CN113130381B 提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）

道78号（经营场所江阴市东盛西路9CN211088241U,2020.07.24提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识发明在去除第一掩膜层后在底部金属及其周围与焊垫周围的底部金属的表面之间的粗糙度差2于所述底部金属及其周围的所述基底上形成修复金属于所述修复金属层上形成第二掩膜层，所述第二述第二窗口对应位于所述底部金属上并显露所述修及去除所述第二掩膜层及所述焊垫周围的所述修复金属层，并于所述焊垫上制备金属括依次形成于所述第二窗口中所述底部金属表面的缓冲阻挡层9.根据权利要求1_8中任意一项所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在金属层的材料与所述底部金属的材料相同；所述修复金属层的厚度介于1000埃_8000埃之11.一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包3若干个焊垫，对应形成于各所述底部金属上，且所述焊垫的平若干个修复金属部，对应形成于所述底部金属与所述焊垫之间4进行大多数或全部的封装及测试程序，之后再进行切割(Singulation)制成单颗芯片垫与其周围的底部金属之间的辨识度较差难以有[0012]于所述修复金属层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗5[0033]图2显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中提供基底的结构示意[0034]图3显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成第一掩膜层的示[0035]图4显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成底部金属的示意6图5显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中去除第一掩膜层的示图6显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成修复金属层的示图7显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成第二掩膜层的示图9显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中去除第二掩膜层及部[0041]图10显示为本发明提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成金属线的示意7[0063]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘[0070]于所述修复金属层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗[0075]在一示例中，所述基底101包括支撑层101a、形成于所述支撑层101a上的剥离层所述剥离层101b可以在后续工艺中将所述支撑层101a及所述剥离层101b上方的结构进行8金属103形成在所述第一窗口102a所限定的所述基底101上，所述底部金属103的材料可以射工艺形成所述修复金属层104，溅射形成的材料层的平整度优于电镀形成的材料层的平掩膜层105包括定义焊垫106的第二窗口105a，所述第二窗口105a对应位于所述底部金属9[0084]去除所述第二掩膜层105之后，还包括去除所述焊垫106周围的所述修复金属层[0085]去除所述第二掩膜层105及部分所述修复金属层104之后，于所述焊垫106及所述的表面变得平坦，从而可以使得所述焊垫106的表面与所述焊垫106周围的所述底部金属除所修复金属层104及所述种子层中的所述