玻璃基板行业市场前景及投资研究报告：产业工程攻坚阶段未来商业化落地

证券研究报告产业步入工程攻坚阶段，静待未来商业化落地——玻璃基板行业研究报告行业评级：看好2026年4月16日摘要1、玻璃基板是全球产业趋势，预计2026-2030年期间量产，有望在AI、HPC等高端市场率先落地•后摩尔时代，先进封装重要性提升。应对当前AI芯片对超高算力、低延迟的需求，以TSV、2.5D/3D、异构集成等为代表的先进封装技术正成为实现系统级性能跃升的关键，预计2030年全球先进封装市场近800亿美元，2024-30年CAGR达9.5%。•玻璃有望成为先进封装下一代关键材料。先进封装持续追求更高集成度、高速互联、更低功耗等，我们认为玻璃未来将取代现有的硅/有机中介层、有机基板。玻璃本身而言，具备低热膨胀系数、高平整度、低翘曲、高密度布线等优势，同时当前AI芯片封装面积不断增大，功能复杂度不断提升，已不断逼近有机基板自身物理极限，玻璃基板有望延续封装密度和集成规模的提升。•••玻璃基板潜在替代空间达百亿美元。2024年全球封装基板市场规模达126亿美元，Prismark预计2029年为180亿美元，其中ABF载板2023年市场规模为67亿美元，预计2028年103亿美元。玻璃基板是板级封装产业升级，攻克AI、HPC等高端市场的关键。板级封装相比晶圆级封装在降本提效、适配大尺寸芯片上具备优势，目前以群创光电为代表的厂商已在PMIC电源、RFIC射频等中低端市场实现量产，其预计玻璃通孔TGV尚需2-3年才能投入量产，用于AI和HPC。中美韩等争相布局玻璃基板，2026-30年有望量产。自23年9月，英特尔展示玻璃基板样品并发布技术路线图以来，多家接连公布玻璃基板进展（样品、试验线、客户认证等）并制定量产时间表（大多目标在2027-30年量产），我们认为在中国大陆（京东方、内资封测大厂、沃格光电等）、中国台湾地区（台积电、日月光、群创光电等）、美国（英特尔、AMD等）、韩国（三星、SKC等）等为代表的全球供应链攻坚下，未来几年玻璃基板有望从当前试验线阶段迈向量产。2、

玻璃基板TGV技术迈入攻坚阶段，重点关注先进封装（替代中介层、有机基板）、光模块&CPO领域的进展•玻璃基板TGV技术路线大致已定，部分工程化问题仍有待攻克。制备玻璃基板包括TGV通孔、填孔、RDL布线是三大核心工序，历经多年积累总结，业内当前已形成较高共识，采用激光诱导刻蚀法、电镀等工艺，但因为玻璃材料本身的脆性、绝缘不导电、大尺寸面积结构等因素，仍面临一些工程方面挑战，业内正积极攻坚，探索解决方案。•先进封装、光通信领域将是未来玻璃基板产业突破的关键。当前玻璃已在显示行业成熟应用，射频&IPD也已实现量产。先进封装方面，虽然玻璃已用作临时载板，但玻璃中介层、玻璃芯基板是当前突破重点。同样玻璃在光通信应用也正处于攻坚期，其在高频信号传输、低损耗等相较现有材料优势显著，业内领先厂商已批量送样客户验证，康宁等多家也已推出玻璃基板的CPO方案，静待商业化落地。2摘要3、投资建议•

中下游环节建议关注面板龙头京东方A，玻璃精加工环节建议关注沃格光电，莱宝高科，上游基板&设备环节建议关注凯盛科技、彩虹股份、戈碧迦、帝尔激光、德龙激光、大族激光、东威科技、三孚新科、盛美上海。4、

风险提示•

玻璃基板推广不及预期、先进封装市场增长不及预期、国际贸易摩擦加剧带来供应链安全扰动的风险。3先进封装&玻璃前景01020304050607先进封装市场、英特尔定调2026-30年量产玻璃基板，接棒有机基板、玻璃基板市场规模板级封装&全球产业趋势板级封装未来渗透空间广阔、玻璃基板是全球产业趋势，中美韩等积极布局制备工艺TGV通孔、填孔、RDL布线三大核心工序介绍，产业化卡的目录工艺难点应用市场显示、半导体、光模块&CPO、射频&IPDC

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S产业链环节&公司介绍下游封测、中游玻璃加工、上游玻璃基板、激光设备、电镀设备投资建议建议关注京东方、沃格光电、戈碧迦、帝尔激光、德龙激光、大族激光、东威科技、三孚新科、盛美上海风险提示玻璃基板推广不及预期、先进封装市场增长不及预期、国际贸易摩擦加剧带来供应链安全扰动的风险4先进封装市场01先进封装&英特尔定调2026-30年量产玻璃基板，接棒有机基板玻璃前景玻璃基板市场规模5封测处于半导体产业链下游01半导体封装起到保护芯片、电气连接、机械连接和标准规格化等作用。半导体器件生产流程包含芯片设计、前道晶圆制造、后道封装测试，其中半导体封装是指将通过测试的晶圆加工得到独立芯片的过程，即将制作好的半导体器件放入具有支持、保护的塑料、陶瓷或金属外壳中，并与外界驱动电路及其他电子元器件相连的过程。先进封装工艺提升系统性能。从封装工艺演变来看，其已从上世纪70年代前的通孔插装迈入21世纪的先进封装时代（涵盖TSV、2.5D/3D堆叠、晶圆级封装、扇出型封装等），同样其在性能上，已由早先简单的“保护壳”成为提升芯片性能的关键之一，考虑到摩尔定律放缓、先进制程研发难度较大，“成熟工艺+先进封装”仍能有效提升产品性能，封测在全产业链地位上愈发提升。图：半导体产业链一览表：半导体封装技术持续迭代应用时间封装技术典型的封装形式示例封装类型20世纪70年晶体管封装(TO)、单列直插封装(SIP)、双列直插封装(DIP)等第一阶段第二阶段通孔插装代以前传统封装小外形晶体管封装(SOT)、小外型封装表面贴装

(SOP)、塑料有引线片式载体封装(PLCC)、塑料四边引线扁平封装(PQFP)等20世纪80年代以后20世纪90年球栅阵列封装(BGA)、芯片级封装(CSP)、第三阶段第四阶段第五阶段面积阵列封装代以后晶圆级封装(WLP)等20世纪末开

