CN113471072B 新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法 （深圳大学）_第1页
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文档简介

本发明提供了一种新型GaN共源放大器的凹自支撑GaN衬底上生长外延结构，外延结构包括发明还提供一种新型GaN共源放大器。本制备方2在n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长外延结构，所述外延结构包括Ga在所述外延结构表面顺序镀上一个源极和一个漏__述外延结构表面顺序镀上一个源极和一个漏极和一个Vdd极在所述GaN外延结构的AlGaN势垒层表面沉积第一金属薄膜制作所述源极和所述漏极在所述GaN外延结构的AlGaN势垒层表面沉积第二金属薄膜制述在n型高掺杂自支撑GaN衬底生长外延结构采用有机化学气相沉积法在所述n型高掺杂自支撑GaN衬底上依次生长n+型GaN和n_型采用等离子体增强化学气相沉积方法或原子层沉积方法在所述n_型GaN表面沉积一层34[0001]本发明属于光通信技术领域，尤其涉及一种新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制场效应管)的放大和控制作用把电源的能量转换为与输入量成比例变[0005]本发明实施例提供一种新型GaN共源放大器及其凹槽刻蚀制备方法，旨在解决现[0007]在n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长外延结构，所述外延结构包括GaN缓冲层以及[0011]进一步的，所述在所述外延结构表面顺序镀上一个源极__[0016]在所述GaN外延结构的AlGaN势垒层表面沉积第一金属薄膜制作所述源极和两个5述金属薄膜为Ti/Al/Ni/Au以及Ti/Al/Pt/Au中[0020]采用有机化学气相沉积法在所述n型高掺杂自支撑GaN衬底上依次生长n+型GaN和__[0021]采用等离子体增强化学气相沉积方法或原子层沉积方法在所述GaN衬底表面沉积述n_型GaN的厚度为20～25μm，载流供一种新型GaN共源放大器所述新型GaN共源放大器由上述任一所述制备方[0025]本发明中新型GaN共源放大器的凹槽刻蚀制备方法，首先将n型高掺杂自支撑GaN6[0038]3.利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD)方法在GaN基器件述n_型GaN的厚度为20～25μm，载流7[0054]本发明中新型GaN共源放大器的凹槽刻蚀制备方法，首先将n型高掺杂自支撑GaN_[0057]步骤S50，将所述GaN外延结构的AlGaN势垒层和n型GaN层以干法刻蚀的方式刻_[0060]本发明中新型GaN共源放大器制备方法中新型GaN共源放大器的结构示意图如图5[0061]1、将n型高掺杂自支撑GaN衬底采用有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长出n+型GaN和n_型GaN。再采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD)方法在GaN层表面光刻添加部分阻挡层，再通过热蒸汽镀膜机镀上金属薄膜作器件的源极(S)和漏极[0066]在本实施例中，在GaN上表面顺序镀上一个源极和两个漏极的步骤之前，将所述__8

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