CN113614888B 保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制造方法 （三井化学东赛璐株式会社）

2021.09.24PCT/JP2020/0138462020.03.26WO2020/196794JA2020.10.01US2018315610A1,2018.11.01WO2013021644A1,2013.02.14保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制护膜能抑制因半导体晶片的主面的台阶而引起覆盖半导体晶片(10)的主面(10A)的方式配置保第二区域(13)是包含主面(10A)的周缘的至少一工序包括将保护膜(20)在其厚度方向上压缩的面(10A)按压的按压构件(32)和沿着第二区域2所述主面具有第一区域和第二区域，所述第一区域配置有凸块，所所述粘贴工序包括将所述保护膜在其厚度方向上压缩的压所述压缩工序使用用于将所述保护膜向所述主面按压的按压构件和沿着所述第二区所述配置工序是在所述支撑构件的内侧设置所述半导体晶片之后，所述保护膜以覆盖所述半导体晶片的所述主面的方式配置所述压缩工序是通过使所述支撑构件支撑所述保护膜的边缘部而将所述边缘部夹在膜厚部要向比所述主面的周缘更靠外侧流动缘部从所述第二区域的所述周缘向外侧伸出的方式配置所述保护膜的所述边缘部的支撑面与所述主面平行或者以朝向所述主面侧的方8.一种半导体部件的制造方法，其特征在于所述主面具有第一区域和第二区域，所述第一区域配置有凸块，所所述粘贴工序包括将所述保护膜在其厚度方向上压缩的压所述压缩工序使用用于将所述保护膜向所述主面按压的按压构件和沿着所述第二区所述配置工序是以所述保护膜的边缘部位于比所述支撑构件靠内周侧的方式配置所3所述压缩工序是通过所述支撑构件的内周面来阻挡由于夹在所述按压构件与所述主行加热而使其表现出所述流动性或所述塑性的状13.根据权利要求10所述的保护膜的粘贴方法，其中，在将所述凸块的平均高度设为15.一种保护膜，其特征在于，用于权利要求10至13中任一项所述的保护膜的粘贴方4[0012]图8是利用一般的粘贴方法将保护膜20粘贴于在主面10A具有上述的台阶的半导[0013]保护膜20具有对于通过凹凸吸收层23在第一区域12中吸收凸块11导致的凹凸而5主面10A的周缘相比更向外侧逸出的方式流动，但一般的粘贴方法不具有限制这样的膜厚[0028]所述压缩工序使用用于将所述保护膜向所述主面按压的按压构件和沿着所述第边缘部从所述第二区域的所述周缘向外侧伸出的方式配置所述保护膜护膜的所述边缘部的支撑面与所述主面平行或者以朝6所述支撑构件的内周面来阻挡由于夹在所述按压构件与所述主面之间而导致的所述保护[0034][6]在第一方案的保护膜的粘贴方法中，所述保护膜可以具有能够表现出流动性[0035][7]在第一方案的保护膜的粘贴方法中，所述压缩工序可以在对所述保护膜进行[0036][8]在第一方案的保护膜的粘贴方法中，可以是：在将所述凸块的平均高度设为[0037][9]第二方案的半导体部件的制造方法的主旨在于，包括第一方案的保护膜的粘[0044]所述加工工序是在所述保护膜上形成厚度不同的部位而得到所述加工完毕的膜[0045]所述配置工序是使所述加工完毕的膜的所述厚度不同的部位中的厚度相对厚的7[0057][图3]对第一方案的粘贴方法所涉及的粘贴装置进行说明的(a)是俯视图，(b)是[0058][图4]对第一方案的粘贴方法所涉及的配置工序进行说明的(a)是俯视图，(b)是[0061][图7]是对粘贴有第一方案的粘贴方法所涉及的保护膜的半导体晶片进行说明的[0062][图8]是对粘贴有通常的粘贴方法所涉及的保护膜的半导体晶片进行说明的放大[0063][图9]是对第一方案的粘贴方法所涉及的支撑构件的变更例进行说明的放大侧剖[0065][图11]对供于本发明的粘贴方法的半导体晶片的另一例进行说明的(a)是俯视图的说明而使本领域技术人员明确本发明的几个方式实际上如何具体8[0074]本粘贴方法是第一方案所涉及的第一实施方式，是保护半导体晶片10的主面10A[0075]该粘贴方法具备：以覆盖半导体晶片10的主面10