CN113692648B 显示装置及制造显示装置的方法 （三星显示有限公司）

2021.10.14PCT/KR2020/0030112020.03.03WO2020/213832KO2020.10.22公开了显示装置及用于制造显示装置的方2至少一个发光元件，在所述多个第一电极中的至少一个第第一接触电极，将所述多个第一电极中的至少一个第一第二接触电极，将所述多个第二电极中的至少一个第二电极与所所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述第三绝缘层上彼此间隔开并且彼此电3至少一个发光元件，在所述多个第一电极中的至少一个第其中，所述第一绝缘层包括各自暴露所述子电极的预定区所述子电极被划分成与所述第一电极重叠的第一区域和除所述第一区域之外的第二所述分支电极被划分成与所述第二电极重叠的第三区域和除所述第三区域之外的第所述第一区域和所述第三区域上的所述第一绝缘层具有与所述第二区域和所述第四一绝缘层的厚度大于所述第一区域和所述第三区域上的所述第一和所述多个第二电极中的每个在所述发射区域中交替地设置在与所述一个方向相交的方第二连接线，与所述分支电极一体并且与所述第一连接线延伸的所述方向平行地设在所述衬底上形成在一个方向上延伸的至少一个子电极以及与所述子电极间隔开并且在与所述子电极延伸的所述一个方向相同的方向上延伸的至少在所述子电极和所述分支电极上形成第一绝缘极的预定区域的多个第一通孔和暴露所述分支电极的预定区域的多个在所述第一绝缘层上形成多个第一电极和多个第二电极，通过向所述子电极和所述分支电极中的每个施加对准电压来将多个发光元件在所述4多个第一电极中的至少一个第一电极与所述多个第二电极中的至少一个第二电极之间对在其上形成有所述第二绝缘层的所述衬底上形成第一接触电所述子电极被划分成与所述第一电极重叠的第一区域和除所述第一区域之外的第二所述分支电极被划分成与所述第二电极重叠的第三区域和除所述第三区域之外的第所述第一区域和所述第三区域上的所述第一绝缘层具有与所述第二区域和所述第四缘层的厚度大于所述第一区域和所述第三区域上的所述第一绝缘在形成所述多个第一电极和所述多个第二电极之前，在所及所述多个堤部图案中的另一部分设置在所述第一绝缘层在所述衬底上形成与所述发光元件电连接的至少一个晶体管以及电连接至所述第二5[0008]根据本公开的实施方式的显示装置可包括：包括显示区域和中的每个对应，并且多个第二通孔中的至少一个第二通孔可与多个第二电极中的每个对6电极中的每个施加对准电压来将多个发光元件在多个第一电极中的至少一个第一电极与7[0035]图3a至图3c是示出图2中所示的像素中的任一个像素中所包括的组件的电连接关[0039]图7示出了其中覆盖层分别设置在图6中所示的第一电极和第二电极上的实施方[0040]图8示出了其中图6中所示的第一电极和第二电极设置在[0046]图14至图16示出了图5的像素的另一实施方式，并且是示意性地示出仅包括显示[0047]图17示出了根据本公开的实施方式的显示装置，并且是示意性地示出图2中所示8体层11和第二半导体层13中的另一个可设置在发光元件L发光元件LD在纵向方向上的长度L可大于发光元件LD的直径D(或发光元件LD的剖面的宽9源层12的位置可根据发光元件LD的类型以各种方式改变。有源层12可发射具有400nm至源层12下可形成有掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)。例如，包覆层可由AlGaN层或LD通过有源层12中的电子-空穴对的耦合来发射光。由于可基于前述原理来控制发光元件[0062]第二半导体层13可设置在有源层12上并且包括具有与第一半导体层11的类型不[0063]在本公开的实施方式中，第二半导体层13在发光元件LD的纵向方向上的长度(或LD的纵向方向的长度(或宽度)可小于第一半导体层11的相对于发光元件LD的纵向方向的设置成与具有圆柱形形状的发光元件LD中的上端层15的一侧相对的一侧上(例如，设置在第一半导体层11的一个端部上)的单独的电极层，并且该单独的电极层可设置成用于欧姆接触并且由与电极层15的材料相同或不同的材料[0068]绝缘膜14可防止有源层12由于与除第一半导体层11和第二半导体层13之外的导不仅允许设置在第二半导体层13的一个端部上的电极层15而且允许第一半导体层11的一[0072]如果绝缘膜14设置在发光元件LD中，则可防止有源层12与第一电极和/或第二电膜14可防止在发光元件LD之间发生不希望上述实施方式的不同之处来描述具有核-壳结构的发光元件LD，并且未在以下描述中单独[0076]参考图1g和图1h，根据本公开的实施方式的发光元件LD可包括第一半导体层11、绕有源层12的至少一侧的第二半导体层13以及围绕第二半导体层13的至少一侧的电极层[0077]发光元件LD可形成为在一个方向上延伸的多棱锥形形状。