多芯片组装(MCM)、系统级封装(SiP)、三维立体封装先进封装始(3D)、凸块制造(Bumping)等系统级单芯片封装(SoC)、微电子机械系统封装(MEMS)、晶圆级封装-硅通孔(TSV)、倒装焊封装(FC)、扇出型封装(Fan-out)等21世纪前十年开始数据：未来半导体，创达新材招股说明书，浙商证券研究所6后摩尔时代，先进封装延续摩尔定律，重要性提升01后摩尔时代，更先进制程所带来的边际效益下降、成本大幅提升。在28nm至5nm的工艺节点，模拟I/O、内存、逻辑电路三者缩放速度出现显著差异，同时在5nm以下，晶体管密度提升幅度明显放缓。单位面积成本方面，14nm以下的单位有效面积成本大幅提升。台积电CoWoS先进封装客户为英伟达、AMD、博通等，集成TSV、2.5D/3D、异构集成等领先技术。CoWoS通过在硅晶圆片上安装裸芯片（die）并与中介层（interposer）结合，再将其封装于有机封装基板（通常为ABF基板）上，从而形成高密度的2.5D/3D

系统级封装。CoWoS

的核心在于使用中介层作为互联层，可以将处理器、与堆叠式高带宽存储（HBM）等多种芯片集成在一个平台上，提高带宽和功耗效率。其他类似的先进封装方案还有英特尔EMIB/FOVEROS、三星I-Cube（2.5D封装）和X-Cube（3D封装）等。图：摩尔定律放缓背景下，先进制程重要性提升图：台积电

先进封装方案CoWoS数据：AMD，台积电，未来半导体，半导体行业观察，浙商证券研究所701

AI和HPC推动，预计2030年先进封装市场规模近800亿美元受益AI和HPC推动，预计2030年先进封装市场近800亿美元。根据Yole，2024年先进封装市场规模460亿美元，同比大增19%，展望2030年预计将超过794亿美元，2024-30年CAGR达9.5%。细分市场上，2024年移动与消费电子仍是最大市场，占比约70%，预计通信与基础设施将是增长最快的细分市场，2024-30年CAGR达14.9%，主要受益于AI、GPU、云与数据中心需求、以及Chiplet架构的普及。封装企业方面，英特尔、索尼、三星等下游客户偏重通信与基建，安靠科技、日月光、长电科技等在汽车电子享有盛誉，台积电涉足消费电子、通信等，包括为苹果公司提供InFO、为英伟达GPU提供CoWoS方案。目前台积电CoWoS是AI芯片（如英伟达GPU等）主流选择，CoWoS技术成熟度高、良率稳定，已经多代演进（如CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L等），不同版本针对不同性能和成本需求优化。例如，CoWoS-R/L

采用更大硅晶圆面积、改进的线路密度和封装材料，以支持更大的GPU模组和更多HBM堆叠。图：2030年先进封装市场规模有望超794亿美元，图：2024年先进封装市场下游（按终端应用拆图：2024年先进封装行业前10名厂商一览2024-30年CAGR

9.5%分）数据：Yole，未来半导体，半导体行业观察，浙商证券研究所8现有封装材料体系遇瓶颈，玻璃有望接棒，成为下一代中介层、封装基板材料01玻璃有望接棒传统中介层材料，提供芯片间更高密度互连。以台积电CoWoS为例，当前英伟达Blackwell、Hopper产品主要采用CoWoS-S（硅中介层）、CoWoS-L（局部硅互连+RDL），AI芯片&HBM堆叠在中介层上，中介层作为芯片“桥梁”影响重大。传统硅中介层虽性能佳但成本高，有机中介层成本低但高频损耗大、热膨胀、翘曲较大。玻璃相比而言，具备优异射频性能、低膨胀系数、高机械强度及原材料成本低的优势，能够提供更低功耗、高速的信号传输。有机基板正逼近其物理极限，玻璃基板延续封装密度和集成规模的提升，为数据中心、AI提供改变游戏规则的解决方案。当前随着AI芯片封装规模的逐代升级，集成芯片的数量也不断增加，已不断逼近有机基板的极限，基板制造良率大大降低，翘曲量增加、可靠性下降，成本较高。对比而言，使用玻璃作为芯层，材料上，其表面平整度、翘曲量、湿热抗性远高于芯层有机材料，从而提升制造精度，布线密度超过当前ABF基板极限。封装尺寸上，随着AI芯片功能复杂度提升，封装面积变大，大尺寸的玻璃基板能更好满足系统性集成的需求。图：台积电CoWoS-S/R/L结构图表：英伟达产品迭代，封装芯片数量及尺寸增大

表：玻璃、有机、陶瓷三大类基板材料性能对比电学性质机械性质热学性质

物理形态成本高，TSV加工难度大，英伟达H100、AMDMI300采用HBM数量和容

核心尺寸／叠层烧结，生瓷带表面粗糙度约0.3μm，收缩率15-20%芯片代号

架构集成芯片数量/GBｍｍ２杨氏模量300-

CTE

7-400GPa陶瓷

介电系数5-8014ppm适合对成本较为敏感的AIASIC

GP100应用、网通设备或边缘AIPascalVolta4/166105577介电系数2-5，可认为绝缘，有机

线宽线距小于10μm布线难度高介电系数3.5-

杨氏模量100-10，可认为绝

150GPa；玻璃

缘，TGV低热导，

加成法ABF积层，CTE>12pp

需要粗化以提升GV1004/165/405/80815826814ABF杨氏模量15-50GPam粘附性GA100AmpereHopper成本介于S、R系列，英伟达Blackwell开始主要使用CoWoS-LGH100低热导，

自流平实现超高CTE

2.7-

表面平整度Tg>400摄氏度，一般认为不软化≥６００（２颗）12.4ppm调可

（<4nm），厚GB100Blackwell8/19210pitch>150-200μm度50-500μm数据：台积电，半导体封装，陈昶昊等《面向芯粒集成的玻璃芯基板应用与关键挑战》，浙商证券研究所9英特尔定调，玻璃基板未来几年有望开始接棒有机基板01英特尔转向未来的玻璃基板，计划2026-30年量产。回顾封装基板历史，英特尔早在20世纪90年代就引领了行业从陶瓷基板向有机基板的转变，ABF基板已成为当下CPU/GPU等主流选择，然而英特尔认为ABF有机基板在未来几年将达到极限，其在23年9月份，向业界展示了玻璃基板样品，发布了玻璃基板技术路线图，并在其亚利桑那州工厂建立了玻璃基板研发线和供应链，拟在2026-30年实现量产。图：英特尔封装基板材料迭代路线图图：英特尔玻璃基板和有机基板对比数据：英特尔，半导体行业观察，浙商证券研究所10玻璃基板潜在市场空间上百亿美元，AI场景有望率先落地01AI拉动ABF载板需求，2028年市场有望达百亿美元。当前全球封装基板市场主要以ABF、BT有机材料为主，其产值在24年为126亿美元，Prismark预计29年为180亿美元，2024-29年CAGR