A的方式配置保护膜20的配置工序S1(参照图4的(b))和将保护膜20按压并粘贴该压缩工序S3使用用于将保护膜20向主面10A按压的按压构件32和沿着第二区域13的外周[0078]通过本粘贴方法粘贴了保护膜20的半导体晶片10在背面研磨工序中被制成所期[0083]在本粘贴方法中，粘贴工序S2包括将保护膜20在其厚度方向上压缩的压缩工序膜厚部的要向比主面10A的周缘更靠外侧的流动得到[0088]本粘贴方法所涉及的半导体晶片10对于材料、形状没有特别限定，通常使用硅9[0098]进而，构成第二区域13的周缘区域13A的形状例如能够设为以将第一区域12包围够设为：在主面10A的左侧部周缘区域13A朝向该主面10A的中心以弓状扩展而设置的空白为4个圆弧形状相连的形状。这样的空白区域13B例如出于在产品化时容易产生错误等理的周围的方式形成图11的(a)的空白区域13B。在形成图11的(a)的空白区域13B的情况下，[0104]第二区域13的面积相对于主面10A的总面积的比率没有特别限定，可以根据空白[0107]在第二区域13中，周缘区域13A和空白区域13B均在与第一[0108]在比较周缘区域13A和空白区域13B的情况下，空白区域13B[0114]从消除由凸块11造成的凹凸与由第一区域12及第二区域13的高低差造成的台阶基层21与粘着材料层22之间具有凹凸吸收层23来作为能够表现出流动[0115]从适当地消除由凸块11造成的凹凸与由第一区域12及第二区域13的高低差造成的台阶的观点出发，保护膜20的平均厚度H2优选与上述凸块11的平均高[0116]关于H2/H1的上限，从保护膜20以其膜厚量吸收并适当地消除由凸块11造成的凹[0122]基层21中使用的材料只要具有能够耐受在背面研磨工序中对半导体晶片进行磨[0129]从提高与凹凸吸收层23等的粘接性的观点出发，基层21优选使用经表面处理的[0132]粘着材料层22是以在半导体晶片10的主面10A上粘贴并固定保护膜20为目的而设[0135]粘着材料层22的材料可以使用能够通过能量射线固化的能量射线固化型粘着材[0142]凹凸吸收层23的材料只要是具有因表现流动性或塑性而带来的凹凸吸收性的材[0148]凹凸吸收层23的厚度只要是能够对于由凸块11造成的凹凸形状与由第一区域12分子量成分向粘着材料层22的粘着面转移的转移防止层、防止保护膜20带电的防静电层[0161]按压构件32用于向被支撑固定于卡盘工作台31上的半导体晶片10的主面10A按压[0162]支撑构件33沿着支撑固定于卡盘工作台31上的半导体晶片10的第二区域13的外[0172]从使粘贴于半导体晶片10的主面10A的保护膜20的表面平坦的观点出发，优选按[0182]关于支撑构件33的形状，只要能够沿着半导体晶片10的第二区域13的外周缘设[0184]图3的(a)、(b)所示的支撑构件33以能够将半导体晶片10整体包围在内侧的方式101A上的观点出发，在支撑构件33中支撑保护膜20的边缘部的支撑面33A与半导体晶片10在将半导体晶片10的主面10A与按压构件32的间隙设为C1、将支撑构件33与按压构件32的导体晶片10的主面10A中的空白区域表面<C2的情况下，支撑构件33的支撑面33A配置在比半导体晶片10的第二区域13的表面低的[0193]更具体而言，在将半导体晶片10的厚度方向上的空白区域表面101A的位置设为P1[0197]在该配置工序S1中，所供给的保护膜20以覆盖半导体晶片10的主面10A的方式配[0199]保护膜20的供给方式没有特别限定，可以使用每次供给1片保护膜20的分批式和制膜厚部向比主面10A的周缘更靠外侧流动这两个观点出发，以保护膜20的边缘部(周缘部)从第二区域13的周缘向外侧伸出的方式[0202]保护膜20的边缘部的伸出量没有特别限定。