CN113451099B 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 （株式会社国际电气）

US2019198359A1,2019US2012118229A1,2012本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的用的第1处理容器和在正面侧设置的衬底的搬入气装置的外侧的侧面以与所述第1设备系统的外2第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器和在正面第1设备系统，其包含向所述第1处理容器内供给处理气体第1真空排气装置，其配置在所述第1处理组件的后方，对所述第1处理容器内进行排第1排气管，其使所述第1排气端口与所述第1增压泵的进气口之间大致直线地流体连所述第1真空排气装置的外侧的侧面以与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向外所述第1增压泵在所述进气口的下方具有与辅助排气装置连接的排气口，所述进气口所述第1排气管的一端经由可挠部连接于所述第1增压第2设备系统，其包含向所述第2处理容器内供给处理气体的第2真空排气装置，其以外侧的侧面与所述第2设备系统的各所述第2真空排气装置包含第2增压泵和承载所述第2增压泵的第2架台，所述第2真空排气装置与第2设备系统的背面接近配置，在与设置在所述第2处理容器的背面侧的第2排第1排气管在比设于所述搬送室的背面的维护口高的位置大致水平地配置，所述可挠部构成为能够安装将该可挠部的两端部之间进行固所述第1处理容器收容呈多层排列在第1衬底保持件上的多个衬底第2处理容器收容呈多层排列在第2衬底保持件上的多个衬底并进行热处理，在所述第1处所述第2排气端口靠下或靠上的位置具有能够将所述第2处理容器或所述第2衬底保持件向调节高度，所述第1架台及所述第2架台使各进气口的高度与对应的所述第1排气端口及所4.根据权利要求2或3所述的衬底处理装置，其中，所述衬底处理装置还具备第2排气3管，所述第2排气管使所述第2排气端口与所述第2增压泵的进气口之间大致直线地流体连所述第1压力调节部及所述第2压力调节部分别是能够以大于或等于所述第1排气管及面侧接近配置的第1设备系统所包含的第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体的的方式配置的第1真空排气装置的第1增压泵对所述第1处理容器内进行在所述排气的工序中，在与设置在所述第1处理容器的背面侧的所述第1增压泵在所述进气口的下方具有与辅助排气装置连接的排气口，所述进气口所述第1排气管的一端经由可挠部连接于所述第1增压泵的进气口，所述第1排气管使所述第1排气端口与所述第1增压泵的进气口之间大致直线地4[0001]本公开文本涉及在衬底上进行薄膜生成等处理的衬底处理装置及半导体器件的排气装置的外侧的侧面与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向5[0028]图13的(A)是示出未在连接部设有减振板的情况下的振动与频率的关系的曲线61，其作为半导体器件(器件)的制造方法中的制造工序的一个工序而实施热处理等衬底处2A及2B具有轮廓为大致长方体的框体或主体，各自的一侧面相互平行地密合或邻接配置。处理组件2A由第1处理炉4A(处理炉4A)及第1搬送室5A(搬送室5A)构成。处理组件2B由第2处理炉4B(处理炉4B)及第2搬送室5B(搬送室5B行晶片8移载的移载机9。在移载室11的正面侧连结收纳吊舱(前开式晶片盒)12的收纳室搬入搬出。另外，在收纳室13设有与移载室11的正面连接的FIMS(Front-opening为低于大气中的氧浓度。在移载室11的顶部设有向移载室11内供给洁净空气的清洁单元7[0067]处理组件2A及处理组件2B除了细微部分以外具备大致相同(面对称)的构成，因应管18A的外周的作为加热单元(加热机构)的第1加热器19A(加热器19A)。反应管18A由例[0069]衬底处理使用的气体由作为气体供给系统的第1气体供给机构23A向处理室21A内作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)26a及作为开闭阀的阀28a。气体供给管25a与贯通第1歧管27A(歧管27A)的侧壁的喷嘴29a连接。喷嘴29a在反应管18A内沿着上下方向竖立设置，形成有朝向在第1晶舟31A(晶舟31A)上保持的晶片8开口的多个供给[0072]圆筒形的歧管27A介由O型圈等密封构件与在反应管18A的下端开口部连结，并支经由检测处理室21A内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的第1压力传感器35A(压力传感器35A)和作为压力调节器(压力调节部)的第1流导可变阀36A连接有作为真空排气装张晶片8垂直地以架状支承。晶舟31A由贯通盖部32A及隔热部33A的第1旋转轴41A(旋转轴8面(搬送室5A的外侧侧面、与面向搬送室5B的侧面相反侧的侧面)设有第1清洁单元44A(清5A内的非活性气体通过第1排气部45A被从搬送室5A内排气，并再次从清洁单元44A向搬送导可变阀36A与对它们进行控制的控制器46连接。