CN113540385B 掩模金属膜、掩模金属膜支撑模板、掩模支撑模板及其制造方法 （悟劳茂材料公司）

WO2020076021A1,2020.04制造OLED像素形成用掩模，其至少包括经轧制2掩模金属膜通过对在至少一表面具有轧制工艺中产生的划伤缺陷的金属膜的至少一经过表面缺陷去除工艺及厚度缩减工艺后，划伤缺陷的尺掩模金属膜包括作为用于形成掩模图案的区域的掩模单元区域及掩模单元区域周边虚设部区域中与焊接部对应的部分的厚度至少大于剩金属膜使用相当于金属膜的10％至90％厚度部分的至少一10.一种掩模金属膜支撑模板的制造方法，所述掩模金属膜支撑模板用于支撑OLED像3(a2)在一面形成有临时粘合部的模板上通过夹设绝缘部将金属膜粘合到模板的上部12.如权利要求10所述的掩模金属膜支撑模板的制造方法，其中，进一步包括以下步步骤(b)的厚度缩减针对金属膜的初期基准厚度的2在步骤(b)之后，在除了金属膜的掩模单元部以外剩余的区域或者在金属膜的焊接部20.如权利要求10所述的掩模金属膜支撑模板的制造方法，其中，进一步包括如下步21.一种掩模支撑模板的制造方法，所述掩模支撑模板用于支撑OLED像素形成用掩模4掩模金属膜通过对在至少一表面具有轧制工艺中产生的划伤缺陷的金属膜的至少一经过表面缺陷去除工艺及厚度缩减工艺后，划伤缺陷的尺步骤(a)中的所述金属膜在至少一表面具有24.一种框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由至少一个掩模及用于支(a)将通过权利要求21所述的方法制造的掩模支撑模板装载到具有至少一个掩模单元5的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术以及将掩模固定于框架的技6[0015]通过在经轧制工艺制造的金属膜的至少一面执行表面缺陷去除工艺及厚度缩减[0018]掩模金属膜包括作为用于形成掩模图案的区域的掩模单元区域及掩模单元区域周边的虚设部区域，虚设部区域中与焊接部对应的部分的厚度可至少大于剩余区域的厚[0020]此外，本发明的上述目的通过掩模支撑模板的制造方法来实现，所述模板经轧制工艺制造的掩模金属膜粘合到一面形成有临时粘合部的模板上；(b)在掩模金属膜[0021]步骤(a)可以包括以下步骤：(a1)在掩模金属膜的第一面的反面即第二面上形成第一面粘合到一面形成有临时粘合部的第二模板上；(f)在掩模金属膜的第一面的反面即[0030]在步骤(b)之后，在除了掩模金属膜的掩模单元部以外剩余的区域或者在掩模金7板用于支撑OLED像素形成用掩模并将其对应到框架，该方法包括以下步骤：(a)将经轧制模金属膜的第一面上通过蚀刻缩减厚度；(d)通过在掩模金属膜上形成掩模图案来制造掩[0041]图3是根据本发明一实施例的掩模金属膜的示意图及掩模金属膜的表面缺陷的示[0043]图5是根据本发明一实施例的在掩模支撑模板上制造掩模金属膜的过程的示意[0044]图6是根据本发明一实施例的通过在模板上粘合掩模金属膜来形成掩模以制造掩[0045]图7是根据本发明一实施例的将模板装载到框架上以使掩模对应到框架的单元区[0046]图8是根据本发明一实施例的将掩模附着到框架之后将掩模与模板分离的过程的8[0048]图10是根据本发明的一实验例的掩模金属膜的表面缺陷去除工艺前后的表面照[0049]图11是根据本发明的一实验例的针对掩模金属膜的缺陷试样进行表面缺陷去除[0050]图12是根据本发明的一实验例的针对掩模金属膜的缺陷试样进行表面缺陷去除[0051]图13至图16是根据一实验例的针对掩模金属膜的缺陷试样进行表面缺陷去除工一个实施例中的个别组成要素的位置或布置应理解为在不超出本发明精神及范围情况下[0071]图1是根据本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图[图1的(a)]及侧截面图9(Ni_Co)等材料。掩模100可使用由轧制(rolling)工艺或者电铸(electroforming)生成的可约为0.1mm至1mm的厚度。第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度可以约为1_[0081]掩模200具备多个掩模单元区域CR，各掩模100可以各掩模单元C与各掩模单元区[0083]掩模100可包括形成有多个掩模图案P的掩模单元C和掩模单元C周围的虚设部D设部DM与除单元C以外的掩模膜110[掩模金属膜110]部分对应，且可以只包括掩模膜110，模100的边缘且虚设部DM的局部或者全部可附着在框架200[掩模单元片材[0085]图3是根据本发明一实施例的掩模金属膜的示意图(a)及掩模金属膜的表面缺陷[0087]由于需要微细地形成掩模图案P，因此在执行蚀规则且均匀的中央部115”并形成掩模图案P，则具有能够微细地控制掩模图案P宽度的优后述的表面缺陷去除工艺PS1及厚度缩减工艺PS2将产生的厚度缩减可在掩模金属膜110”面缺陷去除工艺PS1是去除图3中所述的划伤缺陷SD1及粒子缺陷SD2的分)以外的部分进行表面缺陷去除工艺PS1及厚[0104]本发明的掩模金属膜110由于包括轧制金属膜的中央部115'因此晶粒形态有规[0105]图5是根据本发明一实施例的在掩模支撑模板上制造掩模金属膜的过程的示意[0106]作为一示例，掩模金属膜110的表面缺陷去除工艺PS1及厚度缩减工艺PS2可在支可在模板50上制成掩模金属膜110后马上形成掩模图案P并制造掩模100，可将支撑有掩模100的模板50移至框架200上后马上制造框架一体[0107]参照图5的(a)，通过使用粘合部41可将掩模金属膜110'的下部面112'(第二面即第一面111'的反面)粘合到支撑基板40上。