在本公开的实施方式中，第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可设置在发光元件LD的第一端部(或下端[0080]有源层12可设置和/或形成为在发光元件LD的纵向方向上围绕第一半导体层11的体层11的除第一半导体层11的相对的端部中的下端部之[0081]第二半导体层13可设置和/或形成为在发光元件LD的纵向方向上围绕有源层12，[0084]在实施方式中，发光元件LD还可包括设置在具有核-壳结构的发射图案10的外周[0086]为了解释起见，图2集中于其中显示图像的显示区域示意性地示出了显示装置的置在衬底SUB上并且各自包括至少一个发光元件LD的像素PXL、设置在衬底SUB上并且配置每个可包括配置成控制要供应给发光元件LD的电流量的驱动晶体管以及配置成向驱动晶以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL连接至驱动器的线组件中的[0099]衬底SUB的一区域设置为其中设置有像素PXL的显示区域DA，并且衬底SUB的另一[0101]每个像素PXL可包括配置成响应于相应的扫描信号和相应的数据信号而被驱动的[0105]驱动器可包括时序控制器、配置成通过扫描线将扫描信号传输至像素PXL的扫描驱动器、配置成通过发射控制线将发射控制信号传输至像素PXL的发射驱动器以及配置成[0106]图3a至图3c是示出图2中所示的像素中的任何像素中所包括的组件的电连接关系[0107]例如，图3a至图3c示出了可在有源显示装置中采用的像素PXL中所包括的组件的可包括经由第一电源线PL1电连接至第一驱动电源VDD的第一电极EL1(或“第一对准电以及在第一电极EL1与第二电极EL2之间以相同的方向彼此并联电连接的多个发光元件LD。[0111]在本公开的实施方式中，包括在发射部EMU中的发光元件LD中的每个可包括通过第一电极EL1电连接至第一驱动电源VDD的第一端部以及通过第二电极EL2电连接至第二驱一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间的电位差可设置为在像素PXL的发光时段期间等于以相同的方向(例如，以前向方向)彼此并联电连接的发光元件LD可形成相应的有效光源。[0113]发射部EMU的发光元件LD可发射具有与通过像素电路144向其供应的驱动电流对的灰度级对应的驱动电流。供应至发射部EMU的驱动电流可被分流到以相同的方向彼此电[0114]尽管图3a至图3c示出了其中发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS部EMU的第一电极EL1与第二电极EL2之间还可电连接有至少一个反向发光元件(未示出)。反向发光元件与形成有效光源的发光元件LD一起可彼此并联电连接在第一电极EL1与第二方向相反的方向电连接。即使在第一电极EL1与第二电极EL2之间施加有预定的驱动电压[0115]像素电路144可电连接至相应的像素PXL的扫描线(例如，第i条扫描线Si)和数据二端子可电连接至用于发光元件LD的第一电极EL1。第二晶体管T2的栅电极可电连接至第[0120]图3a示出了包括第一晶体管T1、存储电容器Cst以及第二晶体管T2的像素电路144，第一晶体管T1配置成将数据信号传输至像素PXL，存储电容器Cst配置成存储数据信电路144还可包括诸如配置成补偿第二晶体管T2的阈值电压的晶体管元件、配置成初始化第一节点N1的晶体管元件和/或配置成控制发光元件LD的发光时间的晶体管元件的至少一个晶体管元件或者诸如用于提升第一节点N1的电压的升压电容器的其它括的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可改变为N型晶配置和操作与图3a的像素电路144的配置和操作可至少在一些组件的连接位置方面不同。[0124]在本公开的实施方式中，像素电路144的配置不限于图3a和图3b中所示的实施方素PXL的像素电路144可电连接至显示区域DA的第i条扫描线Si和第域DA的第i行中的像素PXL也可电连接至第i-1条扫描线Si-1和/或第i+1条扫描线Si+1。在[0128]第一晶体管(T1；驱动晶体管)可包括经由第五晶体管T5电连接至第一驱动电源体管T6电连接至发光元件LD的一个端部。第一晶体管T1的栅电极可电连接至第一节点N1。