7.4%。产品结构方面，ABF载板基材是ABF树脂，相比BT载板，能做到更细、更小线路，适用于CPU、GPU、ASIC等高性能计算芯片封装，23年其市场规模为67亿美元，Prismark预计28年达103亿美元；BT载板主要用于存储芯片、MEMS芯片、RF芯片等。2026-2030年期间，玻璃基板将逐步迈向商业化阶段，潜在市场达上百亿美元。从玻璃作为封装基板的研究阶段，以英特尔为例，该方面研究已经十多年，在2021-23年取得关键突破后，发布了玻璃基板样品，并计划在2026-30年期间量产。除英特尔外，日韩、中国等众多厂商有玻璃基板量产规划，也大多落在2027-30年。我们认为，随着后续玻璃基板在工艺（通孔、电镀等）、产业链配套上不断成熟，其将先从CPU、GPU等场景落地，将逐步开启渗透替代有机基板的百亿美元市场。图：2029年全球封装基板产值预计约180亿美元图：ABF、BT基板产品结构占比图：玻璃作为下一代基板材料，未来有望在AI场景率先落地ABF

BT全球封装基板产值（亿美元）yoy100%90%80%70%60%50%40%2001801601401201008060%50%40%30%20%10%0%60-10%

30%-20%

20%-30%

10%40200-40%0%2018

2019

2020

2021

2022

2023

2024

2025E

2029E2018201920202021202220232024E

2029E数据：Prismark，臻鼎科技集团官网，深企投产业研究院，未来半导体，半导体行业观察，Yole，越摩先进公众号，浙商证券研究所1102板级封装未来渗透空间广阔板级封装&全玻璃基板是全球产业趋势，中美韩等积极布局球产业趋势12封装行业演变：由圆变方，板级封装已在PMIC电源、RFIC射频等中低端市场实现量产02板级封装在降本提效、适配大尺寸芯片等具备优势。扇出型面板级封装FOPLP对应晶圆级封装FOWLP，是将die重构在更大的方形载板上进行Fan-Out的技术，核心优势在降本，以300mm晶圆级封装与515mm×510mm面板级封装对比，面板级封装的芯片占用面积比高达93%，而晶圆级封装仅64%，同时，FOPLP可以利用板级的大空间提高封装效率，更适配大尺寸芯片。FOPLP低端制程（采用金属基板等）已量产出货，玻璃通孔TGV仍待攻克，冲击AI、HPC高端市场。作为中国台湾面板龙头，群创光电利用多年的大尺寸面板制造经验，积极转型半导体封测，其FOPLP技术蓝图分三阶段，首先Chip

First（先晶片）制程，已在25年二季度正式量产出货，采用金属基板进行封装，月度出货达百万颗级别，用于PMIC电源、RFIC射频等较低I/O产品；其次为布局中高阶产品的重布线层（RDL

First）制程，预计1-2年内导入量产，用于消费级芯片；最后技术难度最高的玻璃通孔TGV制程，将与合作伙伴共同研发，估计尚需2-3年才能投入量产，用于AI和HPC。图：FOPLP相比FOWLP，具备降本提效、适配大尺寸芯片等优势图：群创光电FOPLP三阶段技术蓝图数据：群创光电，艾邦半导体网，深圳先进电子材料国际创新研究院，浙商证券研究所13封装行业演变：玻璃通孔TGV是板级封装未来在AI芯片等高端市场突破的关键02三大类厂商（封测厂、晶圆代工厂、面板厂）积极布局FOPLP。扇出型封装份额上，板级封装仍是小众，占比10%以内，近些年来多家大厂投入研发，积极攻克大板翘曲、芯片组装精确度、设备材料等产业化瓶颈，除群创等面板大厂跨界外，老牌封测大厂（日月光、力成科技等）均积极布局，日月光23年底宣布扩张并投资产线，产线预计25年底完成试产，26年起送样客户进行认证。根据TrendForce，AMD

已与日月光接洽讨论以FOPLP封装PC处理器，高通则与日月光洽谈将电源管理IC采用FOPLP。此外，根据Digitimes报道，马斯克同样正筹划在美国建造FOPLP新厂，最快26年三季度底正式量产。基板材料向玻璃升级，是FOPLP产业升级关键，预计未来1-3年内有望陆续在CPU、AI/GPU等领域实现量产。群创光电目前已量产的Chip-First版本，线宽约为10μm，以低端应用为主，后续若想突破进军高端市场，工艺、材料的升级尤为关键，玻璃通孔TGV技术因支持更高密度的布线尤为关键。力成科技表示预计2027年起FOPLP可逐步对高阶CPU/AI应用贡献营收。表：部分厂商在面板级封装的布局及进展图：布局FOPLP、FOWLP工艺的中国大陆、中国台湾的厂商相关企业板级封装进展全球最大半导体封装测试厂之一，根据日月光营运长吴田玉于2025年2月的说明，该产线将于2025年底前完成试产，2026年起送样客户进行产品认证：根据TrendForce，AMD

已与日月光接洽讨论以FOPLP封装PC处理器，高通与日月光洽谈将电源管理IC（PMIC）采用FOPLP，显示国际大厂对日月光FOPLP能力的认可，应用范围从高阶PCCPU到类比PMIC皆有涉及日月光群创是中国台湾面板龙头，根据群创三阶段的制程蓝图：首先ChipFirst（先晶片）制程在2025年导入量产，用于较低I/O的产品；接着规划RDLFirst（重布线先行）制程，针对中高阶产品，预计1～2年内量产；最后是TGV玻璃通孔制程，难度最高，群创将与合作伙伴共同开发，预估2～3年后投入量产群创光电作为中国台湾记忆体封测的龙头，截至2025年，力成已经完成面板级封装产能的布建，并率先进力成科技

入量产阶段，展望未来，力成管理层表示预计2027年起FOPLP

可逐步对高阶CPU/AI应用贡献营收整合当前CoWoS和FOPLP技术，台积电计划推出CoPoS，即CoWoS面板化，根据Digitimes报道，台积电台积电已规划2026年设立首条试验线，量产据点为嘉义AP7的P4、P5厂，最快2028年底至2029年上半年量产根据Digitimes报道，马斯克正筹划在美国建造FOPLP扇出型面板级封装新厂，已进入设备交机阶段，最快2026年三季度底正式量产特斯拉等数据：深圳先进电子材料国际创新研究院，Yole，艾邦半导体网，Digitimes，TrendForce，群创光电，浙商证券研究所14玻璃基板全球产业趋势：台积电CoPoS或有望接棒CoWoS02AI芯片推动台积电CoWoS需求高增长。台积电作为全球晶圆代工龙头，24年营收高达920亿美元，其中先进封装业务占比达8%，从CoWoS产能看，据Counterpoint