粘合部41可使用与后述的临时粘合部55相同的材料或者只要是具有一定的粘接力且在事后可分离的材料就可不受限制地使[0109]支撑基板40、粘合部41及掩膜110'b的上部面(第一面)粘合到支撑基板45上。支撑基板45和粘合部45可与支撑基板40[0114]图6是根据本发明一实施例的通过在模板50上粘合掩模金属膜110来形成掩模100100并以支撑掩模100的状态使掩模100移动。中心部50a可对应掩模金属膜110的掩模单元(glass)、硅胶(silica)、耐热玻璃、石英(quartz)、氧化铝(Al2O3)、硼硅酸玻璃BOROFLOAT33的热膨胀系数约为3.3，与因瓦合金掩模金属膜110的热膨胀系数的差[0117]另外，为了在与掩模金属膜110(或者掩模100)的分界面之间不产生气隙几乎不存在气隙，通过激光焊接容易产生焊珠WB，因此可能不会影响掩模图案P的对齐误[0118]为了使从模板50的上部照射的激光L能够到达掩模100的焊接部WP(执行焊接的区的方式形成在模板50上。由于在掩模100的边缘或者虚设部DM部分上以预定的间隔布置有板50的两侧(左侧/右侧)以预定间隔可形成多个孔51在对准掩模100与模板50时也可作为对准标记使用。如果模板50的材料对激光L透明，可使掩模100(或者掩模金属膜110')临时附着在模板50的一面并支的物质及溶剂。作为一示例，临时粘合部55可使用包括作为树脂成分的丁腈橡胶(ABR，形成有临时粘合部55的模板50上装载掩模金属膜110并使其通过约100℃的上部滚轴胶带是中间布置有PET膜等的基膜，基膜的两面布置有可热分离的黏着层(thermal部第二黏着层]粘合在模板50上，热分离胶带的上部面[基膜的上部第一黏着层]可粘合在图6的(b)可替代为如图5的步骤(a)将掩模金属膜110'粘合到支撑基板40(对应模板50)上为了防止蚀刻液渗透至掩模金属膜110与临时粘合部55的分界面使临时粘合部55/模板50掩模金属膜110中被蚀刻的部分形成掩模图案P，从而可制造形成有多个掩模图案P的掩模的掩模100直接粘合到模板50上且中间夹设有临时粘合部55，从而可制造用于支撑掩模[0136]图7是根据本发明一实施例的将模板50装载在框架200上并将掩模100对应到框架的方式，也可以将多个掩模100同时对应到所有的单元区域CR并将掩模100附着到框架200[0137]模板50可通过真空吸盘90移送。可以用真空吸盘90吸附粘合有掩模100的模板50的面的相反面并进行移送。真空吸盘90吸附模板50并翻转之后向框架200移送模板50的过板50装载到框架200[或者掩模单元片材部220]可使掩模100对应至掩模单元区域CR。控制模板50/真空吸盘90的位置的同时可通过显微镜观察掩模100是否对应于掩模单元区域CR。[0139]另外，框架200下部可以进一步布置下部支撑体70。下部支撑体70可挤压与掩模光焊接的掩模的焊接部WP部分上生成焊珠WB，焊珠WB可具有与掩模100/框架200相同的材[0141]图8是根据本发明一实施例的将掩模附着到框架上之后使掩模与模板分离的过程[0142]参照图8，将掩模100附着在框架200之后，可将掩模100与模板50进行分离[0143]图9是根据本发明一实施例的将掩模100附着到框架200的状态的示意图。图14中图示了将所有掩模100附着到框架200的单元区域CR的状态。虽然可一一附着掩模100后再或者紫外线UV并只将第一绝缘部23去除的工元片材部220。本发明仅通过在模板50上附着掩模100且将模板50装载于框架200上便可以完成掩模100与框架200的掩模单元区域CR对应的过程，此过程对掩模100不施加任何拉伸[0149]如果每个掩模100均附着在对应的掩模单元区域CR上之后将模板50与掩模100进上附着的掩模100之间的第一栅格片材部223上，附着在CR11单元区域上的掩模100向右侧方向作用的张力与附着在CR12单元区域上的掩模100向左侧方向作用的张力可相互抵消。[0151]图10是根据本发明的一实验例的掩模金属膜的表面缺陷去除工艺前后的表面照长的划伤缺陷SD1，(b)为10μm以上的细长的划伤缺陷SD1及划伤缺陷SD1内形成有如SiO2、11023338445677788810910373.320.925.611.117.710.612.87.15.74.556.710.3着深度方向上无弯曲地与掩模金属膜110的表面保持一致。在结束掩模金属膜110的工艺[0166]图11是根据本发明的一实验例的针对掩模金属膜的缺陷试样的表面缺陷去除工艺前后的表面光学显微镜照片。图11是在一个试样中提取的可识别的4个缺陷(#1～#4)的[0169]图12是根据本发明的一实验例的针对掩模金属膜的缺陷试样的表面缺陷去除工艺前后的表面AFM(AtomicForceMic[0171]图13至图16是根据一实验例的针对掩模金属膜的缺陷试样的表面缺陷去除工艺度。这可理解为工艺PS1粒子缺陷SD2的深度浅或者初期因粒子缺陷SD2脱离呈现为非圆形