CN113178446B 半导体器件及方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2019287851A1,2019.0US2020035605A1,2020.极区域和栅极堆叠之上沉积第一ILD层；通过第一ILD层形成源极/漏极接触件；通过第一ILD层二侧壁，该第一侧壁位于源极/漏极接触件和第一ILD层的第一界面处，第二侧壁位于栅极接触件和第一ILD层的第二界面处；形成第一导电特征，该第一导电特征与源极/漏极接触件的第一2源极/漏极接触件，延伸穿过所述第一ILD层并部述源极/漏极接触件与所述源极/漏极区域和所述第一2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述源7.根据权利要求1所述的结构，其中，所3源极/漏极接触件，部分地延伸到所述第一ILD层中，所述源极/漏极接触件与所述源在所述源极/漏极区域和所述栅极堆叠之上沉积第二层间通过所述第一ILD层和所述第二ILD层形成源极/漏极接触件，所述源极/在所述第一ILD层中形成上部源极/漏极接触件，所述下部源极/漏极接触件具有与所形成第一导电特征，所述第一导电特征与所述源极/漏极接触件的所述第一侧壁和第4形成第二导电特征，所述第二导电特征与所述栅极接触件的所述暴露表面积和所述栅极接触件的暴露表面积增加100％至700％5伸穿过所述第一ILD层并部分地延伸到所述第二导电特征中，所述栅极接触件与所述栅极二导电特征，延伸穿过所述第一IMD层并部分地延伸到所述第一ILD层中；源极/漏极接触极区域和所述栅极堆叠之上沉积第一层间电介质ILD层；通过所述第一ILD层形成源极/漏导电特征与所述源极/漏极接触件的所述第一侧壁和第一顶表面实体接触；以及形成第二6[0020]下面的公开内容提供了用于实现本发明的不同特征的许多不同的实施例或示或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可能被相应地解释。7[0023]图1示出了根据一些实施例的三维视图中的简化鳍式场效应晶体管(FinFET)的示下面进一步讨论)位于源极/漏极区域70和/或栅极电极84之上，通过该一个或多个层间电介质(ILD)层形成到源极/漏极区域70和栅极电极[0026]图1进一步示出了若干参考横截面。横截面A-A沿着鳍52的纵轴，并且在例如栅极电极84的纵轴。横截面C-C垂直于横截面A-A，并且延伸通过FinFET的源极/漏极区域[0027]本文讨论的一些实施例是在使用后栅极(gate-last)工艺形成的FinFET的上下文区域50N可以与区域50实体分离，并且可以在区域50N和区域50P之间设置任何数量的器件8[0033]在衬底50之上并且在相邻的鳍52之间形成STI区域56。作为形成STI区域56的示且绝缘材料的其余部分形成STI区域56。绝缘材料被凹陷为使得区域50N和区域50P中的鳍52的上部从相邻的STI区域56之间突出。鳍52的暴露部分包括将作为所得FinFET的沟道区9用旋涂技术来形成光致抗蚀剂，并且可以使用可接受的光刻技术对光致抗蚀剂进行图案[0041]在图3中，在鳍52之上形成虚设电介质60，并在虚设电介质60之上形成虚设栅极[0043]图4A至图7B是根据一些实施例的FinFET的制造中的其他中间阶段的截面图。图且p型杂质可以是任何前面讨论的p型杂质。轻微掺杂的源极/漏极区域可以具有从约[0046]然而在鳍52中形成外延源极/漏极区域70。在鳍52中形成外使得每个虚设栅极62被设置在外延源极/漏极区域70的相应的相邻对之间。在一些实施例[0049]可以用掺杂剂注入外延源极/漏极区域70和/或鳍52以形成源极/漏极区域，类似可以具有约1019cm-3至约1021cm-3的范围内的杂质浓度。用于源极/漏极区域的n型和/或p型区域50P两者中形成外延源极/漏极区域70之后形成栅极种或多种)反应气体的干法蚀刻工艺，该反应气体选择性地蚀刻虚设栅极62而不蚀刻第一以去除栅极电极84的材料和栅极电介质82的多余部分，这些多余部分在第一ILD层74的顶表面之上。