第一晶体管T1可响应于第一节点N1的电压来控制在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS[0131]第四晶体管T4可电连接在第一节点N1与要被施加初始化电源Vint的初始化电源[0132]第五晶体管T5可电连接在第一驱动电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5有栅极截止电压的发射控制信号被供应给第i条发射控制线Ei的情况下截止，并且可在其管T6的栅电极可电连接至第i条发射控制线Ei。第六晶体管T6可在具有栅极截止电压的发[0134]第七晶体管T7可电连接在发光元件LD的第一端部(其与第二节点N2连接)与要被[0135]存储电容器Cst可电连接在第一驱动电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可存储与在每个帧周期期间施加至第一节点N1的数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压[0137]尽管图3a至图3c示出了其中每个发射部EMU的所有发光元件LD彼此并联电连接的[0138]可应用于本公开的像素PXL的结构不限于图3a至图3c中所示的实施方式，并且相电源线PL1和/或要被施加第二驱动电源VSS的第二电源[0139]图4是示意性地示出图2中所示的像素中的一个像素的平面图。图5是示意性地示与图4的线I-I'对应的示意性剖视图。图8示出了其中图6中所示的第一电极和第二电极设[0145]衬底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL可设置和/或形成在像素PXL中的每个[0147]施加至衬底SUB的材料可对在制造显示装置的工艺期间的高处理温度具有耐受性[0149]缓冲层BFL可防止杂质扩散到晶体管T中。缓冲层BFL可设置成单层结构或者具有一晶体管T1(T)可以是电连接至相应的像素PXL的发光元件LD并且配置成驱动发光元件LD[0152]半导体层SCL可设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可包括与第一端子SE接触的第一区域和与第二端子DE接触的第二区域。第一区域与第二区域之间的区域可以是沟道区[0155]第一端子SE和第二端子DE可分别通过穿过第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI[0157]驱动电压线DVL可设置和/或形成在第一层间绝缘层ILD1上，但本公开不限于[0159]第二层间绝缘层ILD2上可设置和/或形成有屏蔽电极线SDL。屏蔽电极线SDL可阻PSV可以设置成有机绝缘层、无机绝缘层或包括设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的结构[0161]在本公开的实施方式中，第一晶体管T1(T)的第二端子DE的预定区域可通过依次区域可通过依次穿过第二层间绝缘层ILD2和钝化层PSV的第二接触极BRC。此外，像素PXL中的每个的显示元件层DPL还可选择性地包括直接连接至第一电极EL1中的每个的至少一个第一接触电极CNE1以及直接连接至第二电极EL2中的每个的至少[0163]像素PXL中的每个的像素电路层PCL上可设置和/或形成有第一连接线CNL1。具体地，像素PXL中的每个的像素电路层PCL的钝化层PSV上可设置和/或形成有第一连接线来自相邻像素PXL中的每个，并且与设置和/或形成在相邻像素PXL中的每个中的第一连接[0165]子电极PRT可设置和/或形成在像素PXL中的每个的像素电路层PCL的钝化层PSV的像素电路层PCL的钝化层PSV上)设置在以预定距离彼此隔开的位置处。在本公开的实施方式中，第一子电极PRT1至第三子电极PRT3可在第二方向DR2上从第一连接线CNL1分叉到极PRT1相邻地设置，以及第三子电极PRT3可在第一方向DR1上与第二子电极PRT2相邻地设[0168]第二子电极PRT2可通过依次穿过钝化层PSV和第二层间绝缘层ILD2的第一接触孔CH1电连接至像素PXL中的每个的像素电路层PCL的第一晶体管T1(T)的第二端子DE。因此，至第二子电极PRT2的信号(或电压)可传输至第一连接线CNL1以及第一子电极PRT1和第三[0169]尽管在前述实施方式中已经描述了第二子电极PRT2与第一接触孔CH1对应并且通任一个可与第一接触孔CH1对应，并且通过第一接触孔CH1电连接至像素PXL中的每个的像[0170]像素PXL中的每个的像素电路层PCL的钝化层PSV上可设置和/或形成有第二连接此，在第一方向DR1上设置在相同的像素行中的像素PXL可共同电连接至第二连接线CNL2。