CN113614887B 基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置 （株式会社斯库林集团）

2021.09.18PCT/JP2020/00254020WO2020/189010JA2020.09.24US2010267233A1,201US2015128995A1,2015(63)的图案PT的基板(W)进行处理。基板处理方个构造物(63)各自的表面(62)的亲水性增大的2所述多个构造物形成于所述基板的表面，彼此相邻的所述构造物之间的距离为3nm以针对所述多个构造物执行使用非液体的规定处理，与执行所述在使亲水性增大的所述工序后，向所述多个构造物彼此之在使亲水性增大的所述工序中，相对于所述多个构造物执行所述多个构造物具有与在所述处理液向所述构造物彼此之间的空间渗透的渗透时间恒定时所述接触角为所述处理液的表面与所述构造物的表面所成还包括在使亲水性增大的所述工序之前，向所述多个构造物供所述规定处理为对所述多个构造物照射紫外线所述规定处理为对所述多个构造物供给氧或氧的同位素所述处理液将所述多个构造物中的彼此相邻的构造物之间的空间中存在的气在供给所述处理液的所述工序后，向所述多个构造物供给疏水剂，所述多个构造物中的彼此相邻的构造物之间的距离满足规所述规定条件表示在使亲水性增大的所述工序之前，与所述处理所述第1条件表示在使亲水性增大的所述工序之前，与所述处理液相同的处理液无法通过毛细管现象而渗透至所述彼此相邻的构造物所述第2条件表示在使亲水性增大的所述工序后，所述处理液能够通过毛细管现象而3在使亲水性增大的所述工序中，针对所述多个构造物执行规定处理之前相比使所述多个构造物各自具有的凹部的表面的所述凹部相对于所述构造物的侧壁面沿着与所述构造物延伸的方向交11.一种半导体制造方法，其对具有包含多个构造物在内的图案的半导体基板进行处所述多个构造物形成于所述基板的表面，彼此相邻的所述构造物之间的距离为3nm以针对所述多个构造物执行使用非液体的规定处理，与执行所述在使亲水性增大的所述工序后，向所述多个构造物彼此之在使亲水性增大的所述工序中，相对于所述多个构造物执行所述多个构造物具有与在所述处理液向所述构造物彼此之间的空间渗透的渗透时间恒定时所述接触角为所述处理液的表面与所述构造物的表面所成所述多个构造物形成于所述基板的表面，彼此相邻的所述构造物之间的距离为3nm以亲水处理部，其针对所述多个构造物执行使用非液处理液供给部，其在所述多个构造物各自的表面的亲水性增大之后，所述亲水处理部相对于所述多个构造物执行所述规定处理，以使得所有与在所述处理液向所述构造物彼此之间的空间渗透的渗透时间恒定时的接触角相当的所述接触角为所述处理液的表面与所述构造物的表面所成还具备除去液供给部，该除去液供给部在所述多个构造物各自的所述规定处理为对所述多个构造物照射紫外线所述规定处理为对所述多个构造物照射等离子体所述规定处理为对所述多个构造物供给氧或氧的同位素4所述处理液将所述多个构造物中的彼此相邻的构造物之间的空间中存在的气疏水处理部，其在向所述多个构造物供给了所述处理液之干燥处理部，其在所述多个构造物各自的表面的疏水性增大之所述多个构造物中的彼此相邻的构造物之间的距离满足规所述规定条件表示在所述多个构造物各自的表面的亲水性增大之前，与所所述第1条件表示在所述多个构造物各自的表面的亲水性增大之前，与所述处理液相所述第2条件表示在所述多个构造物各自的表面的亲水性增大了之后，所述处理液能够通过毛细管现象而渗透至所述彼此相邻的构造物所述亲水处理部针对所述多个构造物执行所述规定处理，与执行所述规定所述凹部相对于所述构造物的侧壁面沿着与所述构造物延伸的方向交5[0002]专利文献1中记载的基板处理装置针对基板进行有机物的除去处理。在基板的表供给纯水以冲刷药液的处理。干燥处理为通过使基板在水平面内旋转而使基板干燥的处6处理，与执行所述规定处理之前相比使所述多个构造物各自的表面的亲水性增大的工序；[0018]优选本发明的基板处理方法还包括下述工序：在供给所液相同的处理液无法渗透至所述彼此相邻的构述第1条件表示在使亲水性增大的所述工序之前，与所述处理液相同的处理液无法通过毛细管现象而渗透至所述彼此相邻的构造物之间的空间。优选所述第2条件表示在使亲水性7造物各自的表面的疏水性增大之后对所述基述第1条件表示在所述多个构造物各自的表面的亲水性增大之前，与所述处理液相同的处理液无法通过毛细管现象而渗透至所述彼此相邻的构造物之间的空间。优选所述第2条件8晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场发射显示器(FieldEmissionDisplay：[0052]基板收容器C分别将多张基板W层叠收容。分度器机械臂IR从多个基板收容器C中板W搬入多个处理装置200中的某一个处器机械臂IR从交接部PS接收处理完的基板W，并将基板W收容于多个基板收容器C中的某一9[0057]多个构造物63分别沿第1方向D1延伸。