栅极电极84的材料和栅极电介质82的其余部分形成所得FinFET的栅极结构80。了第一区域50A(将在其中形成栅极接触件)和第二区域50B(在其中将形成源极/漏极接触域50A和第二区域50B可以各自包括n型器件和[0059]在形成第二ILD层90之后，形成延伸穿过第二ILD层90的源极/漏极接触件92和栅栅极接触件94连接到栅极电极84。栅极接触件94可以穿过栅极电极84之上的栅极掩模(如二ILD层90的电介质材料。利用高选择性蚀刻工艺来凹陷第二ILD层90可以使得接触件92、[0063]在图10中，在凹槽98中并且源极/漏极接触件92和栅极接触件94的暴露表面上形IMD层102和第二ILD层90之间形成蚀刻停止层。蚀刻停止层可以包括具有与IMD层102的材后，多余的扩散阻挡层和导电层材料可以通过诸如化学机械抛光(CMP)工艺之类的平坦化导电特征104A接触源极/漏极接触件92的顶表面和侧壁，并且导电特征104B接触栅极接触[0068]图11是根据一些其他实施例的FinFET的截面图。除了源极/漏极接触件包括下部源极/漏极接触件92A因此被布置在上部源极/漏极接触件92B和外延源极/漏极区域70之[0070]作为形成上部源极/漏极接触件92B的示例，在形成第二ILD层90之后，通过第二开口中形成上部源极/漏极接触件92B。上部源极/漏极接触件92B连接至下部源极/漏极接件92B和栅极接触件94可以在不同的工艺中形成，或者可以在同一工艺中形成。在形成之区域(例如，输入/输出区域)中的源极/漏极接触件可以是延伸穿过多个ILD层的连续导电触下部源极/漏极接触件92A的顶表面和侧壁之外，该实施例类似于关于图11描述的实施形成第二ILD层90之前使第一ILD层74凹陷来以这样的方式形成上部源极/漏极接触件92B，例，可以使用与参考图9所述的用于使第二ILD层90凹陷的工艺类似的工艺来使第一ILD层3和NH3的混合物、dHF酸等通过湿法或干法蚀刻来蚀刻第二ILD层90(没有等离子有与上部源极/漏极接触件92B接触的凸表面之外，该实施例类似于关于图14描述的实施例。可以通过在形成第二ILD层90之前使第一ILD层74凹陷来以这样的方式形成上部源极/接触件92A的导电材料之间具有低蚀刻选择性的蚀刻工艺)，这可以使第一ILD层74凹陷至17还示出了第一区域50A(将在其中形成栅极接触件)和第二区域50B(在其中将形成源极/盐酸(HCl)、过氧化氢(H2O2)和水(H2O)的混合物。食人鱼溶液是硫酸(H2SO4)和过氧化氢其持续时间在约3秒至约10秒的范围内，这可以将凹槽112形成为至少约2nm的深度D5，例这种蚀刻工艺可以产生第二ILD层90的电介质材料和接触件92、94的导电材料之间的高蚀的界面的表面积可以有助于减小接触件的电阻。由于导电特征104延伸穿过IMD层102并部实施例类似于关于图17所描述的实施例。下部源极/漏极接触件92A延伸穿过第一ILD层74管芯区域(例如，输入/输出区域)中的源极/漏极接触件可以是延伸穿过多个ILD层的连续分地延伸到第一ILD层74和下部源极/漏极接触件92A中之外，该实施例类似于关于图18描述的实施例。可以通过在形成第二ILD层90之前使下部源极/漏极接触件92A凹陷来以这样图12和图15描述的实施例类似的方式，在形成上部源极/漏极接触件92B之前使第一ILD层[0087]在该结构的一些实施例中，源极/漏极接触件具有与第一导电特征实体接触的第一些实施例中，源极/漏极接触件具有各自与第一导电特征实体接触的第一侧壁和第一平[0089]在该结构的一些实施例中，源极/漏极接触件具有与第一导电特征实体接触的第触件是部分地延伸到第一ILD层中并延伸穿过第二ILD层的连续导电特征。在一些实施例结构以实现本文介绍的实施例的相同目的和/或实现本文介绍的实施例的相同优点的基导电特征与所述栅极接触件的所述第二侧壁和第件的暴露表面积和所述栅极接触件的暴露表面积增加100％至700所述第一ILD层和所述第二ILD层形成连