Research预测，24年产能4万片，预计25年、26年将分别达7.5、10万片，受产能及英伟达等下游客户需求推动，预计25年先进封装收入占比将超10%。CoPoS或有望接棒CoWoS，预计2028-29年量产。CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）是在CoWoS基础上的面板级封装技术，核心“圆形晶圆变为方形面板”，用矩形的大面积基板替代硅中介层。CoPoS最大优势在于更高的面积利用率与成本效益，较大的封装空间允许集成更多芯片与HBMs，从而提升单个封装的性能和I/O密度。据Digitimes报道，台积电已规划26年设立首条试验线，量产据点为嘉义AP7的P4、P5厂，最快28年底至29年上半年量产。图：2023-2026年台积电CoWoS产能及预测（片）图：CoWoS面板化结构图表：CoWoS与CoPoS的对比120000CoWoSCoPoS晶片与硅中介层先整合，再100000技术核心中介层材料优势晶片模组在面板上封装100000安装到ABF封装基板上硅可能采用玻璃基板和TGV技术75000800006000040000200000生产效率更高、单位成本更低，适用于大面积设计技术成熟开发中，据Digitimes报道，台积电已规划2026年设立首条试验线，量产据点为嘉义AP7的P4、P5厂，最快2028年底至2029年上半年量产400002024量产时间已进入量产120002023应用AI、HPC、HBM堆叠模组依赖ABF基板，台积电CoWoS产能为关键瓶颈供应链变化驱动面板级封装设备材料升级20252026数据：Wind，未来半导体，Counterpoint

Research，Digitimes，Manz，科技新报，半导体封装，浙商证券研究所15玻璃基板全球产业趋势：英特尔引领，美国政府补贴Absolics02英特尔计划2026-30年实现玻璃基板商用，作为芯片巨头，其在20世纪90年代主导推出了当前先进封装主流采用的ABF载板，随着后摩尔时代，有机载板逐步逼近物理极限，23年9月，公司向业界展示了玻璃基板样品，发布了玻璃基板技术路线图，并在其亚利桑那州工厂建立了玻璃基板研发线和供应链，拟在2026-30年实现量产。Absolics公司玻璃基板项目获美政府补贴，其是韩国SKC子公司（与佐治亚理工大学3D封装研究中心有合作），在2024年被美国商务部依据《芯片与科学法案》授予高达7500万美元的补贴用于工厂建设，计划在2025年底前完成量产准备。图：英特尔先进封装方案一览表：英特尔、、玻璃基板相关进展AMD

Absolics公司玻璃基板相关布局2023年9月向业界展示了玻璃基板样品，发布了玻璃基板技术路线图，并在其亚利桑那州工厂建立了玻璃基板研发线和供应链，拟在2026-2030年实现量产英特尔AMD2024年获得玻璃基板相关核心专利韩国SKC子公司，2024年美国商务部依据《芯片与科学法案》授予其高达7500万美元的直接补贴资金用于在佐治亚州科文顿建造一座

120,000

平方英尺的工厂。根据韩国先驱报在25年5月份报道，Absolics计划在2025年底前完成量产准备，目前位于美国佐治亚州的工厂（年产能1.2万平方米）已启动原型产品生产Absolics数据：英特尔，艾邦半导体网，电子半导体观察，半导体行业观察，浙商证券研究所16玻璃基板全球产业趋势：中美韩全球供应链争相布局02表：玻璃基板产业链相关公司及进展相关企业产业链位置国家/地区玻璃基板相关进展英特尔芯片设计芯片设计美国美国2023年9月向业界展示了玻璃基板样品，发布了玻璃基板技术路线图，并在其亚利桑那州工厂建立了玻璃基板研发线和供应链，拟在2026-2030年实现量产2024年获得玻璃基板相关核心专利AMD芯片代工、封测台积电日月光中国台湾

先进封装代表厂商，计划推出CoPoS，根据Digitimes报道，台积电已规划2026年设立首条试验线，量产据点为嘉义AP7的P4、P5厂，最快2028年底至2029年上半年量产芯片封测中国台湾

全球最大半导体封测厂之一，日月光的面板级封装技术储备十年有余，基于此正在探索玻璃基板封装方案芯片代工、封测三星电子韩国目标从2028年将玻璃基板引入先进封装，用玻璃替代硅中介层通富微电长电科技芯片封测芯片封测中国大陆

具有玻璃基板封装相关技术储备，具备使用TGV玻璃基板进行封装的技术能力中国大陆

有储备针对TGV的相关配套封装技术厦门云天半导体

芯片封测中国大陆

致力于面向新兴半导体产业的先进封装与系统集成，已突破2.5D高密度玻璃中介层技术群创光电京东方--中国台湾

群创是中国台湾面板龙头，根据其FOPLP技术蓝图，第三阶段将是TGV玻璃通孔制程，公司将与合作伙伴共同开发，预估2027-2028年后投入量产京东方在BOEIPC2024上展示了专为半导体封装设计的玻璃基面板级封装载板，25年6月，研发测试线设备开始搬入。按照规划，2027-28年将确立BOE玻璃基半导体品牌，中国大陆建立完整的供应链伙伴关系，2028-30年构建全球玻璃基半导体生态系统，推动玻璃基板在AI芯片领域的高端应用韩国SKC子公司，2024年美国商务部依据《芯片与科学法案》授予高达7500万美元的直接补贴资金用于在佐治亚州科文顿建造一座

120,000

平方英尺的工厂。根据韩国先驱报在25年5月份报道，Absolics计划在2025年底前完成量产准备，目前位于美国佐治亚州的工厂（年产能1.2万平方米）已启动原型产品生产Absolics玻璃基板制造玻璃基板制造韩国韩国三星电机沃格光电康宁目前在韩国世宗工厂建立一条玻璃基板试验线，计划于

2027

年开始大规模量产半导体用玻璃基板中游玻璃基板制造中国大陆

国内领先玻璃基板厂商，显示领域，25年已实现在MiniLED项目上玻璃基背光板的量产；半导体领域，子公司通格微TGV玻璃基载板产线已进入小批量供货阶段美国

业内知名特种玻璃厂商，现有半导体业务中提供玻璃载板，开发玻璃基板先进封装方案中国大陆

国内前三光学玻璃大厂，半导体封装领域玻璃载体已量产，TGV封装用的玻璃基板送样下游厂商验证德国

提供玻璃基板激光加工设备，公司率先提出激光诱导蚀刻法（LIDE），是当前TGV通孔主流方案玻璃提供商玻璃提供商设备制造商设备制造商设备制造商戈碧迦乐普科帝尔激光东威科技中国大陆

面板级玻璃基板通孔设备已出货，实现了晶圆级和面板级TGV封装激光全覆盖中国大陆

已布局玻璃基板镀铜设备数据：未来半导体，艾邦半导体网，半导体行业观察，电子半导体观察，digitimes，各公司公告&官网，浙商证券研究所1703TGV通孔、填孔、RDL布线三大核心工序介绍制备工艺产业化卡