从确实地进行压缩工序S3的观点出着的部分来填埋空白区域13B的台阶的作用，保护膜20的边缘部的伸出量优选为在俯视时应的位置与保护膜20的外周缘之间的长度设为上述俯视时的宽度W2的情况下，该宽度W2优压构件32将保护膜20按压并粘贴于主面而能够在压缩工序S3中使保护膜20的膜厚[0212]保护膜20的加热温度只要设定为能够根据上述凹凸吸收层23的储能模量G9使该[0223]在压缩工序S3之后，将在主面10A上粘贴有保护膜20的半导体晶片10从粘贴装置[0231]本粘贴方法(第二实施方式)与第一实施方式同样地被包括在第二方案的半导体[0232]供于本粘贴方法的半导体晶片10和保护膜20如上述[2]半导体晶片和上述[3]保[0233]第二实施方式的粘贴方法与上述的第一实施方式相比，配置工序和压缩工序不[0235]如图13的(a)所示，上述的配置工序S1可以是以保护膜20的边缘部(周缘部)位于部与支撑构件33的内周面之间的俯视时的距离为0mm，即保护膜20的边缘部与支撑构件33[0239]在上述配置工序S1之后的压缩工序S3中，夹在按压构件32与主面10A之间的保护膜20欲使膜厚部(凹凸吸收层23)从保护膜20的边缘部(周缘部)向第二区域13的外周方向从而可增补能够在整个第二区域13填埋台阶[0241]空白区域表面101A上的保护膜20的边缘部通过增补膜厚量从而使膜厚增厚。因法通过将保护膜20的凹凸吸收层23从包围第二区域13的周缘部中的内周缘部和外周缘部第二实施方式的粘贴方法通过将保护膜20的凹凸吸收层23仅从包围第二区域13的周缘部[0246]因此，在保护膜20具有能够表现出流动性或塑性的层(凹凸的该层(凹凸吸收层23)，在这一点上，还能够应对具有更大的空白区域13B的半导体晶片[0249]供于本粘贴方法(第三实施方式)的半导体晶片10与供于上述各实施方式的粘贴[0250]供于本粘贴方法(第三实施方式)的保护膜20与供于上述各实施方式的粘贴方法[0251]本粘贴方法(第三实施方式)具备：对保护膜20进行加工而得到加工完毕的膜20A[0252]加工工序S11是在保护膜20上形成厚度不同的部位而得到加工完毕的膜20A的工[0257]在加工工序S11中，保护膜20通过在表现出流动性或塑性的层(凹凸吸收层23)产[0259]在配置工序S12中，加工完毕的膜20A以厚度不同的部位中的厚度相对厚的区域[0260]在粘贴工序S13中，加工完毕的膜20A被按压构件32按压于主面10A，并且膜厚部(凹凸吸收层23)较厚地偏集在配置于主面10A的空白区域表面101A上的厚度相能够使用与上述第一和第二实施方式的粘贴方法中使用的粘贴装置30大致相同的具有卡[0266]第一辊41以与保护膜20的基层21接触的方式旋转自如地被支撑于保护膜20的上[0267]第二辊42以与保护膜20的粘着材料层22接触的方式旋转自如地被支撑于保护膜保护膜20，将该保护膜20从第一辊41与第二辊42之间向图14的(a)中箭头所示的行进方向[0272]在加工工序S11中，从第一辊41与第二辊42之间送出的保护膜20被制成形成有厚[0274]保护膜20的供给方式没有特别限定，可以使用每次供给1片保护膜20的分批式和[0276]在加工装置40中，保护膜20被夹在第一辊41与第二辊42之间而向行进方向送出[0278]保护膜20的与凸部43接触的部位在该凸部43与第一辊41之间在厚度方向上被压[0279]如图14的(b)中箭头所示，保护膜20的被压扁部位的膜厚部(凹凸吸收层23)向与[0283]如图15所示，配置工序S12是在使按压构件32远离固定于卡盘工作台31的半导体[0284]在该配置工序S12中，所供给的加工完毕的膜20A以覆盖半导体晶片10的主面10A配置为厚度相对厚的区域201位于空白区域表面1在厚度方向上被压扁的加工完毕的膜20A的膜厚部(凹凸吸收层23)仿照凸块11的凹凸而变[0290]在压缩工序S3中，通过使保护膜20的边缘部夹在支撑构件3的流动量，从而使空白区域表面101A上的加工完毕的膜20A的膜厚量进一步增加(参照图工序S11中被压扁而变薄，因此能够抑制膜厚部经由该被压扁而变薄的部位而从第二区域[0303]包括本加工工序的粘贴方法是第四方案所涉及的第四实施方式。该粘贴方法(第被包括在第五方案所涉及的半导体部件的制[0307]支撑柱45以在半导体晶片10的上方位置配置保护膜20的方式支撑该保护膜20的[0313]如图17的(b)所示，保护膜20的被压扁部位的膜厚部(凹凸吸收层23)向与被压扁以沿着半导体晶片10的第二区域13的外周缘的方式设置，因此该厚度相对厚的区域201的