第6章热探测器

光电信号检测第六章热探测器6/14/20261热探测器是不同于光子探测器的另一类光探测器。它是基于光辐射与物质相互作用的热效应制成的器件。热探测器有热电偶、热敏电阻和热释电探测器等多种。具有不需制冷、在全部波长上具有平坦响应两大优点。主要缺点是：响应较低，响应时间较长。自热释电探测器出现后，缓和了这一矛盾。热释电探测器的响应度和响应速度已比过去那些热探测器有了很大提高，因此热探测器的使用范围扩大了，延伸到原来部分光子探测器独占的领域，而且在大于14μm的远红外域更有广阔的用途。第六章热探测器6/14/20262热探测器探测光辐射包括两个过程：一是吸收光辐射能量后，探测器的温度升高；二是把温度升高所引起的物理特性的变化转变成电信号。§6－1热探测器的一般原理一、热探测器的温度变化规律6/14/20263探测器的热容量是H，它表示探测器升高一度所需的热量(J/K)。通常周围环境的热容量为无限大，整个环境温度是一致的。探测器通过热导G与周围环境发生热交换。入射辐射热探测器（热容量H）热导G环境温度T06/14/20264如果探测器的温度比环境高ΔT，则探测器在单位时间内通过热导流向环境的热量流ΔP为

其中，热导G的单位是W/K。6/14/20265典型的热探测器的热时间常数在几毫秒到几秒的范围内，比光子探测器的响应时间长。增大热导G可减小τH，但增大G会导致热探测器对温度变化不敏感，探测灵敏度下降。因此，减小热时间常数主要在降低热容量H上，所以热探测器的光敏元很小。

6/14/20268吸收率α代表了对入射辐射吸收过程的效率。为了提高吸收比，热探测器光敏元的表面都进行黑化。一些表面黑化用的材料的吸收率如图。6/14/20269二、热探测器的极限探测率由于热探测器与周围环境之间的热交换存在着热流起伏，引起热探测器的温度在T0附近呈现小的起伏，这种温度起伏构成了热探测器的主要噪声源，称为温度噪声。若热探测器的其他噪声与温度噪声相比可以忽略，那么温度噪声将限制热探测器的极限探测率。6/14/202610探测器和环境的热交换包括辐射、对流和传导。当探测器光敏元被悬挂在支架上并真空封装时，总的热导将取决于辐射热导。在理想情况下，光敏面是理想的吸收面，即α＝1。这时辐射热导GR根据黑体辐射为式中，Ad是光敏面的面积，σ为斯忒藩一波耳兹曼常数。从此式看到，若热探测器的吸收率为常数，则其辐射热导与波长无关，而与温度的三次方成正比。当温度降低时，辐射热导将急剧减小。6/14/202611温度噪声的功率谱密度为：温度噪声功率为：则辐射热导引起的温度噪声为：6/14/202612于是，热探测器的温度噪声电压和比探测率分别是：室温下，T＝300K，则理想的热探测器的极限比探测率己接近或达到一般光子探测器的比探测率。6/14/202613热释电探测器是一种利用某些晶体材料自发极化强度随温度变化所产生的热释电效应制成的新型热探测器。因为热释电探测器的电信号正比于探测器温度随时间的变化率，不像其他热探测器那样需要有热平衡过程，所以其响应速度比其他热探测器快得多，一般热探测器的时间常数典型值在1～0.01s范围，而热释电探测器的有效时间常数可达10-4～3×10-5s。虽然目前热释电探测器在比探测率和响应速度方面还不及光子探测器，但由于它还具有光谱响应范围宽、较大的频响带宽、在室温下工作无需制冷、可以有大面积均匀的光敏面、不需偏压、使用方便等特点，而得到广泛的应用。§6－2热释电探测器6/14/202614一、热释电效应某些物质(例如硫酸三甘肽、铌酸锂、铌酸锶钡等晶体)吸收光辐射后将其转换成热能，这个热能使晶体的温度升高，温度的变化又改变了晶体内晶格的间距，这就引起在居里温度以下存在的自发极化强度的变化，从而在晶体的特定方向上引起表面电荷的变化，这就是热释电效应。热释电效应是通过热释电材料实现的。热释电材料首先是一种电介质，是绝缘体。在常态下具有自发电极化(即固有电偶极矩)现象，且温度变化时电矩的极性也改变，这类介质称为热电介质。