控制器46例如由具备CPU的微处理器(计46收纳在设置于衬底处理装置1的任意部位的控制箱(未件2A的背面中的处理组件2B侧及处理组件2B的背面中的处理组件9设备系统54A的内部以大致直线状大致水平地贯通，以连接排气端口30A和第1进气口56A。在排气端口30A与第1进气口56A彼此的延伸轴偏离的情况下，排气管34A能够平缓地弯曲。本例的排气管34A在从具有约100mm的公称直径的排气端口30A稍微向正后方延伸后，由朝61A的侧面下部并对气体进行排气的第1排气口62A、使转子59A的旋转轴57A旋转的马达放并根据膜种与大气、水分反应而产生HCl等危险性高的气体的情况下，也能够使进气口[0098]将闸阀15A打开，向晶舟31A搬送晶片8。在晶舟31A被装填多张晶片8(晶片填充)[0100]通过增压泵38A进行真空排气(减压排气)，以使处理室21A达到规定的压力(真空[0103]若处理室21A内的温度稳定为预先设定的处理温度，则向处理室21A内的晶片8供也可以从非活性气体供给部作为非活性气体向处理室21A内供给N2气体(非活性气体吹[0110]通过将进行上述4个工序的循环进行规定次数(1次以上)，从而能够在晶片8上形4B搬送并连续地进行例如退火等衬底处理。在处理炉4A中的晶片8的处理后连续地在处理[0114]气体A或气体B使用含硅气体，作为在晶片8上进行硅或硅化合物的成膜时的处理[0122]移载室11内的维护从在移载室11的前方且在未设有吊舱开启器的部分形成的维理装置1的两外侧侧面，从而能够将衬底处理装置1的背面的空间作为左右的处理组件2A、[0134]另外，图9示出具有1个处理组件2的衬底处理装置1。在该衬底处理装置1的情况[0135]在供给箱24的与搬送室5邻接一侧的相反侧邻接地配置有增压泵38。排气箱40与[0143]作为配管壳体的排气箱40A与增压泵38A邻接配置，处理炉4A与排气箱40A邻接配[0145]排气管34A的一端经由作为可挠部的波纹管74A而与增压泵38A的进气口56A连围绕配管彼此的连接部的周围的方式设置的弹[0148]波纹管70A为蛇腹构造，吸收并容许排气管34A相对于处理容器18A在周向及轴心的框架之间架设保持件92A。保持件92A能够承受在波纹管70A内变为真空时在其两端之间是可以包含为了固定排气管34A及分支排气管68A而朝向排气管34A朝向突出设置的多个[0150]排气管34A与分支排气管68A借助后述的安装金属件81A而与框架79A连接并支承气管34A与框架79A的连接部及分支排气管68A与框架79A的连接部分别在比波纹管74A及第[0153]在排气管34的外周面的规定位置形成有沿半径方向延伸的安装板82A。在安装板[0154]在安装板82A与安装面84A之间设有作为减振部的1张以上的减振板87A。减振板气管34A与框架79A连接时，以使螺栓86A与安装面84A的螺纹孔松动螺合的状态使螺栓86A覆盖减振板87A的长孔88A，然后一边将排气管34保持为适当的高度一边对螺栓86A进行紧[0155]减振板87A在将框架79A与排气管34A连接时被夹入设置在安装面84A(安装金属件排气管34的重量的其余部分能够由螺栓86A支承，但其很小，实质上减振板87承受全部载[0157]Ψ=ΔW/2W,ω1以相邻的振幅比定义。在对数衰减率小的情况(δ<0.01)下，δ≈2Ψ≈πη≈2π/Q的关系成边界的粘弹性体将振动转换为热并进行吸收缓[0163]镁合金等位错型的减振合金具有通过合金中的位错与杂质原子的相互作用而使[0164]孪晶型的减振合金具有由于为了缓和由热处理产生的马氏体而产生的滑动及孪[0165]图13的(A)是示出在框架79A与排气管34A的连接部未设有减振板87A的情况下的振动与频率的关系的曲线图，图13的(B)是示出在框架79A与排气管34A的连接部设有铁铝至排气管34A的振动在到达与框架79A的连接部时利用减振板87A衰减，因而在振动从增压[0173]衬底处理装置131也能够以与图14所示的配置(称为配置A)呈镜像关系的配置(称置131的处理组件2C后方的维护区域和配置B的衬底处理装置131的处理组件2C后方的维护[0174]图15和图16示出具有3个处理组件的变形例4的衬底处理装置141。3个处理组件形成用于将晶片8向单片腔室搬入搬出的空间。衬托器146一边载置晶片8一边在单片腔室处理组件2B进行氮化膜形成的连续处理中，在氮化膜形成之前介入利用处理组件142进行用于使单片腔室内产生等离子体的高频电力的高频电源148、包括用于将单片腔室及下部底处理装置141也可以是将图15所示的配置(称为配置A)和与其呈镜像关系的配置(称为配置B)的装置交替在横向排列。有微波发生器155、供给箱157、电源装置158和排气系统159。微波发生器155产生2.45~[0180]处理组件152以在空腔内将晶片8保持于1个或2个旋转的晶舟156上的状态，使空如，在晶片8上通过处理组件2A形成了膜A之后、通过处理组件2B进行膜B形成的连续处理[0181]处理组件152可搭载于设备系统143之上。设备系统143的底部具有万向脚轮等车第1设备系统和所述第2设备系统各自的外侧的侧面相比不向外侧突出的方