CN113675272B 晶体管装置及形成晶体管装置的方法 （新加坡商格罗方德半导体私人有限公司）

US2014339636A1,2014.11.20US2016111488A1,201本申请涉及晶体管装置及形成晶体管装置第一隔离结构可沿该导电区的边界的至少一部隔离(局部隔离)结构内的该栅极结构的侧面的2其中，面向该源区的该栅极结构的侧面与该第二隔离结构的侧3.如权利要求1所述的晶体管装置，还包括设于该第一隔离结构与该栅极结构之间的15.如权利要求14所述的晶体管装置，还包括从该栅极结构的该第二部分上方向该衬3在该衬底内形成第一隔离结构，其中，该第一隔离结构沿该在该导电区内形成第二隔离结构，其中，该第二隔离结构的深度形成至少部分位于该第二隔离结构内的栅极其中，面向该源区的该栅极结构的侧面与该第二隔离结构的侧18.如权利要求17所述的方法，还包括在该第一隔离结构与该栅极结构之间形成本体4是横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffusedmetal-oxidesemiconductor；[0007]图1A及1B分别显示依据各种非限制性实施例的晶体管装置的简化顶视图及简化[0008]图2A至2L显示依据各种非限制性实施例形成图1A及1B的晶体管装置的方法的简5[0010]图4显示图1A及1B的晶体管装置以及另一种晶体管装置的漏极电流与栅极电压关[0013]图7显示可用于图1A及1B、5或6的晶体管装置中的示例隔离结构的透射电子显微[0015]下面参照附图中所示的非限制性例子更充分地解释本发明的实施方式及其特定们仅作为示例说明而非限制。本领域的技术人员由本申请将明白在基本发明概念的精神[0016]可应用如本文在说明书及权利要求中所使用的近似语言来修饰允许改变而不会括复数形式。另外应当理解，术语“包括”(以及任何形式的包括，例如“comprises个或多个步骤或元件的方法或装置拥有该一个或多个步骤或元件，但不限于仅有该一个或6[0020]图1A显示依据各种非限制性实施例的晶体管装置100的简化顶视图。图1B显示沿108的一部分，但第一隔离结构116可替代地邻接漏区112及本体接触114的其中一者或两且可等于或大于300纳米，当使用180纳米(nm)至130纳米技术节点制造晶体管装置100时。7[0028]晶体管装置100还可包括至少部分设于第二隔离结构120内的栅极结构122。栅极[0029]请参照图1B，面向源区110的栅极结构122的一侧面122a可与第二隔离结构120的离结构120的深度D120与设于第二隔离结构120内的栅极结构122的深度D1221(换句话说，栅极结构122的第一部分1221的深度D1221)之间。尤其，深度D106可小于深度D120但大于深度并进一步沿第二隔离结构120上方的衬底102的顶部表面102t延伸。栅极元件126可设于栅[0031]晶体管装置100还可包括沿栅极元件126的侧面设置的间隙壁127a、127b、127c、8[0032]晶体管装置100还可包括从栅极结构122的第二部分1222上方延伸至衬底102的顶122的第二部分1222与硅化物阻挡层128可设于绝缘层130内。绝缘层130可为层间介电[0034]如图1A中所示，晶体管装置100还可包括设于本体区114及源区110上方并与其接触的多个第一接触150，设于栅极结构122上方并与其接触的多个第二接触152，设于漏区112上方并与其接触的多个第三接触154，以及设于衬底102上方并与其接触的多个第四接[0035]图2A至2L显示依据各种非限制性实施例形成晶体管装置100的方法的简化剖视口。另外，在用隔离材料填充该开口之后，可执行平滑化制程(例如，化学机械抛光一个掩膜210的开口210a在衬底102中沉积掺杂物。如箭头250所示，可以基本垂直于衬底102的顶部表面102t的角度将该掺杂物沉积于9区106的一部分内形成垂直沟道区C106。如图第一接触150可设于本体接触114及源区110两者上方，因此本体接触114及源区110可被连数(figure-of-merit；FOM＝Ron×BV)、改大并可减小漂移区108内的电场。因此，第二隔离结构120可有助于降低装置100的导通电但第二隔离结构120被与第一隔离结构116类似的隔离结构替代的晶体管装置的漏极电流-置100的导通电阻并可改进线性漏极电流ID[0048]而且，将栅极结构122部分延伸至第二隔离结构120中可允许在向栅极结构122施加足够大的栅极电压时，形成垂直的(而不是水平的)沟道区C106。这可有助于减小沟道区[0050]图5显示依据替代非限制性实施例的晶体管装置500。晶体管装置500与晶体管装另一个导电区502内。晶体管装置500可为负(negative)沟道金属氧化物半导体(NMOS)装[0052]图6显示依据替代非限制性实施例的晶体管装置600。晶体管装置600与晶体管装离结构120内的栅极结构122的深度D122可大约等于在晶体管装置100中的深度D1221。另外，110的栅极结构122的侧面122a也可倾斜一定角度，使其可与第二隔离结构120的倾斜的侧