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文档简介
201810475509.X2018.05.17A,2017.12.01A,2017.09.19A,2017.09.08A,2016.07.20一种同步验证指纹信息的屏幕解锁的方法本发明提供了一种同步验证指纹信息的屏的指纹信息的匹配结果来确定是否完成屏幕解2所述显示单元包括显示像素,所述显示单元上设置有指纹识别区,所述传感单元用于获取所述显示像素发出光信号,所述光信号在所述透光盖板的上表面发生所述光线筛选组件对所述反射光信号进行过滤,筛选出符合预设角度范围内的光信所述传感单元接收所述光线筛选组件筛选出的所述光线筛选组件包括光学器件,所述光学器件用于对所述反射光信所述光线筛选组件对所述反射光信号进行过滤,筛选出符合预设角度范围内的光信所述光学胶对所述反射光信号中在所述光学胶的入射角大于第一临界角的反射光信所述反射光信号能够在所述光学胶表面发生全反射的临界所述光学器件对所述第一反射光信号中在所述光学器件表面的入射角小于第二临界3接收用户对指纹识别子区域的启动指令,开启所述指纹识别子区域的下方的传感单或者,接收用户对指纹识别子区域的关闭指令,关闭处理器根据所述传感单元接收的所述第二反射光信号生成生理特征识别影像信息并处理器对若干组单个显示像素或若干组显示像素阵列发出的光信号对应的第二反射所述传感单元用于接收用户在所述指纹识别区上的滑动轨迹,同步采所述显示像素用于发出光信号,所述光信号在所述透光盖板的上表面发所述光线筛选组件用于对所述反射光信号进行过滤,筛选出符合预设角4所述传感单元用于接收所述光线筛选组件筛选出的其中,所述光线筛选组件包括光学胶,所述光学胶用于对所所述光线筛选组件包括光学器件,所述光学器件用于对所述反射光信所述光线筛选组件用于对所述反射光信号进行过滤,筛选出符合预设角所述光学胶用于对所述反射光信号中在光学胶的入射角大于第一临界角的反射光信所述光学器件用于对所述第一反射光信号中在所述光学器件表面的入射角小于第二接收用户对指纹识别子区域的启动指令,开启所述指纹识别子区域的下方的传感单或者,接收用户对指纹识别子区域的关闭指令,关闭5所述处理器用于在所述触摸屏侦测到用户手指的触控信号时,发所述处理器用于对若干组单个显示像素或若干组显示像素阵列发出的光信号对应的6通过将用户输入的滑动轨迹与预先设置的滑动轨迹进行比对,若匹配则完成电子设备解或是混有碳纳米材料的有机化合物等等。由于光侦测二极管(PhotoDiode)的结构亦可采可直接与TFT集成并以TFT实现对光敏二极管进行扫描与驱动功能,因此近年来TFT光侦测[0006]相较于传统结晶材料制备的影像传感器件,上述TFT光侦测阵列薄膜材料之光禁带宽度(Bandgap)皆以可见光为主要吸收范围,因此较易受环境可见光之干扰形成噪声,测阵列薄膜上,避免了周围环境之可见光形成噪声干扰,如上述中华人民共和国专利[0007]若将此类熟知的TFT可见光侦测阵列薄膜配置在显示屏结构内,可作为将光侦测7[0008]简言之,目前的电子设备对于用户指纹信息的采集依然[0021]光学胶对所述反射光信号中在光学胶的入射角大于第一临界角的反射光信号进光信号能够在所述光学胶表面发生全反射的临界8[0025]光学胶对所述反射光信号中在光学胶的入射角大于第一临界角的反射光信号进反射光信号能够在所述光学胶表面发生全反射的临界[0026]光学器件对所述第一反射光信号中在所述光学器件表面的入射角小于第二临界所述第二临界角为显示像素发出的光信号能够在所述透光盖板上表面发生全反射的临界[0029]光学器件对所述反射光信号中在光学器件表面的入射角小于第二临界角的反射临界角为显示像素发出的光信号能够在透光盖板上表面发生全反射的9[0047]处理器根据所述传感单元接收的第二反射光信号生成生理特征识别影像信息并[0049]处理器对若干组单个显示像素或若干组显示像素阵列发出的光信号对应的第二像素,所述显示单元上设置有指纹识别区,所述传感单元用于获取所述指纹识别区上的指[0055]所述显示像素用于发出光信号,所述光信号在所述透光[0060]所述光学胶用于对所述反射光信号中在光学胶的入射角大于第一临界角的反射第一临界角为反射光信号能够在所述光学胶表面发生全反射的[0064]所述光学胶用于对所述反射光信号中在光学胶的入射角大于第一临界角的反射临界角为反射光信号能够在所述光学胶表面发[0065]所述光学器件用于对所述第一反射光信号中在所述光学器件表面的入射角小于[0068]所述光学器件用于对所述反射光信号中在光学器件表面的入射角小于第二临界[0088]所述处理器用于对若干组单个显示像素或若干组显示像素阵列发出的光信号对[0093]图4为本发明的一实施例涉及的设置光学胶后单一显示像素发光反射的光路变化[0094]图5为本发明的一实施例涉及的设置光学胶和光学器件后单一显示像素发光反射[0096]图7为本发明的一实施