的工艺难点18玻璃基板制备工艺：涉及TGV通孔、填孔、RDL布线等03玻璃中介层/玻璃芯基板制备工艺涉及TGV通孔电镀、RDL重布线层等，其典型封装流程包含1）TGV通孔&电镀：利用激光诱导等技术在玻璃特定区域形成通孔结构，随后通过PVD或化学镀在玻璃表面及孔侧壁沉积金属种子层，并采用电镀在通孔内部及基板正反面布线区域填充金属，在芯层上下两面表面形成两层金属布线层；2）其次，在基板两侧分别层压聚合物干膜（如ABF）作为介质增层材料，并通过开孔工艺将底部金属焊盘暴露出来；3）RDL布线等：再通过种子层沉积、光刻图形化、电镀和去胶工艺形成金属布线，重复多次形成多层布线，形成上下表面与通孔之间的电连接；4）最后，在基板正反面形成钝化保护层，同时开窗露出最终的焊接焊盘，为后续芯片互连及系统封装做好准备。TGV技术是玻璃基板加工工艺核心，当前成熟度仍有待提升。玻璃基板与有机基板差异在核心支撑层是玻璃，但增厚部分仍可使用味之素堆积膜ABF，相比现有材料的成熟载板加工工艺，玻璃基板产业化仍需克服TGV通孔加工仍较为困难、形貌难以灵活调控、可靠性不足等工艺难点。图：玻璃基板封装典型工艺流程表：玻璃基板三大核心工艺流程简介核心工序工艺要求通孔TGV

通孔的制备需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求通孔工序后，为实现垂直互连，需要在制备的通孔里填充导电材料，原理与TSV电镀相似，区别在于玻璃本身是一种绝缘材料，因此不需要绝缘层，工艺流程通常包括种子层沉积和电镀俩步骤填孔三大核心工序在当前先进封装向多芯片集成、异构集成的背景下，为满足带宽提升和信号完整性要求，封装基板需要支持更小的线宽线距，实现更高布线密度和更短的信号路径RDL布线数据：赵瑾等《玻璃基板技术研究进展》，邵滋人等《玻璃芯基板技术应用探讨》，马丙戌等《玻璃通孔技术及其可靠性研究现状》，浙商证券研究所1903

TGV通孔是关键工序，激光诱导刻蚀法是当前主流TGV通孔目标是制作高深宽比、内壁具有高光滑度的结构。从制备目标来看，TGV技术需解决1）通孔的高深宽比，开发高效率、低成本的方法，满足高密度互连需求；2）低损耗金属化，开发低电阻率、高附着力的金属化工艺，降低信号传输损耗；3）异质集成方案，实现玻璃与其他材料的（硅、有机材料等）的异质集成。激光诱导刻蚀法是当前主流方案，在高深宽比、小尺寸加工具备优势，同时兼具成本、效率、TGV形貌可调等特点。总体上看，玻璃通孔制备有传统机械加工法、聚焦放电法、激光等多种方案，传统机械加工法虽然成本低、易于快速制作，但玻璃的脆性导致其容易产生裂纹，同时加工的孔壁内部粗糙。因此，当前业内主流方案是由LPKF乐普科公司率先提出的激光诱导刻蚀法，利用超短激光脉冲在玻璃基板上永久变性，后通过化学刻蚀获得高深宽比的TGV。表：不同加工方法在TGV通孔方面的特点图：激光诱导蚀刻法通孔加工工艺及效果通孔制备方法深宽比

通孔直径/μm优点缺点加工精度低，孔径较大，侧壁粗糙机械加工法1~5100~40020~50020~500工艺简单，成本较低孔壁形状不垂直，需要后续热处理聚焦放电法1~101~10可加工多种类型玻璃电化学放电加工法高深宽比、表面光滑、可能产生微裂纹和热适合大面积基板影响区可能产生热效力导致裂纹，孔壁粗糙度较大加工速度快、可实现小孔径加工激光烧蚀法1~701~705~705~70成孔质量高、无裂纹、需要激光预处理，需速率快、可调控孔形

要使用氢氟酸刻蚀，激光诱导变性刻蚀法状存在安全和环保问题数据：马丙戌等《玻璃通孔技术及其可靠性研究现状》

，张兴治等《芯片封装用玻璃基板通孔加工和填充技术》，浙商证券研究所20电镀工艺是TGV填孔主流方案，RDL布线对提升性能不可或缺03金属电镀是TGV填孔主流方案。在TGV成孔后，需要对其填充以实现电气互联，主流采用金属电镀填充，先通孔内溅射种子层，后通过电镀工艺逐步填满通孔。工艺上，传统完全填充方式存在工艺耗时长、成本高的局限性，选择部分填充（沿着孔壁侧或采用半封闭结构进行填充）可优化时间和成本，目前在电性能上已接近完全填充技术。细间距的金属互连技术对提升系统集成、整体性能不可或缺。芯片间的高速、高密度互连是AI时代芯片算力提升的关键瓶颈，当前业内RDL金属布线有三种主流路线，台积电在2024年利用数字光刻和低温溅射技术在37cm*47cm玻璃基板上堆叠了5层RDL，厦门云天半导体通过大马士革工艺成功制备出5层薄膜介质的RDL互连堆叠结构，最细RDL线宽达1.5μm。图：玻璃转接板通孔和盲孔电镀的工艺流程

表：电镀工艺对比表：RDL金属布线三大技术路线及其对比工艺过程特点代表公司技术路线RDL金属布线流程工艺特点首先在晶圆表面溅射钛层/铜层粘附

该工艺对种子层粘附性、层和种子层，并通过旋涂PR光刻胶

电镀均匀性、药液交换效在形成通孔后，需要在通孔内壁沉积一层金属

凭借优异导电性能、成种子层，通常采用PVD或CVD法实现，

种子层

熟的工艺流程及高效的TSMC、ASE、Intel等半加成工艺

经曝光露出电镀区域，然后通过电

率等要求较高，成本相对镀、湿法去胶、湿法刻蚀等工艺实

低，通常用来制备线宽/线金属电镀填充

材料一般为铜或镍，通过电镀工艺将铜和镍填

填充能力，已成为当前充到通孔中，

在电镀过程中，金属离子在电场

TGV通孔填充的主要方现RDL线路制作距≥5μm/5μm的产品作用下在种子层表面还原，逐渐填满整个通孔法利用前道大马士革工艺在无极介质层上制备亚微米金属布线，先沉积该方案降金属布线嵌入介质层中来增加与基材的结合力，为实现线间距RDL(≤2μm)提供了解决方案Amkor、厦门云天半导体等前道大马士革

无机介质层上制备亚微米金属布线，工艺等先沉积无机介质层并在特定区域开窗，而后正面电镀金属，接着利用CMP抛光工艺实现覆铜层的去除指通过在玻璃通孔中填充导电膏形成导电路径，导电膏通常包含导电颗粒和黏结剂。

