气体流量在33.9~意气体流量，D/H也大于1。由该结果认为单位等离子体生成空间的气体流量为33.9~生成空间的气体流量，则D/H变高。由该结果认为越减小单位等离子体生成空间的气体流