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US2013234240A1,2013.09.12本申请实施例提供一种半导体结构及其制过将栅极制备成具有不同功函数的第一导电层2在所述基底内形成呈阵列排布的多个有源柱，每个在所述基底内形成多个沿第一方向间隔设置的第一凹槽在所述基底内形成多个沿第二方向间隔设置的第二凹槽，每在所述基底内形成沿所述第一方向间隔设置的多条形成环绕每个所述有源柱设置的栅极，所述栅极在在所述填充区内依次形成层叠设置的第一初始绝在所述第二初始绝缘层内形成沿所述第一方向延伸去除暴露在所述第三凹槽内的所述第二初始绕各个所述有源柱的栅极以及用于连接沿所述第一方向上3在相邻的所述字线之间的区域内形成第三绝缘层，所述半导体结构还包括用于连接位于同一第一方向上各所述半导体结构包括多条位线，每条位线沿第4[0011]在一些实施例中，所述第一导电层的材质和所述第二导电层的材质均包括TiN、5括环绕各个所述有源柱的栅极以及用于连接沿所述第一方向上[0033]在一些实施例中，去除暴露在所述第三凹槽内的所述第二初始导电层的步骤之6[0045]图2为本申请实施例提供的半导体结构的制备方法中基底和光刻胶层的结构示意7[0065]图22为本申请实施例提供的半导体结构的制备方法中形成栅氧化层的结构示意[0066]图23为本申请实施例提供的半导体结构的制备方法中形成栅氧化层的结构示意[0069]图26为本申请实施例提供的半导体结构的制备方法中形成第三凹槽的结构示意[0072]图29为本申请实施例提供的半导体结构的制备方法中形成连接垫和电容结构的[0075]正如背景技术所述，相关技术中的半导体结构中存在栅诱导漏极泄漏电流的问8[0089]隔离层40可以包括第一隔离层41和第二隔离层42，第一隔离层41设置在基底109可以通过原子层沉积工艺在有源柱32的顶面和侧壁以及填充区的底壁上形成初始栅氧化[0112]去除暴露在第三凹槽106内的第二初始导电层104、第一初始导电层103和部分第字线100包括环绕各个有源柱的栅极120以及用于连接沿第一方向上各个栅极120的导电段[0117]本实施例通过使第一导电层107的功函数和第二导电层108的功函数都为高功函数，由于具有高功函数的第一导电层107和第二导电层108对沟道区内的电子的敏感性不[0119]本实施例利用第一导电层的设置来降低有源柱的源漏区靠近栅极的界面处的电有源柱的源漏区靠近栅极的界面处的电场，大大改善了栅极诱导漏极泄漏电流效应[0131]在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或

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