当在玻璃

使用范围较小，受到导基板上形成高精度通孔后，首先应对通孔内壁

电膏填充的通孔在长期进行表面处理以增强导电膏的附着力，然后将

使用中可能会出现裂纹导电膏通过丝网印刷、注射填充或印刷涂覆的

或分层等影响方法填充到玻璃通孔内导电膏填充通过剥离、离子束刻蚀（IBE）以及沟槽等技术进行精密加工，实现线宽线距均≤2μm的图案，显著提高互连密度该工对生产条件要求严格，对设备配置、制造尺寸有较高要求，导致成本较高-半导体硅工艺数据所：赵瑾等《玻璃基板技术研究进展》，马丙戌等《玻璃通孔技术及其可靠性研究现状》

，张兴治等《芯片封装用玻璃基板通孔加工和填充技术》，浙商证券研究

21业内正积极攻克工程化难点03玻璃基板优势在大尺寸、细间距和高集成度，但同样由于大尺寸面积结构及玻璃材料本身的脆性、绝缘不导电等，带来一些工程挑战，业内正积极探索其解决方案：1）ABF开裂问题，在多层基板结构中，增层介质材料作为上下金属布线之间的绝缘层，其界面结合强度对结构稳定性尤为重要，若其与金属附着力不足，有爆板、界面剥离失效的风险，对此业内有提出退火处理工艺等方向，可显著提升结合强度；2）玻璃基板翘曲变形问题，因内部各材料的CTE差异，在热胀冷缩中会在界面处积累机械应力，从而导致板体发生翘曲，影响封装效果，对此业内重点在优化结构设计和材料选择，包括采用低CTE的核心层材料搭配高附着力聚合物层压材料的结构，可显著降低整体翘曲水平；3）金属化问题，由于玻璃非导电材料，通孔内部难实现均匀电镀，易出现孔内空洞、侧壁填充不足等，业内当前研究方向主要在优化药水配方、开发针对玻璃基板结构的高性能电镀药水。图：

玻璃基板产业化仍需攻关的技术问题一览表：玻璃基板仍有待解决的可靠性问题及解决方向仍有待解决的可靠性问题原因解决方向多层基板结构中，增层介质材料作为上下金属布线之间的绝缘层，其界面结合强度对结构稳定性尤为重要，若该材料与下层金属的附着力不强，在后续制造和可靠性测试中，有出现爆板、界面剥离等失效现象业内有提出退火处理工艺等，促进铜晶粒生长，同时诱导氧化亚铜生成，促使铜与ABF发生一定程度的界面互扩散，从而提升二者的结合强度ABF开裂来自于内部各组成材料CTE的差异，不同材料

可通过优化结构设计与材料选择，可在一因受热胀冷缩程度不同而产生不均匀的热应变，定程度上控制翘曲，比如在核心材料与聚从而在界面处累计机械应力，最终导致板体发

合物层压介质之间的相互作用中，优化聚翘曲变形金属化生翘曲合物材料的CTE参数可有效改善翘曲由于玻璃本身并非导电材料，通孔侧壁难以实现均匀电镀，同时玻璃表面润湿性差、电极结构复杂，促使玻璃基板在电镀过程中更容易出现孔内空洞、侧壁填充不足等问题，导致电镀质量不稳定针对玻璃基板结构开发专用高性能电镀药水，已有研发团队通过对药水成分进行优化提升了电镀效率、并改善金属沉积形貌等数据：赵瑾等《玻璃基板技术研究进展》

，浙商证券研究所22显示04半导体应用市场光模块&CPO射频&IPD23重点关注玻璃在先进封装、光通信领域的进展04玻璃已在显示行业大量应用，2026-30年有望在先进封装（中介层、玻璃芯基板）、光模块&CPO量产：➢

显示：TFT-LCD玻璃基板是成熟市场，由欧美、日本厂商主导，24年全球市场收入61.2亿美元；新型显示方面，25年是玻璃基Mini

LED背光量产元年，沃格光电玻璃基板应用于海信大圣G9显示器，潜在替代空间超千万台MiniLED设备。➢

半导体：玻璃在封装目前主要作为载板（临时载板），用于临时键合，主要用于晶圆减薄、扇出封装和先进2.5/3D封装工艺；业内当前研发重点在使用玻璃替代硅中介层、有机基板等，进度总体处于试验线阶段，预计2026-30年将迈向量产。➢

光模块&CPO：当前仍处于研发阶段，沃格光电等头部厂商已完成小批量送样。➢

射频&IPD：使用玻璃替代LTCC、有机堆叠基板、高阻硅等衬底材料，业内已量产。图：玻璃在半导体封装可用做临时载板、中介层、玻璃芯基板表：玻璃在半导体、显示、光模块/CPO、射频等终端场景的用途及规模玻璃应用领域玻璃用途说明市场规模/市场成熟度玻璃载体用于临时键合，主要用于晶圆减载板规模化应用薄、扇出封装和先进2.5/3D封装工艺研发阶段，英特尔、Absolics、京东方等已建成/在建试验线，预计2026-2030年期间量产，潜在市场替代空间上百亿美元半导体玻璃中介层、玻璃芯基板替代硅中介层、有机基板等成熟市场，2024年全球市场收入61.2TFT-LCD玻璃基板TFT-LCD显示器重要组成部分替代PCB等传统背光方案亿美元显示玻璃基Mini/Micro

LED基25年是玻璃基Mini

LED量产元年，潜在市场空间超千万台Mini

LED设备板研发阶段，沃格光电等披露已完成小批量送样光模块/CPO基板/中介层/光波导替代硅中介层、有机基板、聚合物波导等射频/IPD集成无替代低温共烧陶瓷(LTCC)、有机堆叠基板、衬底材料已量产源器件高阻硅等数据：Yole，Omdia，沃格光电公众号&公告，半导体行业观察，云天半导体，康宁官网，戈碧迦公告，Prismark，深企投产业研究院，徐美君《聚焦TFT-LCD用24玻璃基板发展与市场》，陈俊伟等《玻璃基板在光电共封装技术中的应用》，吴磊《玻璃在射频系统封装和射频元件中的应用研究进展》，浙商证券研究所显示：玻璃基板是产业链上游核心原材料04TFT-LCD玻璃基板是显示产业链上游核心原材料。TFT-LCD又称“真彩显示器”，广泛应用于电脑、手机、液晶电视等终端，是液晶显示器的主流。TFT-LCD液晶显示器对玻璃基板配套要求严格，从LCD结构看，1片LCD面板需要使用2片玻璃基板，分别用于底层玻璃基板和彩色滤光片底板。TFT-LCD玻璃基板发展走向大尺寸、超薄、极平整纯净，其制造工艺有传统浮法、溢流下拉法两种，其中溢流下拉法是由美国康宁在1964年发明，是当前业内主流，全球TFT-LCD玻璃基板主要玩家包括美国康宁、日本旭硝子、电气硝子、国内彩虹股份等。从全球龙头康宁的产品来看，显示技术对玻璃基板性能要求严苛，具体体现在1）大尺寸，包括康宁已有约3米乘3米玻璃基板，能为大尺寸电视生产提供经济高效切割；2）薄，在大尺寸基础上做到轻薄；3）平整和纯净，有助于实现高质量的画质。图：显示材料产业链图：TFT-LCD结构图：显示玻璃基板尺寸持续升级迭代数据：郑聪等《TFT-LCD玻璃基板品质对面板制程的影响》，彭寿等《光电显示玻璃的应用与发展趋势》，徐美君《聚焦TFT-LCD用玻璃基板发展与市场》，中25国电子报