[0171]第二连接线CNL2可通过依次穿过钝化层PSV和第二层间绝缘层ILD2的第二接触孔连接至驱动电压线DVL，因此施加至驱动电压线DVL的第二驱动电源VSS可传输至第二连接[0173]分支电极BRC可设置和/或形成在像素PXL中的每个的像素电路层PCL的钝化层PSV上。分支电极BRC可包括在第二方向DR2上从第二连接线CNL2分叉到像素PXL的相应的发射区域EMA中的第一分支电极BRC1和第二分支离彼此间隔开。第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2以及第二连接线CNL2可彼此一体，并且彼此电连接和/或物理连接。在第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2以及第二连接[0175]第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2可设置在与第一子电极PRT1至第三子电以及第一子电极PRT1至第三子电极PRT3可在第一方向DR1上交替地设置。例如，在平面图电极PRT1与第二子电极PRT2之间(或者第一分支电极BRC1设置在第一子电极PRT1与第二子二分支电极BRC2插置在第二子电极PRT2与第三子电极PRT3之间(或者第二分支电极BRC2设分支电极BRC2可包括相同的材料并且通过接线CNL2以及第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个的材料不限于上分支电极BRC1和第二分支电极BRC2上可设[0179]第一绝缘层INS1可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘线CNL2以及第一分支电极BRC1和第二分支[0180]第一绝缘层INS1可包括将第一子电极PRT1至第三子电极PRT3的相应的预定区域暴露于外部的第一通孔VIA1以及暴露第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2的相应的预将结合第一电极EL1和第二电极EL2对其中第一绝缘层INS1的厚度在第一绝缘层INS1与第一电极EL1和第二电极EL2重叠的区域中改变的实施方[0182]堤部图案PW可以是支撑第一电极EL1和第二电极EL2中的每个以便改变第一电极[0183]堤部图案PW可设置和/或形成在像素PXL中的每个的发射区域EMA的第一绝缘层INS1上。堤部图案PW可包括由无机材料形成的无机绝缘层或由有机材料形成的有机绝缘[0184]堤部图案PW可具有其中堤部图案PW的宽度从第一绝缘层INS1的一个表面向上减诸如半椭圆形剖面、半圆形剖面等的剖面的弯曲表面，该弯曲表面的宽度从第一绝缘层PW可在钝化层PSV上设置在相同的平面中并且与第一绝缘层INS1的第一通孔VIA1和第二通孔VIA2对应(或者不与第一绝缘层INS1的第一[0186]像素PXL中的每个的显示元件层DPL还可包括设置成在相应的像素PXL的外围区域(例如，其中不布置发光元件LD的非发射区域)中围绕每个像素PXL的发射区域EMA的堤部[0188]第一电极EL1和第二电极EL2中的每个可在像素PXL中的每个的发射区域EMA中设置和/或形成在堤部图案PW和第一绝缘层INS1上。第一电极EL1和第二电极EL2可设置在相的第一电极EL1电分离和/或物理分离。第一电极EL1中的每个可具有与设置在其下方的堤一电极EL1中的每个可具有与突出形状对应的[0190]第一电极EL1中的每个可具有足以完全覆盖相应的堤部图案PW和相应的第一通孔[0191]在本公开的实施方式中，第一电极EL1可设置在子电极PRT上并且与子电极PRT重电极PRT2重叠，以及其它第一电极EL1可设置在第三子电极PRT3上并且与第三子电极PRT3重叠。