上海城建职业学院《半导体器件物理》2025-2026学年第一学期期末试卷(B卷)

站名：站名：年级专业：姓名：学号：凡年级专业、姓名、学号错写、漏写或字迹不清者，成绩按零分记。…………密………………封………………线…………第1页，共1页上海城建职业学院《半导体器件物理》2025-2026学年第一学期期末试卷(B卷)注意事项:1.请考生在下列横线上填写姓名、学号和年级专业。2.请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。4.考试时间120分钟专业学号姓名题号一二三四五六七八总分统分人复查人得分得分评分人一、单项选择题（每题1分，共20分）1.下列关于PN结的特性，错误的是（）A.反偏时，PN结的势垒高度增加B.正偏时，PN结的势垒高度减小C.PN结具有单向导电性D.PN结的反向饱和电流很小2.在硅材料中，下列哪种杂质浓度最高（）A.N型B.P型C.本征型D.Ⅰ型3.晶体管中的发射极电流IE与基极电流IB的关系是（）A.IE=βIBB.IE=(1+β)IBC.IE=βIED.IE=(1+β)IE4.晶体管的放大作用主要利用了（）A.发射极电流B.基极电流C.集电极电流D.电流放大系数5.下列关于二极管的特性，错误的是（）A.正偏时，二极管导通B.反偏时，二极管截止C.二极管具有单向导电性D.二极管的反向饱和电流很大6.下列关于晶体管开关特性的描述，错误的是（）A.开关速度越快，开关损耗越小B.开关速度越快，开关损耗越大C.开关速度越快，开关损耗不变D.开关速度越快，开关损耗与开关频率成正比7.下列关于场效应晶体管的描述，错误的是（）A.N沟道增强型场效应晶体管在栅极电压为0时，漏极电流为0B.P沟道增强型场效应晶体管在栅极电压为0时，漏极电流为0C.N沟道耗尽型场效应晶体管在栅极电压为0时，漏极电流不为0D.P沟道耗尽型场效应晶体管在栅极电压为0时，漏极电流不为08.下列关于MOSFET的描述，错误的是（）A.MOSFET具有高输入阻抗B.MOSFET具有低导通电阻C.MOSFET具有高开关速度D.MOSFET具有低开关损耗9.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是（）A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有保护作用D.稳压二极管具有放大作用10.下列关于晶体管放大电路的描述，错误的是（）A.晶体管放大电路具有放大作用B.晶体管放大电路具有滤波作用C.晶体管放大电路具有稳压作用D.晶体管放大电路具有保护作用11.下列关于场效应晶体管放大电路的描述，错误的是（）A.场效应晶体管放大电路具有放大作用B.场效应晶体管放大电路具有滤波作用C.场效应晶体管放大电路具有稳压作用D.场效应晶体管放大电路具有保护作用12.下列关于MOSFET放大电路的描述，错误的是（）A.MOSFET放大电路具有放大作用B.MOSFET放大电路具有滤波作用C.MOSFET放大电路具有稳压作用D.MOSFET放大电路具有保护作用13.下列关于二极管整流电路的描述，错误的是（）A.二极管整流电路具有整流作用B.二极管整流电路具有滤波作用C.二极管整流电路具有稳压作用D.二极管整流电路具有保护作用14.下列关于晶体管整流电路的描述，错误的是（）A.晶体管整流电路具有整流作用B.晶体管整流电路具有滤波作用C.晶体管整流电路具有稳压作用D.晶体管整流电路具有保护作用15.下列关于场效应晶体管整流电路的描述，错误的是（）A.场效应晶体管整流电路具有整流作用B.场效应晶体管整流电路具有滤波作用C.场效应晶体管整流电路具有稳压作用D.场效应晶体管整流电路具有保护作用16.下列关于MOSFET整流电路的描述，错误的是（）A.MOSFET整流电路具有整流作用B.MOSFET整流电路具有滤波作用C.MOSFET整流电路具有稳压作用D.MOSFET整流电路具有保护作用17.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是（）A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有保护作用D.稳压二极管具有放大作用18.下列关于晶体管稳压电路的描述，错误的是（）A.晶体管稳压电路具有稳压作用B.晶体管稳压电路具有限流作用C.晶体管稳压电路具有保护作用D.晶体管稳压电路具有放大作用19.下列关于场效应晶体管稳压电路的描述，错误的是（）A.场效应晶体管稳压电路具有稳压作用B.场效应晶体管稳压电路具有限流作用C.场效应晶体管稳压电路具有保护作用D.场效应晶体管稳压电路具有放大作用20.下列关于MOSFET稳压电路的描述，错误的是（）A.MOSFET稳压电路具有稳压作用B.MOSFET稳压电路具有限流作用C.MOSFET稳压电路具有保护作用D.MOSFET稳压电路具有放大作用二、多项选择题（每题2分，共20分）1.下列关于PN结的特性，正确的有（）A.反偏时，PN结的势垒高度增加B.正偏时，PN结的势垒高度减小C.PN结具有单向导电性D.PN结的反向饱和电流很大2.下列关于硅材料的描述，正确的有（）A.硅材料具有半导体特性B.硅材料的导电性介于导体和绝缘体之间C.硅材料的导电性受温度影响较大D.硅材料的导电性受光照影响较大3.下列关于晶体管放大电路的描述，正确的有（）A.晶体管放大电路具有放大作用B.晶体管放大电路具有滤波作用C.晶体管放大电路具有稳压作用D.晶体管放大电路具有保护作用4.下列关于二极管的描述，正确的有（）A.二极管具有单向导电性B.二极管具有稳压作用C.二极管具有限流作用D.二极管具有放大作用5.下列关于场效应晶体管的描述，正确的有（）A.场效应晶体管具有高输入阻抗B.场效应晶体管具有低导通电阻C.场效应晶体管具有高开关速度D.场效应晶体管具有低开关损耗6.下列关于MOSFET的描述，正确的有（）A.MOSFET具有高输入阻抗B.MOSFET具有低导通电阻C.MOSFET具有高开关速度D.MOSFET具有低开关损耗7.下列关于二极管整流电路的描述，正确的有（）A.二极管整流电路具有整流作用B.二极管整流电路具有滤波作用C.二极管整流电路具有稳压作用D.二极管整流电路具有保护作用8.下列关于晶体管整流电路的描述，正确的有（）A.晶体管整流电路具有整流作用B.晶体管整流电路具有滤波作用C.晶体管整流电路具有稳压作用D.晶体管整流电路具有保护作用9.下列关于场效应晶体管整流电路的描述，正确的有（）A.场效应晶体管整流电路具有整流作用B.场效应晶体管整流电路具有滤波作用C.场效应晶体管整流电路具有稳压作用D.场效应晶体管整流电路具有保护作用10.下列关于MOSFET整流电路的描述，正确的有（）A.MOSFET整流电路具有整流作用B.MOSFET整流电路具有滤波作用C.MOSFET整流电路具有稳压作用D.MOSFET整流电路具有保护作用三、判断题（每题1分，共10分）1.PN结的正向电阻小于反向电阻。（）2.硅材料的导电性受温度影响较大。（）3.晶体管放大电路具有滤波作用。（）4.二极管具有稳压作用。（）5.场效应晶体管具有高输入阻抗。（）6.MOSFET具有低导通电阻。（）7.二极管整流电路具有滤波作用。（）8.晶体管整流电路具有稳压作用。（）9.场效应晶体管整流电路具有保护作用。（）10.MOSFET整流电路具有稳压作用。（）四、名词解释（每题4分，共20分）1.PN结2.硅材料3.晶体管4.二极管5.场效应晶体管五、简答题（每题