第1方向D1表示与基板主体61的表面61a交物63的表面62包括侧壁面63a和顶壁面63水处理装置1也可以取代图1所示的多个处理装置200中的1个处理装置200而包含在基板处[0064]若能够促进处理液LQ浸入多个构造物63彼此之间的空间SP，则能够在基板W的整[0065]此外，只要使图2的(a)所示的构造物63的表面62中的至少侧壁面63a的亲水性比针对多个构造物63执行规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物63各自的侧壁面63a及顶壁面63b的亲水性及多个构造物63各自具有的凹部65的表面的亲水性增大。因此，63的表面62中的侧壁面63a的亲水性及凹部65的表面的亲水性比执行规定处理之前大即达基板主体61的表面61a或表面61a围绕旋转轴线AX1的周向设置于旋转基座51。多个卡盘构件53将基板W以水平的姿态保持。[0085]旋转卡盘23包含多个卡盘构件231及旋转基座233。多个卡盘构件231设置于旋转置于旋转基座233的多个卡盘构件231保持的基板W绕旋转轴线AX2[0087]在利用亲水处理装置1使基板W的多个构造物63各自的表面酸(H3PO4[0090]喷嘴移动部29使喷嘴27在处理位置与退避位置之间移动。处理位置表示基板W的退避位置表示与基板W相比位于基板W的径向洗液例如为去离子水、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水或稀释浓度(例如为10ppm~[0096]流体供给单元41位于旋转卡盘23的上方。流体供给单元41包括遮挡板411、支轴将马达的旋转向流体供给单元41传递的传递机构。[0108]多个防护部49分别具有大致筒形状。多个防护部49分别接住从基板W排出的液体2的(a)或图2的(b)所示的基板W的构造物63彼此之间的空间SP的渗透时间(μ秒)。具体来处理液LQ的表面与构造物63的表面62所成式1中，优选紫外线照射部3向基板W的多个构造物63照射紫外线，以使接触角CA为θ2度以使亲水性增大的工序之前)，与处理液LQ相同的处理液无法渗透至彼此相邻的构造物63之相同的处理液无法通过毛细管现象而渗透至彼此相邻的构造物63之间的空间SP。第2条件水性增大的工序之后)，处理液LQ能够通过毛细管现象而渗透至彼此相邻的构造物63之间[0118]根据实施方式1，即使在多个构造物63为具有满足第1条件的狭小的距离L的多个基板W的多个构造物63供给疏水剂，与在供给疏水剂之前相比使多个构造物63各自的表面法对具有包括多个构造物63的图案PT的半导体基板W进行处理，制造作为处理后的半导体~图7说明的实施方式1的主要区别在于，在变形例中，亲水处理装置1A搭载于处理装置射部3A沿一定方向延伸。紫外线照射部3A的长度方向上的长度例如与基板W的直径大致相的表面62照射紫外线，与照射紫外线之前相比使多个构造物63各自的表面62的亲水性增的上方的位置。紫外线照射部3A在位于处理位置时向基板W的多个构造物63的表面62照射基板处理方法及半导体制造方法与图6及图7所示的实施方式1的基板处理方法及半导体制[0148]如以上参照图6～图8所说明的那样，在变形例中，工序S3～工序S8由处理装置式1的主要区别在于，实施方式2的处理装置200B向基板W照射等离子体以使基板W亲水化。[0152]图9是示出实施方式2的处理装置200B的示意性的剖视图。如图9所示，处理装置用非液体的规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物63各自的表面62的亲水性增W的多个构造物63的表面62照射等离子体，与照射等离子体之前相比使多个构造物63各自施方式2的基板处理方法及半导体制造方法与图6及图7所示的实施方式1的基板处理方法选亲水处理喷嘴45向基板W的多个构造物63照射等离子体，以使接触角CA为θ2度以下(图[0168]此外，实施方式2的基板处理方法及半导体制造方法也可以不包括工序S5～工序处理喷嘴85配置在遮挡板411及支轴413的内部。亲水处理喷嘴85的前端从遮挡板411的下用非液体的规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物63各自的表面62的亲水性增实施方式3的基板处理方法及半导体制造方法与参照图6及图7说明的实施方式2的基板处个构造物63具有与处理液LQ的渗透时间大致恒定时的接触角CA相当的亲水性(图5)。也就[0183]配管P7向喷嘴81供给除去液。阀V7切换将除去液向喷嘴81的供给开始和供给停[0187]喷嘴移动部83使喷嘴81在处理位置与退避位置之间移动。处理位置表示基板W的转动轴833及移动机构835。喷嘴81安装在臂831的前端部。臂831由转动轴833及移动机构水化，能够在基板W的整体范围内大致均匀地使处理液LQ快速地渗透至多个构造物63彼此方法对具有包括多个构造物63的图案PT的半导体基板W进行处理，制造作为处理后的半导[0202](1)在参照图12及图13说明的实施方式4中，处理装置200D也可以包括参照图8说[0203](2)实施方式4的处理装置200D也可以包括参照图9说明的实施方式2的亲水处理[0204](3)实施方式4的处理装置200D也可以包括参照图11说明的实施方式3的亲水处理