6/14/202615外加电场能使热电介质的自发极化矢量方向趋同，去掉外电场后，其极化特性保持不变的热电介质叫铁电体。热释电探测器是用铁电体制成的。机理：调制光辐射－（温度变化）－自发极化强度P变化－晶体外表面感应电荷变化－电信号（交流信号）PTPT6/14/202616常态下，热电介质的自发极化现象使在与自发极化强度垂直的两个晶面上出现大小相等、符号相反的面束缚电荷。极性晶体的自发极化通常是观察不出来的。因为在平衡条件下它被通过晶体内部传至晶体表面的自由电荷所补偿。6/14/202617如果强度变化的光辐射入射到晶体上，晶体温度便随之发生变化，自发极化强度也随之发生变化，最后导致面束缚电荷跟着变化。于是晶体表面上就出现能测量出的电荷。极化强度P（T1）极化强度P（T2）i6/14/202618自由电荷对面电荷的中和作用需数秒到数小时，而晶体的自发极化弛豫时间则很短，约为10-12s。因此，当晶体温度按一定频率变化时，自由电荷来不及中和变化的面束缚电荷，晶体表面就呈现出相应于温度变化的面电荷变化，这就是热释电效应。这说明热释电探测器能工作于交变的辐射功率之下。极化强度P（T1）极化强度P（T2）i6/14/202619二、热释电探测器工作原理热释电晶体吸收频率为ω的辐射以后，其温度及其自发极化强度也按频率ω而变化，从而导致晶体表面电荷密度也按频率ω而变化。在晶体的相对两面敷上电极，如果在两电极之间接上负载，则负载上就有电流流过。可以表示为：热释电晶体的极化矢量热释电材料的热释电系数，是指自发极化强度随温度T的变化率，单位为（库仑/厘米2·度）热释电探测器电极面积6/14/202620热释电探测器结构示意图光透明电极热释电材料RLu热释电探测器的电压响应正比于热释电系数γ和温度变化速率，而与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。

γ值取决于材料本身的特性；温度变化率与材料的吸收率和热容有关，吸收率愈大，热容愈小，则温度变化率就愈大。6/14/202621（a）极间电容较大，故其不适于高速探测应用。（b）边电极结构中，电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距离较大，电极面积较小，故极间电容较小，因此，在高频运用时以极间电容小的边电极为宜。6/14/202622如果将热释电探测器跨接到放大器的输入端，则可表示为如图所示的等效电路。图中Cd、Rd为热释电探测器的电容和电阻。CA和RA为放大器的电容和电阻。6/14/202623

输出电压的瞬时值由于则光电流的瞬时值为于是6/14/202624三、热释电探测器的特性1）响应率当ω＝0，RV＝0当ω很小时，RV∝ω

当ω较大时，RV∝1/ω

6/14/2026252）噪声热释电探测器的噪声主要来自温度噪声和热噪声。温度噪声电压为：热噪声电压为：总噪声总电阻6/14/202626

3）响应时间热释电探测器的响应时间常数有两个：通常τH很大，而τE可以通过负载加以改变。当ω较大时，RV∝1/ω，即随着频率的升高，响应度会随着频率而下降。fRV6/14/2026274）阻抗持性热释电探测器是一种几乎纯容性器件。由于其电容量很小，所以热释电探测器的阻抗非常高。这就要求必须配以高阻抗负载（热释电探测器的负载阻抗一般在109Ω以上）。由于结型场效应器件（JEFT）的输入阻抗高，噪声又小，所以常用JEFT器件作热释电探测器的前置放大器。光RLuRJEFT＋V6/14/2026285）理化特性应当特别注意，由于热释电材料具有压电特性，因而对微震等应变十分敏感，在使用热释电探测器时，应注意减震防震。6/14/202629四、常用的热释电探测器研究发现，真正能满足器件要求的热释电材料仅有十多种，其中最主要的有：TGS－硫酸三甘肽SBN－铌酸锶钡LT－钽酸锂LN－铌酸锂PT－钛酸铅等。在实际应用中，往往从形态上把热释电材料分为单晶、陶瓷和薄膜三类。6/14/202630当吸收光辐射而温度升高时，金属的电阻会增加，而半导体材料的电阻会降低。从材料电阻变化可测定被吸收的光辐射功率的探测器就是热敏电阻。最简单的热敏电阻是一根短的细丝。在工作温度下，它有一定的电阻值。当细丝吸收了光辐射而升温时，测出温度变化所引起的电阻变化，就可确定所吸收的辐射能量。§6－3热敏电阻6/14/202631一、热敏电阻工作原理热敏电阻的电阻随温度变化用温度系数来表征：对于小的温度变化，可表示为在没有辐射但有偏置电流流通时，电流在热敏电阻上产生的焦耳热使它的温度增高，热平衡方程是：6/14/202632