在以下实施方式中，设置在第一子电极PRT1上的第一电极EL1将被称为第1-1电极电极PRT3上的第一电极EL1将被称为第1-1-1电极EL1中的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的相应的第一通孔VIA1与设置在其下方1-2电极EL1中的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的相应的第一通孔VIA1与设置在其下方[0194]在平面图中，第1-3电极EL1可沿第三子电极PRT3的延伸方向设置在第三子电极的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的相应的第一通孔VIA1与设置在其下方的第三子电极[0195]如上所述，第一电极EL1中的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的第一通孔VIA1中已经描述了第一电极EL1中的每个通过一个第一通孔VIA1与相应的子电极PRT电连接和/或通孔VIA1与相应的子电极PRT电连接和/或域B可指其中第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个不与第一电极EL1重叠[0197]与第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个的第一区域A对应的第一绝缘层INS1的厚度d1可不同于与第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个的第二区域B对应的域A对应的第一绝缘层INS1的厚度d1可小于与第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个PRT3中的每个的第二区域B对应的第一绝缘层INS1可设计成具有比与第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个的第一区域A对应的第一绝缘层INS1的厚度的第二电极EL2电分离和/或物理分离。第二电极EL2中的每个可具有与设置在其下方的堤电极EL2中的每个可具有与突出的形状对应的[0200]第二电极EL2中的每个可具有足以完全覆盖相应的堤部图案PW和相应的第二通孔第二电极EL2可具有与第一电极EL1的[0201]在本公开的实施方式中，第二电极EL2可设置在分支电极BRC上并且与分支电极一分支电极BRC1重叠，以及其它第二电极EL2可设置在第二分支电极BRC2上并且与第二分极EL2中的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的第二通孔VIA2与设置在其下方的第一分支电极EL2中的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的第二通孔VIA2与设置在其下方的第二分支电[0204]如上所述，第二电极EL2中的每个可通过穿过第一绝缘层INS1的第二通孔VIA2中中已经描述了第二电极EL2中的每个通过第二通孔VIA2与相应的分支电极BRC电连接和/或通孔VIA2与相应的分支电极BRC电连接和/或分成与第二电极EL2中的每个重叠的第三区域C以及除第三区域C之外的第四区域D。这里，第四区域D可指其中第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个不与第二电极EL2重[0206]与第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个的第三区域C对应的第一绝缘层INS1的厚度d1可不同于与第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个的第四区域D三区域C对应的第一绝缘层INS1的厚度d1可小于与第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2第二分支电极BRC2中的每个的第四区域D对应的第一绝缘层INS1可设计成具有比与第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个的第三区域C对应的第一绝缘层INS1的厚度大的至第三子电极PRT3之间形成的电场的强度来防止发光元件LD在第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个的第四区域D与第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个的第二为了防止像素PXL中的每个的发射区域EMA中的发光元件LD在除目标区域(例如，第一电极[0209]在本公开的实施方式中，第一子电极PRT1至第三子电极PRT3以及第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2可用作用于将对准电压传输至第一电极EL1和第二电极EL2的对准电压施加电极。