2026届山东省淄博市高三仿真考试(淄博三模)化学试卷

2026 回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。 O P S Cl Fe Ni SnD．移动互联：5G芯片使用的氮化镓是新型半导体材料 4．我国科学家低温下合成超高能量N6分子，结构如图所示。下列说法错误的是A．N3 I2CCl4KI— t0.1mol·L−1NaHApHSO2制备NH3，可选用②③ B．制备NaHCO3，可选用④⑦⑨C．分离NaHCO3，可选用④⑤⑥⑦ D．制备Na2CO3，可选用②③⑦⑧C．1molI2molNaOHP4+3OH－+3H2O=PH3↑+3H2PO2－BPH3H2O22:1C．“脱氯”时，Ag2SO4H3PO2的产率液氨和液态CO2合成尿素发生如下反应，其中反应I是快反应，反应Ⅱ是慢反应。反应I：CO2(l)＋2NH3(l)NH2COONH4(l) ΔH1＝－117kJ·mol−1反应Ⅱ：NH2COONH4(l) ΔH2＝＋16n0(CO2)＝1mol，n0(NH3)＝xmol20min时，体系中含碳或氮物种的B．bNH2CONH2(l)C．T0K时，CO2(l)66.7%新型碱性锡金属液流储能电池装置如图所示。放电时，SnSn(OH)OHSn)1mol[Fe(CN)6]3－生成时，Sn59.5gCu(OH)2(s)+4NH3(aq)[Cu(NH3)4]2+(aq)+2OH－(aq)的平衡常数K=1.6×10－72mL2mol·L−1CuSO42mol·L−12mL2mol·L−1CuSO42mol·L−1NaOH溶液，产生蓝色2mol·L−12份2Cu(OH)2NH4+Cu(OH)295~100℃蒸馏的操作步骤，产品的纯度会下降M2AM2AM2ApH，lgXpH的关系如图所示，其X代表c(M+)、c(A2－)、c(HA－)、c(H2A)。pH=4.6时，c(HA－)＞c(H2A)B．常C．c(A2－)=10c(H2A)时，pH=3.75D．PlgX的值为基态Ti原子最高能级的电子云轮廓图形状为 电子数与Ti相同的主族元素是 相同，若M点原子的分数坐标为m,,1，则N点原子的分数坐标 17．（12分）以磷锂铝石(LiAlPO4FFe2O3、MgO、CaO、SiO2)为原料制LiFePO4的工艺流程如下： ，“焙烧”时生成Li3PO4、AlPO4、Al2O3等物质，主要反应的化学方程式为 mol·L−1]，需控制溶液pH不小于 ；“滤渣1”的主要成分是AlPO4、SiO2、 “沉锂”后，溶液中c(CO2－)=2.5mol·L−1，则c(Li+)= 的母液分离Na2SO4后可导入 B→C E F含有2种不同化学环境的氢原子，则F的结构简式为 ；H+I→J的化学方 L→M的反应过程中，可能生成一种与M互为同分异构体的副产物，该副产物的 其产率的的装置及方法如下(夹持装置略)NiSO2氧化成A3.0gFeS固体，C50mL0.2mol·L−1NiCl2CD中的溶液洗涤沉淀2~3次，每次洗后抽出残液，干燥固体，制得α-NiSm1g。装置B中盛放的试剂为 ；若没有通N2，装置C中可能发生反应的化学方 。检验α-NiS晶体的结构，可采用的仪器分析方法为 B．X射线衍射 实验前，调节装置C中的混合溶液pH=4.4的原因为 称取α-NiSm2gHNO3NiSO4100mL。量20.00mLpH≈10(负离子视为：In－)0.0400mol·L−1EDTA(Y4－)标准溶液滴定。达到终点时平均消耗标准溶液VmL。已知Ni2+(浅绿)+2In－(紫红色)=NiIn2(黄色)，NiIn2+Y4－(无色)=NiY2－(蓝色)+2In－； ；α-NiS的产率为 式表示)。若滴定前加入氨性溶液过多，使pH＞10，会使测定结果 （12分）CH4为燃料气、CaSO4为载氧体的化学链燃烧技术可有效实现氧的传递与 ΔH1＝＋162.9 ΔH2＝＋63.6 p10molCH4(g)20molCaSO4(s)投料反应，平衡体系中，各气态物种的物 b线所示物种为 M点时

)N点对应温度下，可认为CH4(g)被完全氧化，则反应Ⅲ的平衡常数Kp= 含p的代数式表示)。2026化学试题答案及评分标 1分。102201542042056016．（12分球形（1分 Ge、Se（2分分子晶体（1分 O（1分 平面三角形（1分 ＞（1分12（1分 (1,1-m,1)（2分 𝑏3（2分 17．（12分增大接触面积，充分反应，提高反应速率（1分 4.1（2分 Fe2O3、Al2O3（2分0.02（1分 沉钙镁（1分1896（1分18．（12分取代反应（1分 NaOH,H2O,加热（1分 碳氯键、醚键（1分（1分（2分（2分12（2分（1分19．（12分饱和NaHS溶 （1分4NiS+2H2O+O2=4Ni(OH)S（2分 B（1分pHNi(OH)2沉淀，pHc(S2-)NiS（1分被氧化（1分H2S尾气处理装置（1分CD（1分（1分0.02𝑚1𝑉×1