GB/T 4023.3-2026半导体分立器件第3部分：信号、开关和调整二极管

ICS3108010

CCSL.41.

中华人民共和国国家标准

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

代替GB/T6571—1995

半导体分立器件

第3部分信号开关和调整二极管

:、

Discretesemicondutordevices—Part3Sinalswitchinandreulatordiodes

:g,gg

IEC60747-32013Semiconductordevices—Part3DiscretedevicesSinal

(:,::g,

switchinandreulatordiodesIDT

gg,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和图形符号

3、……………………1

信号和开关二极管

3.1…………………1

电压基准二极管和电压调整二极管

3.2………………2

电流调整二极管

3.3……………………2

符号

4………………………4

通则

4.1…………………4

信号和开关二极管

4.2…………………4

电压基准二极管和电压调整二极管

4.3………………5

电流调整二极管

4.4……………………5

基本额定值和特性

5………………………6

通则

5.1…………………6

信号和开关二极管

5.2…………………6

电压基准二极管和电压调整二极管

5.3………………8

电流调整二极管

5.4……………………11

测试方法

6…………………11

通则

6.1…………………11

信号和开关二极管

6.2…………………12

电压基准二极管和电压调整二极管

6.3………………19

电流调整二极管

6.4……………………22

接收和可靠性

7……………26

接收特性及判据

7.1……………………26

耐久性试验

7.2…………………………27

图电流调整二极管图形符号

1……………3

图电流调整二极管特性图

2………………5

图反向恢复电流波形图

3…………………7

图电流和电压波形图

4……………………8

图反向电流测试电路图

5………………12

图正向电压测试电路图

6………………13

Ⅰ

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

图C测试电路图

7tot………………………13

图t和V测试电路图

8frfrm………………14

图t测试电路图

9rr………………………15

图η测试电路图

10V……………………16

图η测试电路图

11P………………………17

图噪声电流测试电路图

12………………18

图V测试电路图

13Z……………………19

图V测试电路图

14n……………………21

图I测试电路图

15S………………………22

图g测试电路图双电压表法

16S()……………………24

图g测试电路图两端电桥法

17S()……………………25

表基准二极管优选工作电压系列电压

1———E24………9

表基准二极管优选工作电压系列电压

2———E12……………………10

表耐久性试验后接收特性及接收判据

3………………26

表耐久性试验的测试电路和试验条件

4………………27

Ⅱ

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T40233。GB/T4023:

半导体分立器件第部分分规范

———1:(GB/T4023.1—2026);

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

———2:(GB/T4023—2015);

半导体分立器件第部分信号开关和调整二极管

———3:、(GB/T4023.3—2026);

半导体分立器件第部分微波二极管和晶体管

———4:(GB/T4023.4—2026)。

本文件代替半导体器件分立器件第部分信号包括开关和调整二极

GB/T6571—1995《3:()

管与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

》,GB/T6571—1995,,:

更改了范围见第章年版的第章第条

a)(1,1995Ⅰ2);

删除了信号二极管包括开关二极管中信号二极管反向直流电压反向平均电压反向

b)()“”“”“”“

峰值电压正向平均电流正向峰值电流单脉冲能量恢复电荷反向恢复时间正向恢

”“”“”“”“”“”“

复时间微分电阻正向直流电阻反向直流电阻总电流灵敏度增量电流灵敏度品质

”“”“”“”“”“”“

因数检波二极管的术语和定义见年版的第章第节的

()”(1995Ⅱ11.1、2.1.1、2.1.2、2.1.3、

电压基准二极管

2.2.1、2.2.2、2.3.2、2.4.1、2.4.2、2.4.3、2.4.4、2.4.5、2.4.6、2.4.8、2.4.9、2.4.10),

和电压调整二极管中电压调整二极管正向反向术语和定义见年版的第章

“”“”“”(1995Ⅱ

第节的电流调整二极管中电流调整二极管阳极端阴极端调整范围

21.2、1.3、1.4),“”“”“”“”

的术语和定义见年版的第章第节的增加了电压基准二极管和

(1995Ⅱ31.1、1.2、1.3、2.1.1);

电压调整二极管中工作方向见调整范围见工作电流见工作电

“”(3.2.2)、“”(3.2.3)、“”(3.2.4)、“

压见微分电阻见工作电压的温度系数见的术语和定义更改了

”(3.2.5)、“”(3.2.6)、“”(3.2.7);

电压基准二极管见年版的第章第节的和极限电流见

“”(3.2.1,1995Ⅱ21.1)“”(3.3.6,1995

年版的第章第节的的定义

Ⅱ32.2.2);

删除了信号二极管包括开关二极管中检波平均输出阻尼恢复检波贮存正向瞬态

c)()“”“”“,”“”“

总电压正向平均电压反向瞬态总电压正向浪涌电流平均输出整流电流浪涌功率

”“”“”“”“”“”

射频连续波功率耗散射频脉冲功率耗散阻尼系数阻尼电阻效率增量电流灵敏度

“”“”“”“”“”“”

总电流灵敏度单脉冲能量工作点微分电阻品质因数的文字符号见年版的第

“”“”“”“”(1995Ⅱ

章第节的电压基准二极管和电压调整二极管中在工

13.2.1、3.2.2、3.3.1、3.3.2、3.3.3、3.3.5),“

作电压范围以下的反向直流电压工作电压的长期稳定性的文字符号见年版的第

”“”(1995Ⅱ

章第节的电流调整二极管中最大工作电压调整电流工作电流的温度系

23.3.1、3.3.3),“”“()

数的文字符号见年版的第章第节的

”(1995Ⅱ33.3.2、3.3.3);