第一电极EL1和第二电极EL2可用作用于将发光元件LD在像素PXL中的每CNL2将第二对准电压施加至第一分支电极BRC1和第二分[0211]在向第一子电极PRT1至第三子电极PRT3中的每个施加了第一对准电压的情况第一对准电压可通过穿过第一绝缘层INS1的第一通孔VIA1施加至第一电极EL1中的每个。对准电压可通过第一绝缘层INS1的第二通孔VIA2施加至第二电极EL2中的每个。第一对准[0212]当将具有不同电压电平的预定对准电压分别施加至第一电极EL1和第二电极EL2[0213]在将发光元件LD在像素PXL中的每个的发射区域EMA中对准之后，第一电极EL1和第二电极EL2中的每个可用作用于驱动发光[0214]第一电极EL1中的每个和第二电极EL2中的每个可由具有以允许从发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2发射的光在显示装置的图像显示方每个可由其中层以ITO/Ag/ITO的次序堆叠的多光可被第一电极EL1和第二电极EL2反射，并且更有效地在显示装置的图像显示方向上行成在期望方向上引导从发光元件LD发射的光的反射组件，并且因此提高显示装置的光效PXL中的每个中在第一电极EL1中的至少一个与第二电极EL2中的至少一个[0221]尽管至少两个至几十个发光元件LD可在像素PXL中的每个的[0222]发光元件LD中的每个可包括通过蚀刻方法制造的圆柱形的发光元件LD，如图1a、图1c和图1e中所示，或者具有核-壳结构并通过生长方法制造的发光元件LD，如图1g中所电极层15而形成的发射叠层(或堆叠图案)。在发光元件LD中的每个是具有核-壳结构的发源层12的至少一侧的第二半导体层13以及围绕第二半导体层13的至少一侧的电半导体层13中的一个可设置在发光元件LD中的每个的第一端部EP1上，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可设置在发光元件LD中的每个的第二端部EP2上。发光元[0225]通过在像素PXL中的每个的发射区域EMA中在第一电极EL1与第二电极EL2之间形过喷墨印刷方法等方式喷射和/或施加与发光元件LD混合的流体溶剂而被输入到像素PXL[0228]发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的一个端部可电连接至第一电极EL1中的至少一个，并且发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的另一端部可电连(T)的信号(或电压)可经由第一电极EL1施加至发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和[0230]上述发光元件LD可在第二绝缘层INS2上在像素PXL中的每个的发射区域EMA中对[0231]在像素PXL中的每个的发射区域EMA中，第二绝缘层INS2可在第一电极EL1与第二[0232]在像素PXL中的每个的发射区域EMA中，第二绝缘层INS2可暴露第一电极EL1中的区域中设置和/或形成在第一绝缘层INS1上，并且因此保护设置在外围区域中的组件，例[0233]第二绝缘层INS2可由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层和EP2中的一个端部直接接触。第二接触电极CNE2可与发光元件LD中的每个的相对的端部缘层或包括至少一种有机材料的有机绝缘层。第三绝缘层INS3可将在像素PXL中的每个的[0236]在本公开的实施方式中，在已经完成将发光元件LD在像素PXL中的每个的发射区(或间隙)，则可在形成第三绝缘层INS3的工艺期间利用第三绝缘层INS3填充该空间(或间缘层INS3填充第二绝缘层INS2与发光元件LD之间的空间(或间隙)方面具有优势的有机绝法或蚀刻方法的方法去除第一连接线CNL1的在设置在相同的行中的像素PXL中共同提供的像素PXL的第一连接线CNL1可电连接至相应的像素PXL的像素电路144，使得通过像素电路[0240]第一接触电极CNE1可设置在像素PXL中的每个的第一电极EL1上，以将第一电极EL1中的每个与发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的一个端部可靠地电连接将第二电极EL2中的每个与发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的另一端部可靠射并由相应的电极在显示装置的图像显示方向上反射的光的损失最小化的透明导电材料[0242]第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可具有在第二方向DR2上延伸的缘层和包括有机材料的有机绝缘层中的任何绝缘层形成。