，康宁，浙商证券研究所显示：电视大尺寸推动玻璃基板需求稳步增长04电视大尺寸推动，预计未来几年显示玻璃基板市场将保持个位数增长。从市场份额上，美国康宁、日本电气硝子、旭硝子占据全球大部分显示玻璃基板份额，历经前期价格战后，2023年供应过剩局面开始改善，康宁率先在业内开启提价20%，日本等厂商也随后在24年跟进，促进了行业止跌企稳。从康宁财务上看，24年康宁显示业务收入结束自21年来的下行趋势，较23年同比提升1.2%，25年前三季度持续改善，较24年同期提升7.8%；从行业趋势上，大尺寸电视销售是推动显示玻璃基板增长主要动力，康宁预测28年65寸及以上的大尺寸电视渗透率将达31%，相较23年提升10个百分点。图：全球显示玻璃基板销售及增速图：美国康宁显示业务收入及增速图：大尺寸电视渗透率提升驱动显示玻璃市场增长康宁显示业务收入（亿美元）YOY40353025201510525%20%15%10%5%36.6630.7728.2926.9427.2722.020%-5%-10%-15%-20%-25%0数据：Counterpoint

Research，美国康宁，Wind

，Display

Insights公众号，浙商证券研究所26显示：关注玻璃基板在Mini

LED终端的渗透进程04MiniLED+玻璃基板（玻璃基替代传统PCB板背光方案）正重塑高端显示竞争格局：1）MiniLED在终端渗透率大幅提升：TrendForce预测2024年Mini

LED背光产品出货量为1379万台，2027年可达3145万台。细分市场上，洛图科技RUNTO预测，2025年全球和中国Mini

LED电视出货量将分别为1209万台和783万台，同比增长54%、88%，OLED电视在2025年全球出货量预计为651万台。2）25年是玻璃基MiniLED量产元年：产品端，虽MiniLED凭借高性价比迅速崛起，但当其向更高分区发展，会面临高额成本和明显的光晕影响。2025年上半年，海信首款搭载沃格光电玻璃基MiniLED的高端旗舰显示器大圣G9发售，其视效可媲美OLED，同时制造成本比OLED低。产业布局端，沃格光电已建成年产100万平米玻璃基Mini

LED基板产线。市场端，25年全球超1800万台的MiniLED+OLED电视出货均为玻璃基潜在市场，此外显示器方面，海信大圣G9已成为全球首款玻璃基方案的显示器。图：2025年全球/国内Mini

LED、OLED电视销售图：玻璃基mini

LED已在海信显示器大圣G9实现量产1400中国

全球1209万台120010008006004002000783万台651万台10万台以内OLED电视MiniLED电视数据：TrendForce，RUNTO，沃格光电公告&公众号，SemiDisplay

View公众号，浙商证券研究所2704

CPO：玻璃有望实现基板、光波导材质等替换CPO技术发展将推动玻璃基板逐步替代传统有机和硅基板。随着数据中心网络带宽需求爆发式的增长，光模块传统的可插拔方案在功耗和封装密度方面逐渐逼近瓶颈，业内如台积电等厂商已公布CPO光电共封技术相应路线图，但同时实现CPO将对封装材料提出更高要求，玻璃基板相比硅中介层在高频信号的传输上更有优势，同时适合大尺寸面板封装。玻璃基板正逐步成为光波导技术的首选材料。光波导技术作为实现CPO的关键，其中玻璃基板因具有广泛的光谱透明性、低光学损耗以及良好的工艺适配性，正日益受到重视。制备方法方面，当前离子交换法因其批量制造能力突出、光学损耗低且长期稳定性好等优势在业内最具代表性。产业内康宁公司采用热离子交换与独特的飞秒激光内部微裂纹技术相结合，直接在玻璃内部形成光滑的波导端面，大幅降低了波导端面制备的工艺难度，提高了大规模量产的效率和良率，其他机构如FraunhoferIZM和厦门大学均有所进展。图：高端数据中心光模块的演进历程表：3种材料制备的光波导性能对比属性玻璃聚合物硅在可见光波段透明，在1550nm时

在红外波段高透明，在可见光波光学透明性系统集成从可见光到红外波段具有高透明性与PCB高度兼容，便于集成透射率较低兼容性差，可能因高温焊接导致性

与CMOS和III-V器件共集成兼容能劣化

性强段低透明模式场直径类似但折射率不同，可

光纤耦合仍存在尺寸和模式失配与光纤连接性模式场直径相似，可进行模式转换能造成菲涅耳反射损耗问题低损耗，非常适合>20GHz的高频因其半导体特性，在高频下损耗介电损耗绝缘电阻通孔能力中等损耗，高频下可用差应用高较大低（需额外绝缘）可进行TSV加工，但需额外绝缘处理可进行TGV加工直径大，间距大，非气密结构耐化学性表面光洁度尺寸稳定性化学惰性，耐腐蚀初始表面非常光滑高耐性差表面粗糙、翘曲、变形低化学惰性，耐腐蚀抛光后光滑高支持晶圆和面板形式，甚至可用于可用规格成本仅面板可用高频材料昂贵晶圆形式材料成本高长期可靠性高卷对卷加工单位面积成本低可靠性长期可靠性高吸水和光学降解导致损耗增加数据：陈俊伟等《玻璃基板在光电共封装技术中的应用》，浙商证券研究所2804

CPO：业内多家已推出CPO玻璃方案，静待商业化落地业内多家已推出CPO玻璃基板方案，积极推进走向商用，以下是部分代表性方案，1）佐治亚理工：佐治亚理工学院封装研究中心在2013年提出的方案，采用约150μm厚的玻璃基板，通过倒装芯片技术将硅光子收发芯片、驱动芯片和跨阻放大器等器件集成在玻璃表面，同时在玻璃背面集成了平面光波导，该方案虽较为早期，但验证了玻璃基板作为光电混合集成平台的可行性。2）康宁：2024年康宁团队展示了一种基于玻璃基板的CPO设计方案：该方案采用离子交换工艺制备单模光波导，在玻璃表面精密加工浅腔，用于嵌入高密度RDL和TGV以实现电信号的互联及供电，与传统的有机基板+硅中介层2.5D封装方式相比，康宁方案以单一玻璃基板承载光电功能，显著简化了工艺流程并具备成本优势。3）厦门云天半导体：2024上半年，已成功将玻璃晶圆级光电转接板和光电器件进行集成，并进一步开发了以EIC+PIC堆叠与玻璃转接板的上下面的形式，进一步小型化，高集成度的三维集成方案。图：佐治亚理工学院基于玻璃基板的CPO方案图：康宁基于玻璃基板的CPO方案图：云天半导体基于玻璃基板的CPO方案数据：陈俊伟等《玻璃基板在光电共封装技术中的应用》，云天半导体公众号，马丙戌等《玻璃通孔技术及其可靠性研究现状》，浙商证券研究所29射频：玻璃在IPD场景已规模化量产04玻璃基是射频集成的理想衬底材料。在典型无线射频架构中，无源器件数量占比高达九成，占据基板面积的60%-70%,随着设备小型化，无源器件集成从传统分立式转向IPD（集成无源器件），玻璃凭借高热导率、低介电损耗以及优异的机械性能，成为射频集成的理想衬底材料。根据Yole咨询，2025年薄膜IPD市场预计为6.07亿美元，其中定制射频IPD

