标准解读

《GB/T 20521.1-2026 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器 传感器总规范》与《GB/T 20521-2006 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器——总则和分类》相比,在内容上进行了多方面的更新和完善,主要体现在以下几个方面:

首先,新版标准对术语定义进行了更加详细且准确的修订。增加了新的技术词汇,并对原有的定义进行了优化,以反映当前半导体传感技术的发展状况。

其次,关于分类体系,新版本根据近年来出现的新类型传感器以及应用领域的需求变化,调整了原有的分类方法,使得分类更加科学合理,能够更好地覆盖现有及未来可能出现的各种半导体传感器。

再者,在性能要求和技术指标方面,《GB/T 20521.1-2026》提出了更为严格的标准。这包括但不限于工作温度范围、灵敏度、响应时间等关键参数的具体数值限制,同时也增加了对于新型号或特殊用途传感器的相关测试项目。

此外,新版还特别强调了可靠性试验的重要性,增加了多项针对长期稳定性和环境适应性的测试要求,旨在提高产品的整体质量水平。


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....

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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2026-04-30 颁布
  • 2026-11-01 实施
©正版授权
GB/T 20521.1-2026半导体器件第14-1部分:半导体传感器传感器总规范_第1页
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文档简介

ICS3108001

CCSL.15.

中华人民共和国国家标准

GB/T205211—2026

.

代替GB/T20521—2006

半导体器件第14-1部分

:

半导体传感器传感器总规范

Semiconductordevices—Part14-1Semiconductorsensors—

:

Genericspecificationforsensors

IEC60747-14-12010MOD

(:,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T205211—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

单位符号和分类

4、…………………………5

标志

5………………………6

器件标志

5.1……………6

器件的可追溯性

5.2……………………7

包装

5.3…………………7

质量评定程序

6……………7

概述

6.1…………………7

资格

6.2…………………7

鉴定批准程序

6.3………………………8

试验和测试程序

7…………………………11

标准环境条件和注意事项

7.1…………11

物理检查

7.2……………11

气候和机械试验

7.3……………………12

选择测试方法

7.4………………………12

附录规范性抽样程序

A()………………13

概述

A.1………………13

抽样方法

A.2…………………………13

多重判据

A.3…………………………13

百分之百检验

A.4……………………13

参考文献

……………………14

GB/T205211—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件是半导体器件第部分半导体传感器的第部分半导体器件第部分半

《14:》14-1。《14:

导体传感器已经发布了以下部分

》:

第部分半导体传感器传感器总规范

———14-1:(GB/T20521.1—2026);

第部分半导体传感器霍尔元件

———14-2:(GB/T20521.2—2025);

第部分半导体传感器压力传感器

———14-3:(GB/T20522—2006);

第部分半导体传感器半导体加速度计

———14-4:(GB/T20521.4—2025);

第部分半导体传感器结半导体温度传感器

———14-5:PN(GB/T20521.5—2025)。

本文件代替半导体器件第部分半导体传感器总则和分类与

GB/T20521—2006《14-1:》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T20521—2006,,:

增加了部分术语和定义见

———(3.2、3.3、3.6、3.8、3.13、3.16、3.22、3.25);

增加了标志一章见第章

———“”(5);

增加了质量评定程序一章见第章

———“”(6);

增加了试验和测试程序一章见第章

———“”(7);

增加了附录规范性抽样程序见附录

———A()“”(A)。

本文件修改采用半导体器件第部分半导体传感器传感器总规范

IEC60747-14-1:2010《14-1:》。

本文件与相比做了下述结构调整

IEC60747-14-1:2010:

第章对应中的

———3IEC60747-14-1:20103.2;

第章对应中的

———4IEC60747-14-1:20103.1;

对应中的第章和

———7.1.1IEC60747-14-1:201047.1.1;

分别对应中下的悬置段

———A.1.1、A.2.1IEC60747-14-1:2010A.1、A.2,A.1.2、A.1.3、A.2.2、

分别对应中

A.2.3IEC60747-14-1:2010A.1.1、A.1.2、A.2.1、A.2.2。

本文件与的技术差异及其原因如下

IEC60747-14-1:2010:

用规范性引用的替换了见第章

———GB3100ISO1000(4);

修改和补充了传感器分类类型见表以更全面覆盖半导体传感器的类型

———(1),;

删除了标志应符合海关规定的要求

———。

本文件做了下列编辑性改动

:

更正了的章条号

———5.1、5.2、5.3。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业与信息化部提出

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院北京智芯微电子科技有限公司安徽北方微电子研

:、、

究院集团有限公司深圳市力准传感技术有限公司龙微科技无锡有限公司杭州晶华微电子股份有限

、、、

公司深圳市鑫精诚传感技术有限公司深圳毅芯半导体有限公司深圳市晶源健三电子有限公司广东

、、、、

控银实业有限公司智火柴科技深圳有限公司常州瑞尔特测控系统有限公司南京高华科技股份有

、()、、

限公司佛山微奥云生物技术有限公司广东天物新材料科技有限公司深圳市灵明光子科技有限公司

、、、、

深圳市兴邦维科科技有限公司深圳市伟烽恒科技有限公司

、。

GB/T205211—2026

.

本文件主要起草人刘若冰方东明王文婧汪星星王梦茹汪祖民赵双龙吴浩欧善斌

:、、、、、、、、、

林义凯赵建波邹军发吕华兰之康林杰黄伟聪臧凯林杰彬谢烽

、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———2006GB/T20521—2006;

本次为第一次修订标准编号调整为

———,GB/T20521.1—2026。

GB/T205211—2026

.

引言

本文件是半导体器件第部分半导体传感器的第部分规定了半导体传感器的通用

《14:》14-1,

要求

半导体器件第部分半导体传感器拟由个部分组成

GB/T20521《14:》8。

半导体器件第部分半导体传感器传感器总规范目的在于规定各类半导体传感器

———14-1:。

的基本要求

半导体器件第部分半导体传感器霍尔元件目的在于规定半导体霍尔元件的相关

———14-2:。

要求

半导体器件第部分半导体传感器压力传感器目的在于规定半导体压力传感器的

———14-3:。

相关要求

半导体器件第部分半导体传感器半导体加速度计目的在于规定半导体加速度计

———14-4:。

的相关要求

半导体器件第部分半导体传感器结半导体温度传感器目的在于规定半导体

———14-5:PN。

结温度传感器的相关要求

PN。

半导体器件第部分半导体传感器穿戴式葡萄糖传感器性能评价方法目的在于

———14-10:。

规定穿戴式葡萄糖传感器的性能评价方法

半导体器件第部分半导体传感器用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波

———14-11:、、

的集成传感器测试方法目的在于规定用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成

。、、

传感器的性能测试方法

半导体器件第部分半导体传感器基于成像的气体传感器的性能测试方

———14-12:CMOS

法目的在于规定基于成像的气体传感器性能测试方法包括术语与定义测试环境

。CMOS,、

条件测试系统测试方法和测试报告

、、。

GB/T205211—2026

.

半导体器件第14-1部分

:

半导体传感器传感器总规范

1范围

本文件界定了半导体传感器的术语定义规定了单位符号分类标志质量评定程序和试验测试

,、、、、

程序

本文件适用于由半导体材料制造的传感器其他材料如绝缘和铁电材料制造的传感器参照执行

,()。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

国际单位制及其应用

GB3100(GB3100—1993,eqvISO1000:1992)

半导体器件总则

GB/T17573—2026(IEC60747-1:2006,IDT)

按属性检验的抽样程序第部分逐批检验用验收质量限度索引的抽样方

ISO2859-11:(AQL)

[Samplingproceduresforinspectionbyattributes—Part1:Samplingschemesindexedby

acceptancequalitylimit(AQL)forlot-by-lotinspection]

注计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

:GB/T2828.1—20121:(AQL)(ISO

2859-1:1999,IDT)

所有部分电工技术用文字符号

IEC60027()(Lettersymbolstobeusedinelectricaltechnology)

注电子管参数符号

:GB/T2987—1996(IEC60027-1:1992、IEC60027-2:1972,NEQ)

所有部分环境试验第部分试验

IEC60068-2()2:(Environmentaltesting—Part2:Tests)

注所有部分环境试验第

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