第五绝缘层INS5上可设置和/或[0244]尽管在前述实施方式中已经描述了第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2等形成的台阶差，并防止氧气或水渗透发光元件LD。中的电子-空穴对的耦合来发射光。发光元件LD中的每个可发射具有例如400nm到900nm的之间以及第二电极EL2中的每个与第二接触电极C[0249]覆盖层CPL可防止相应的第一电极EL1和第二电极EL2由在制造显示装置的工艺期的每个发射并且由相应的第一电极EL1和第二电极EL2在显示装置的图像显示方向上反射上)具有比分支电极BRC的宽度大(或长)的宽度，以完全覆盖设置在第二电极EL2下方的相应的分支电极BRC。在第一电极EL1和第二电极EL2中的每个在一个方向上具有大(或长)宽一电极EL1与至少一个第二电极EL2之的区域以及第二分支电极BRC2与第三子电极PRT3之间的区域至少一个第一电极EL1的行相同的行中的至少一个第二电极EL2之间可形成具有比形成在的宽度W1小于(或短于)至少一个子电极PRT与至少一个分支电极BRC[0253]此外，尽管第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2依次堆叠在至少一个子电极PRT和可相对增加形成在第一电极EL1与第二电极EL2之间可在至少一个第一电极EL1与至少一个第二电极EL2之间密集地对准，其中第一电极EL1与光元件LD可仅在目标区域中(例如，第一电极EL1与第二电极EL2之间的区域中)密集地对地对准，因此可使发光元件LD中的每个与电连接和/或物理连接至发光元件LD的电极之间[0260]第一晶体管T1(T)的第二端子DE的预定区域可通过穿过钝化层PSV和第二层间绝层PSV和第二层间绝缘层ILD2的第二接触孔CH2至第三子电极PRT3以及第一分支电极BRC1和第二分[0262]第一连接线CNL1和第二连接线CNL2中的每个可共同提供至设置在相同的行中的DR2上从第一连接线CNL1分叉并设置在像素PXL中的每个的发射区域EMA中。第二子电极PRT2可通过第一接触孔CH1电连接至像素PXL中的每个的像素电路层PCL的第一晶体管T1方向DR2上从第二连接线CNL2分叉并设置在像素PXL中的每个的发射区域EMA中。第二连接线CNL2可通过第二接触孔CH2电连接至像素PXL中的每个的像素电路层PCL的驱动电压线[0265]第一子电极PRT1至第三子电极PRT3以及第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2可设置在以预定距离彼此间隔开的位置处，并且可彼此电分离和/或物理分离。在平面图[0267]第一绝缘层INS1的第一通孔VIA1可暴露第一子电极PRT1至第三子电极PRT3的相电极PRT的与将在以下描述的工艺期间形成的第一电极EL1重叠的预定区域上的第一绝缘层INS1可具有比子电极PRT的不与第一电极EL1重叠的另一区域上的第一绝缘层INS1的厚形成的第二电极EL2重叠的预定区域上的第一绝缘层INS1可具有比分支电极BRC的不与第二电极EL2重叠的另一区域上的第一绝缘层INS1的厚度小叠。此外，堤部图案PW不与暴露相应的子电极PRT的预定区域的第一通孔VIA1中的每个重部图案PW的第一绝缘层INS1上形成第一电极EL1和第[0272]第一电极EL1中的每个可在第二方向DR2上与相邻的第一电极EL1以预定距离间隔[0273]在平面图中，第一电极EL1中的每个可设置在相应的堤部图案PW上并且与相应的[0274]第二电极EL2中的每个可设置在相应的堤部图案PW上并且在平面图中与相应的堤EL1和第二电极EL2的第一绝缘层INS1的整个表面上形成第一绝缘材料层INSM1。第一绝缘材料层INSM1可由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘CNL1和第二连接线CNL2分别向第一电极EL1和第二电极EL2施加对准电压来在第一电极EL1[0278]在具有预定电压的直流电力或具有预定周期的交流电力通过第一连接线CNL1和嘴喷射包括发光元件LD的溶剂，可将发光元件LD输入到像素PXL中的每个的发射区域EMA对准可由形成在第一电极EL1与第二电极EL2之间并且具有相对高强度的电场引起。