CN113366615B 基板处理方法及基板处理装置 （株式会社斯库林集团）

2021.07.22PCT/JP2020/00250320WO2020/195081JA2020.10.01JP2001015473A,2001.01.19本发明提供一种能以简易的构成降低蚀刻的第1主面的整面带正电的第1混合浓度混合所2带电工序，使上述基板绕通过上述基板的中央部的旋转轴线而气体以能使上述基板的第1主面的整面带正电的第1混合浓度混合后的第1混合液供给至上蚀刻液供给工序，在上述带电工序之后或与上述带电工序并行上述第1混合浓度是基于上述基板上的带电该除电工序在上述蚀刻液供给工序之后，将添加气体的浓度高于上述第1混合浓度的该冲洗液供给工序在上述蚀刻液供给工序之后，将纯水、或上述第3混合浓度中的上述添加气体的浓度大于上述第1混合浓度中的上述添加气体在上述蚀刻液供给工序中，以上述第2旋转速度使上述基板旋转3混合液供给部，将使纯水与添加气体以能使保持于上述基板保持部的上述基板的第1主面的整面带正电的第1混合浓度混合后的第1混合液供给至上述基板，以使上述基板带蚀刻液供给部，对保持于上述基板保持部的上述基板的上述第1主面供给包含负离子4[0003]若对该基板的表面供给酸性或碱性的蚀刻液，则通过电双层使基板的表面带负[0010]因此，本申请的目的在于提供一种能以简易的构成降低蚀刻不良的产生率的技上述基板的第1主面的整面带正电的第1混合浓度混合所得的第1混合液供给至上述基板，5添加气体以与上述第1混合浓度不同的第3混合浓度混合所得的第3混合液供给至上述基板度中的上述添加气体的浓度大于上述第1混合浓度中的上述添加气[0021]基板处理方法的第10方式是如第1至第8中任一方式所述的上述基板的第1主面的整面带正电的第1混合浓度混合所得的第1混合液供给至上述基[0028]根据基板处理方法的第3方式，添加气体的浓度较高，故可快速地对基板进行除6的浓度大于带电工序中使用的第1混合液，故在冲洗液供给工序中，可一方面抑制基板带[0050]图1是概略地表示基板处理装置100的构成的一例的图。基板处理装置100对基板7[0051]基板处理装置100例如亦可通过蚀刻而去除基板W1的表面的金属膜或氧化膜来作槽的尺寸为小于10[nm](例如为23[nm])的情况下，因电双层引起的基板W1表面的带电个卡盘销212突出设置于旋转基座211的上表面。多个卡盘销212沿基板W1的周缘设置于呈8[0062]旋转机构22是使旋转卡盘21绕旋转轴线A1旋转的机构，包含旋转轴221与旋转马[0064]混合液供给部3对通过基板保持部2所保持的基板W1供给第1混合液，使基板W1带合部33可将纯水与二氧化碳以规定的第1[0069]若将该第1混合液在基板W1的旋转中供给至基板W1的下表面，则着落在基板W1下表面的中央部的第1混合液通过离心力而在基板W1的下表面的整面扩展，且自基板W1的周[0072]图3中，以实线的曲线表示对图4所示的基板W1的下表面供给纯水时的带电分时的电位分布。第2混合液是以二氧化碳的浓度高于第1混合浓度的第2混合浓度将纯水及9[0078]第1混合液的第1混合浓度可基于图3所示的基板W1上的带电分布而预先决定。较[0079]参照图1，蚀刻液供给部4对通过基板保持部2所保持的基板W1的上表面供给蚀刻双氧水(H2O2[0081]供给阀43设置于蚀刻液供给管42的中途，切换蚀刻液供给管42内的流路的开的上表面隔开间隔而对向。遮断板7的下表面形成为具有较基板W1的直径长的直径的大致[0087]第2冲洗液是挥发性较第1冲洗液高的冲洗液，例如为异丙醇(IPA，isopropyl[0089]喷嘴61连接于共通管62的一端。共通管62的另一端经由第1冲洗液供给管63连接其喷出口将第1冲洗液喷出至基板W1的上表面。来自第2冲洗液供给源68的第2冲洗液经由[0094]供给阀83设置于气体供给管82的中途，对气体供给管82内的流路的开闭进行切[0095]控制部5统括地控制基板处理装置100的整体。作为控制部5的硬件的构成与一般的计算机相同。即，控制部5具备进行各种运算处理的中央处理单元(CPU，CentralProcessingUnit)、存储基本程序的读取专用存储器即只读存储器(ROM，ReadOnlyMemory)、存储各种信息的读写自如的存储器即随机存取存储器(RAM，RandomAccessW1开始旋转。工序中的基板W1的旋转速度例如设定为10-1000[rpm]左右。[0099]着落在基板W1的下表面的中央部的第1混合液在基板W1下表面的整面扩展且自基[0105]自蚀刻液的供给开始起例如经过第2规定时间时，控制部5使蚀刻液供给部4停止[0106]接着，控制部5控制冲洗液供给部6而将第1冲洗液供给至基板W1的上表面(工序[0108]接着，控制部5控制冲洗液供给部6而使第2冲洗液供给至基板W1的上表面(工序[0117]基板保持部2亦能以基板W1的旋转速度在带电工序(工序S4)中高于蚀刻液供给工ω3使基板W1旋转。[0121]在图5的例中，控制部5在带电工序(工序S4)结束之后执行蚀刻液供给工序(工序序中的蚀刻液的供给朝基板W1的上表面进行，带电工序中的第1混合液的供给朝基板W2的