增加了信号开关二极管中功率检波效率符号见更改了信号开关二极管中正

d)、“”(4.2.2.4);、“

向恢复时间重复脉冲能量的符号见年版的第章第节的

”“”(4.2.2.3、4.2.2.4,1995Ⅱ13.3.4、

3.3.5);

删除了信号二极管包括开关二极管额定值中在规定的脉冲持续时间和规定的占空因数时

e)()“

的正向峰值电流用于开关二极管见年版的第章第节的删除了电压基准

()”(1995Ⅲ12.2.5);

二极管和电压调整二极管中额定方式推荐温度见年版的第章第节的

“”“”(1995Ⅲ21.1、1.2);

删除了电流二极管中类型半导体材料外形见年版的第章第节的额

“”“”“”(1995Ⅲ31、2、3);

定值中增加了电流二极管在的环境温度或管壳温度下的最大总功率耗散及降额曲线或

“25℃

Ⅲ

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

降额系数见最大反向电压最大反向电流适用时见最大正向电压适

”(5.4.1)、“/()”(5.4.1)、“(

用时见

)(5.4.1)”;

删除了电压基准二极管和电压调整二极管中工作电压脉冲法测试方法见年版的

f)“()”(1995

第章第节的工作电压温度系数脉冲法见年版的第章第节的信

Ⅳ21.2)、“()”(1995Ⅳ23.2);

号二极管包括开关二极管中反向恢复时间恢复电荷合并更改为一个测试方法见

()“”“”、(

年版的第章第节的电压基准二极管和电压调整二极管中工作

6.2.5,1995Ⅳ14.2.2、4.2.3),“

电压范围内的微分电阻直流法工作电压范围内的微分电阻脉冲法合并更改为工作

()”“()”、“

电流范围内的微分电阻测试方法见年版的第章第节的

”(6.3.2,1995Ⅳ22.1、2.2);

更改了耐久性试验中耐久性试验后接收的判定失效的特性为耐久性试验后接收特性及接

g)“”“

收判据见年版的第章第节的增加了耐久性试验中电流调整二极管工作

”(7.2,1995Ⅴ12.5);

寿命的工作条件和测试电路见

(7.3)。

本文件等同采用半导体器件第部分分立器件信号开关和调整二极管

IEC60747-3:2013《3:、》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体分立器件第部分信号开关和调整二极管

———,《3:、》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位安徽安芯电子科技股份有限公司中绍宣科技集团有限公司深圳市德瑞茵精密

:、、

科技有限公司石家庄天林石无二电子有限公司安徽建筑大学安徽省电子产品监督检验所南京百识

、、、、

电子科技有限公司郑州汉威光电股份有限公司济南大学先之科半导体科技东莞有限公司深圳天

、、、()、

狼芯半导体有限公司深圳优晶微电子科技有限公司苏州职业技术大学健鼎湖北电子有限公司

、、、()、

东莞市嘉佰达电子科技有限公司江苏华芯智造半导体有限公司深圳市信展通电子股份有限公司

、、、

安徽芯旭半导体有限公司深圳深爱半导体股份有限公司安徽安美半导体有限公司宁波群芯微电子

、、、

股份有限公司名正浙江电子装备有限公司江苏新智达新能源设备有限公司

、()、。

本文件主要起草人张小明左俊英孙光灵赵玉玲李锐安启跃韩若兰刘影影宾伟雄宣融

:、、、、、、、、、、

牛司举赵德刚汪义旺刘轶亮刘伟赖泽联胡鑫林雅璟骆宗友植韵涵刘文清周刚杨华李杰

、、、、、、、、、、、、、、

李建利丁蕾郑勇向军刘园园

、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订

———1986GB/T6571—1986;1995;

本次为第二次修订调整为的第部分

———,GB/T40233。

Ⅳ

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

引言

半导体分立器件是电子行业的通用基础产品为电子系统中的最基本单元其性能与可靠性直接影

,,

响工程质量和可靠性作为基础标准旨在规范半导体分立器件的参数体系测试方法及

。GB/T4023,、

可靠性评价拟由九个部分构成

,。

第部分分规范目的在于规定半导体分立器件除光电子器件和分立器件模块外的质量

———1:。()

保证要求

。

第部分整流二极管目的在于规定整流二极管的术语文字符号基本额定值和特性以及

———2:。、、

测试方法等产品特定要求

。

第部分信号开关和调整二极管目的在于规定信号开关和调整二极管的术语定义和图

———3:、。、、

形符号文字符号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、、。

第部分微波二极管和晶体管目的在于规定微波二极管和晶体管的术语文字符号基本

———4:。、、

额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分晶闸管目的在于规定晶闸管的术语文字符号基本额定值和特性以及测试方法

———6:。、、

等产品特定要求

。

第部分双极型晶体管目的在于规定双极型晶体管微波晶体管除外的术语文字符号

———7:。()、、

基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分场效应晶体管目的在于规定场效应晶体管的术语文字符号基本额定值和特性

———8:。、、

以及测试方法等产品特定要求

。

第部分绝缘栅双极晶体管目的在于规定绝缘栅双极晶体管的术语文字

———9:(IGBT)。(IGBT)、

符号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、。

第部分绝缘功率半导体器件目的在于规定绝缘功率半导体器件的术语文字符号基本

———15:。、、

额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

所有部分采取自主制定与采用系列中与分立器件相关标准相结合的方

GB/T4023()IEC60747

式实现半导体分立器件的参数体系测试方法和可靠性评价等满足国内半导体分立器件的需求同时

,、,

与国际接轨通过制定该文件为半导体分立器件的研制生产和检验提供依据和重要支撑

。,、。

Ⅴ

GB/T40233—2026/IEC60747-32013

.:

半导体分立器件

第3部分信号