例涉及的同步验证指纹信息的屏幕解锁的装置的结构示意[0112]所述显示单元上设置有指纹识别区,所述传感单元位于[0117]首先进入步骤S1301接收用户在所述指纹识别区上的滑动轨迹,同步采集用户手[0119]而后进入步骤S1302判断检测到用户在所述指纹识别区上的滑动轨迹与预设滑动轨迹是否相匹配,若是则进入步骤S1303判断同步采集的指纹信息与预设指纹信息是否匹另一种情况是存储单元中并未存储有与该指纹信息相匹配的(如再次执行滑屏操作)的语音提示信息,所述图像提示信息包括提示用户再次输入指纹侦测器件都设置成开启状态时,进入显示屏的光信号可以被下方的TFT影像感测阵列薄膜纹信息的采集;(3)自发光二极管显示屏的每个显示像素其发光准直性低摸屏1表面发生的变化简化为光路在盖板玻璃表面所阵列薄膜可以根据反射光信号表现出的亮暗特征重构出指极管像素阵列所组成的显示屏,如有机发光二极管(OLED)显示屏、微发光二极管(micro_[0134]请参阅图3,为本发明的一实施例涉及的单一显示像素发光反射的光路变化示意[0137]当显示屏上的第(m,n)个显示像素的光源发出的光将被折射率n3<n2的光学胶以全反射2的方侦测阵列薄膜可以采集到相对灵敏与有效指纹区域,乃是以所述第(m,n)个显示像素玻璃表面θ<θc以及θ>φc的光射线),将光学器件的编码孔径设计为具有导光功能之器件,信号以尽可能垂直方向(入射角度小于预设角度)射入光侦测阵列薄膜。编码孔径(codedaperture)的压缩取样方法的参考文献如下:StephenR.Gottesman所著“Codedapertures:past,present,andfutureapplicationanddesign,”(ProceedingofSPIE,Vol.6714,2007),本篇文章以简单的一维模型说明编码孔径可广泛应用在需要高分缩取样方法,可以根据预定的参数要求(即要求通过(或称计算器产生全息术),可以根据预定的参数[0148]而后进入步骤803光学胶改变反射光信号的光路,对反射光信号中在光学胶的入光学器件表面的入射角小于第二临界角的第一反射光信号进行过滤,得到第二反射光信号,并使得第二反射光信号以小于预设角度的入射角进入传感单元(即光侦测阵列薄膜)。所述第二临界角为反射光信号能够在盖板玻璃上表面发生全反射(即所述第一全反射)的[0150]而后进入步骤S805处理器根据光侦测阵列薄膜接收的第二反射光信号生成指纹屏上各个显示像素发光的顺序可以根据实际[0154]所述TFT影像感测阵列薄膜(即光侦测阵列薄膜)为光敏二极管所形成的阵列,所述光敏二极管所形成的阵列包括光敏二极管感应区。现有的液晶显示(LCD)面板或有机发于光感测二极管的结构亦可采用此类半导体材料制备,且生产设备也兼容于TFT阵列的生产设备,因此近年来TFT光侦测二极管(即光敏二极管)开始以TFT阵列制备方式进行生产。现有的光敏二极管的具体结构可以参考美国专利US6943070B2、中华人民共和国专利CN204808361U中对光侦测阵列薄膜结构的描述。TFT影像感测阵列薄膜的生产工艺与显示其TFT制备方式可以采用薄型玻璃为基材,亦可采用耐高温塑性材料为基材,如美国专利[0155]现有的TFT影像感测阵列薄膜易受周围环境光或者显示屏像素所发出的可见光的步改进,使得改进后的TFT影像感测阵列薄膜可以侦测识别用户身体部分反射回的红外信可以将含有非晶或微晶硅化锗结构的光敏二极管的操作波长范围扩展到光波长600nm到光敏二极管结构,对于每一个p型/i型/n型结构,则采用实施例一所描述的光敏二极管结可以采用非结晶结构且重掺杂硼(含硼浓度为标准工艺的两倍以上);p2和p3采用微晶结用正常的硼掺杂可以有效避免由于p1层的重掺杂导致劣化内建电位。当p型半导体层包括层采用正常的磷掺杂可以有效避免由于n3层的重掺杂导致劣化内建电位。当n型半导体层[0165]TFT影像感测阵列薄膜(即光侦测阵列薄膜)为光敏晶体管所形成的阵列,所述光[0168]首先进入步骤S1201在像素薄膜晶体管的基材上通过化磁控溅射镀膜出栅极。像[0169]而后进入步骤S1202在所述栅极的上方通过化学气相沉积或是磁控溅射镀膜出绝[0170]而后进入步骤S1203在所述绝缘层的上方通过化学气相沉积镀膜出源极和漏极的[0171]而后进入步骤S1204在所述光敏漏电流通道内化学气相沉积镀膜出光吸收半导体[0173]以熟知的场效晶体管结构而言,作为扫描驱动与数据传输开关的TFT不需特别针光吸收半导体层本身的悬空键结(DanglingBond)缺陷给捕获,无法有效地贡献作光侦测高了场效应作用下电极收集光电子的成功机率,最大化地改善了TFT漏电流光敏薄膜晶体点阵均处于发出红外光状态;在第二周期内对p型/i型/n型红外光敏二极管施加零偏压或TFT阵列驱动扫描每一帧(Frame
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