稳定状态，第一项代表热容量H对温度变化率的影响为零，热敏电阻的温度从T0增到T1，有如下的关系：G0代表无入射辐射时热敏电阻的热导。RLRBVbCV6/14/202633若有入射辐射功率投射到热敏电阻上，它的温度将随着入射辐射而变化。设入射辐射功率为，热平衡方程是简单变换后，可以写为热敏电阻温度变化时，偏置电流所产生的焦耳热的变化为热敏电阻的有效热导6/14/202634

其中：

解方程，有讨论： 1）若G’>0，则第一项随时间迅速趋于零，得到稳定值。2）若G’<0，则第一项随时间以指数增长，热敏电阻过热烧毁。若RB>>RL，GT=G0，则烧毁条件为：A）对正电阻温度系数的材料（金属），不满足上式。B）对负电阻温度系数的材料，就有可能满足上式。3）显然，若RL>>RB，则偏置电流值完全决定于RL，而不受RB的影响，不会发生烧毁现象。4）若RB<<RL，则电流取决于负载电阻，不会烧毁。热敏电阻在温度T时的热导6/14/202635

稳态时，温度变化的幅值为：负载RL的信号电压幅值（RL>>RB时正常工作状态）为：6/14/202636二、热敏电阻的特性1）响应率

讨论：A) 电源电压Vb的增加受噪声和热敏电阻功率耗散的限制；B）绝对值：αT半导体>αT金属；C）表面涂黑，增加吸收；D）减小G’、增加RB，RV增大，响应时间增加，要折衷考虑。6/14/2026372）频率响应RV0是ω＝0时热敏电阻的电压响应率。由于热敏电阻的时间常数τT较大(1－200ms)，所以这种热探测器的工作频率很少能达到100Hz。由于τT较大，RV(ω)随ω的增加而降低。

频率/Hz探测率/dBτT＝8msτT＝4msτT＝1msτT＝2ms6/14/2026383）噪声和比探测率热敏电阻的基本噪声有热噪声、温度噪声和电流噪声。热噪声功率：温度噪声功率：电流噪声功率：

式中：A材是与热敏电阻材料有关的常数；I是通过热敏电阻的电流；f是热敏电阻的工作频率；R是热敏电阻的阻值。6/14/202639

总的噪声电压为：则：

如果将探测器面积减小而又能保持所接收的辐射能不减少，则噪声可以减小，因为噪声电压与光探测器光敏面积Ad的平方根成正比，这样便可改善热敏电阻的性能。6/14/202640“光学浸没”技术——提高比探测率。浸没型热敏电阻主要采用一个半球形透镜，用一种具有适当折射率的胶合剂将热敏电阻粘接在透镜的背面，这对具有一定尺寸的光敏面来说，相当于增大了接收立体角，即增大了辐射功率密度，从而提高了探测率。6/14/202641在这种情况下，光敏面积减小到原来的(其中n为透镜材料的折射率)，如果用锗材料制作浸没透镜，其n＝4，于是光敏面的有效面积减小到原来的1/16。如果采用超半球浸没透镜，可使光敏面的有效面积减小到原来的。6/14/202642热敏电阻的主要特点：①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，能检测出10-6℃的温度变化；②工作温度范围宽，常温器件适用于-55℃～315℃，高温器件适用温度高于315℃（目前最高可达到2000℃），低温器件适用于-273℃～55℃；③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度；④使用方便，电阻值可在0.1～100kΩ间任意选择；⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产；6/14/202643热敏电阻的应用：可以作为测量元件（如测量温度、流量、液位等）;可以作为控制元件（如热敏开关、限流器）和电路补偿元件;热敏电阻广泛用于家用电器、电力工业、通讯、军事科学、宇航等各个领域，发展前景极其广阔。6/14/202644一、测辐射热电偶工作原理热电偶是利用热能和电能相互转化的温差电效应制成的热探测器。当两种不同材料（可以是金属或半导体）两端并联熔接时，如果两个结点出现温差时，在该两点间就有电动势产生，通过该两点的闭合回路中就有电流流过，这就是温差电效应。§6－4测辐射热电偶6/14/202645如果把冷端分开并与一个电表相接，那么当光照熔接端(称为电偶接头)时，吸收光能使电偶接头温度升高，电表就有相应的电流读数，电流的数值就间接反映了光照能量大小。通常称这种