3.6亿美元。业内玻璃IPD方案已规模化量产。根据厦门云天半导体消息，2025Q2，由上海芯波设计、云天半导体制造的3D

GlassIPD单个量产项目交付突破一千万颗，是全球首条3D

GlassIPD生产线规模化稳定产出，其交付总量已占据国内90%以上市场份额。图：IPD技术应用广泛，市场规模持续增长图：基于玻璃衬底的IPD方案厦门云天半导体3D

IPD结构图苏州森丸IPD工艺方案数据：云天半导体，苏州森丸，MEMS，ACT

，Yole，ACT化合物半导体，艾邦半导体网，浙商证券研究所3005产业链环节下游封测、中游玻璃加工、上游玻璃基板&激光、电镀设备&公司介绍31京东方跨界入局，国内领跑05面板大厂京东方跨界入局，领跑国内玻璃基板先进封装产业化，➢

转型板级封装、半导体玻璃基板具备天然优势，首先，面板制造中的薄膜沉积、光刻、蚀刻等工艺经验与半导体制造相通，其可充分利用现有技术和设备；其次，板级封装设计的大尺寸基板处理正是面板厂商的专长，尤其京东方在显示领域处理玻璃基板已积累了丰富的工艺Know-How、供应链优势。➢

技术+产业布局同步推进，锚定2028/30年玻璃基用于AI芯片的高端基板量产。自2024年展出半导体玻璃基板样品以来，25年6月，公司玻璃基板先进封装中试线的设备已搬入。根据其2024-32年技术路线图，2027年将实现深宽比20：1，细微间距8/8μm，封装尺寸110x110mm的量产能力；2029年进一步提升至5/5μm以内、封装尺寸120x120mm以上；产业化布局上，京东方计划2027/28年树立BOE玻璃基半导体品牌，2028/30年构建全球玻璃基半导体生态链，加速玻璃基用于AI芯片的高端基板量产。图：2025年6月京东方玻璃基板先进封装项目设备搬入

表：京东方玻璃基板发展蓝图（半导体先进封装）时间事件意义成为中国大陆首个从显示面板转型先进封装的企业2024年9月在BOEIPC

2024上发布并展出玻璃基面板级封装载板启动设备采购计划，并在北京亦庄举行玻璃基先进封装项目工艺

用于构建以玻璃基板为核心的封装工艺技术2025年6月设备的搬入仪式研发&产业化测试线（中试线）2026年2027年计划实现玻璃基面板级封装载板量产中试线通线，量产目标实现深宽比20:1、细微间距8/8μm、封装尺寸110x110mm的玻璃技术提升品牌与产业链建设技术提升基板量产能力2027/2028年2029年树立京东方玻璃基半导体品牌，打造上下游伙伴供应产业链进一步提升至5/5μm以内、封装尺寸120x120mm以上构建全球玻璃基半导体生态系统，推动玻璃基板在AI芯片领域的2028/2030年生态链完善高端应用数据：京东方，艾邦半导体网，未来半导体，集摩咨询，橙合咨询，浙商证券研究所32中游加工代表：沃格光电深耕玻璃精加工十余载05公司深耕平板显示（FPD）光电玻璃精加工行业，传统主业加工对象以TFT-LCD玻璃基板为主，掌握了国内领先的FPD光电玻璃薄化、镀膜等工艺，客户包括深天马、京东方、TCL集团等。玻璃基板在Mini

LED背光实现从0到1突破，已构筑第二成长曲线。25年海信大圣G9显示器发售，采用公司玻璃基板，成功替代传统PCB背光方案，在显示效果、散热、规模化成本上更具优势，当前玻璃基仍处于渗透初期，替代空间广阔。关注玻璃基板在先进封装（替代有机基板）、光模块/CPO的商业化落地进程。子公司湖北通格微掌握TGV通孔、玻璃基PVD镀膜、高密度布线等核心技术，是国内领先半导体玻璃基板加工厂商，产品覆盖半导体先进封装、光模块/CPO、射频通信等领域，我们认为随着在2026-2030年玻璃在先进封装用做封装基板、光模块/CPO等走向商业化，有望成为公司第三增长极。图：平板显示产业链及沃格光电所处环节+图：通格微核心技术

主力产品数据：沃格光电招股说明书，沃格光电公告&公众号，通格微官网，TrendForce，浙商证券研究所33上游原材料代表：戈碧迦是国内前三光学玻璃大厂，半导体玻璃载板打破国外垄断05公司是光学玻璃+特种玻璃主要制造商，进入等手机终端供应链。公司成立于2009年，其中光学玻璃产品被广泛应用于安防监控、车载镜头、光学仪器、智能投影、照相摄像、智能车灯等领域；特种玻璃主要是纳米微晶玻璃、防辐射玻璃等，其中纳米微晶玻璃客户包括重庆鑫景，其为昆仑玻璃供应商。此外，公司积极整合从原片到终端的全产业链，25年下半年开始，部分手机终端开始采用公司的产品解决方案，并陆续量产交付。拓展半导体、PCB材料领域，开启新兴增长极。半导体领域，公司玻璃载板已通过下游家知名半导体厂商验证，应用在2.5D/3D先进封装等场景，产品已量产实现销售。此外，用于TGV封装的玻璃基板也有所布局，并送样下游厂商认证。PCB材料领域，公司积极推进低介电常数玻璃纤维产线建设&生产。图：戈碧迦玻璃产品下游应用广泛图：昆仑玻璃属于纳米微晶玻璃图：2022-2025H1戈碧迦光学玻璃、特种玻璃业务收入光学玻璃收入（亿元）特种玻璃收入（亿元）98765432105.171.671.153.1420220.393.742.862.06202320242025H1数据：Wind，戈碧迦招股说明书，戈碧迦公告，戈碧迦官网，，浙商证券研究所34上游设备：TGV通孔是关键工艺，国内激光大厂积极布局05TGV通孔作为玻璃基板制造最重要工艺环节，技术壁垒门槛高，其深宽比、内壁光滑度等基板质量有重要影响，除海外乐普科等企业，国内领先激光企业同