因此，在像素PXL中的每个的发射区域EMA中对准之后，将第一连接线CNL1在每个像素PXL和与每缘图案INSM2可由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝图案INSM2可将设置在第一电极EL1上的第一绝缘材料层INSM1和设置在第一连接线CNL1上每个的相对的端部EP1和EP2中的任一个端设置掩模(未示出)之后，使用掩模通过图案化第一绝缘材料层INSM1的暴露于外部的部分来形成第一绝缘材料图案INSM1'。[0284]第一绝缘材料图案INSM1'可暴露第一电极EL1的预定区域并覆盖第一电极EL1的在第一电极EL1的暴露的预定区域和发光元件LD的相对的端部EP1和EP2中的一个端部上形[0286]第一接触电极CNE1可设置在第一电极EL1的暴露的预定区域上，并且与第一电极对的端部EP1和EP2中的一个端部电连接和/或件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的另一端部可设置掩模(未示出)，并且然后通过使用掩模的工艺图案化绝缘材料层来形成第四绝缘层响。第二电极EL2上的第一绝缘材料图案INSM1'的不被第四绝缘层INS4覆盖的预定区域以及发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的不被第四绝缘层INS4覆盖的另一端部缘层INS4的衬底SUB之上设置掩模(未示出)之后，通过图案化第一绝缘材料图案INSM1'的[0292]第二绝缘层INS2可暴露第二电极EL2的预定区域并覆盖第二电极EL2的除预定区的每个的暴露的相对的端部EP1和EP2中的另一端部上和第二电极EL2上形成第二接触电极[0294]第二接触电极CNE2可设置在第二电极EL2的暴露的预定区域上，并且与第二电极对的端部EP1和EP2中的另一端部电连接和/或[0295]在平面图中，第二接触电极CNE2可在第二方向DR2上延伸并与至少一个分支电极[0297]第五绝缘层INS5可由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层[0299]图14至图16示出了图5的像素的另一实施方式，并且是示意性地示出仅包括显示[0302]以下将集中于与前述实施方式的描述的不同之处来描述图1[0304]尽管在图14至图16中没有直接示出，但是像素PXL中的每个还可包括设置在第一电极EL1和第二电极EL2中的每个下的堤部图案(参考图4的PW)、设置在发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的一个端部和第一电极EL1上的第一接触电极(参考图4的CNE1)以及设置在发光元件LD中的每个的相对的端部EP1和EP2中的另一端部和第二电极开的实施方式中，子电极PRT可包括在第二方向DR2上从第一连接线CNL1分叉到每个像素至第三子电极PRT3中的每个可具有在第二方向DR2电极BRC1和第二分支电极BRC2中的每个可具有在第二方向DR2上延[0307]第一电极EL1中的每个可设置在像素PXL中的每个的发射区域EMA中，并且设置于方式中，第一电极EL1中的每个可具有菱形形状(如图15中所示)或者包括具有预定曲率的[0308]第一电极EL1中的每个可通过相应的第一通孔VIA1与设置在其下方的相应的子电[0309]第二电极EL2中的每个可设置在像素PXL中的每个的发射区域EMA中，并且设置于在第二方向DR2上与相邻的第二电极EL2间隔开的位置处。尽管第二电极EL2中的每个在平[0310]第二电极EL2中的每个可通过相应的第二通孔VIA2与设置在其下方的相应的分支第一方向DR1上具有比设置在其下的相应的分支电极BRC的宽度大(或长)[0312]因此，第一电极EL1中的至少一个与第二电极EL2中的至少一个之间的距离(参考图4的W1)可比设置在至少一个第一电极EL1下的相应的子电极PRT与设置在至少一个第二第一连接线CNL1和第二连接线CNL2中的每个被供应有相应的对准电压，则可在第一电极仅在第一电极EL1与第二电极EL2之间的区域中)密集[0314]图17示出了根据本公开的实施方式的显示装置，并且是示意性地示出图2中所示[0315]图18中所示的像素与图4中所示的像素的不同之处可至少在于：第一连接线和第个子电极PRT和至少一个分支电极BRC的层相同的层上的第一连接线CNL1和第二连接线[0321]屏蔽电极线SDL可设置和/或形成在第二层间绝缘层ILD2上。屏蔽电极线SDL可阻电极线SDL可在第二层间绝缘层ILD2上设置和/或形成在预定区域中，只要屏蔽电极线SDL[0322]第一连接线CNL1可设置和/或形成在第二层间绝缘层ILD2上。第二连接线CNL2可设置和/或形成在第二层间绝缘层ILD2上，并且通过穿过第二层间绝缘层ILD2的第二接触孔CH2与驱动电压线DVL电连接和/或物理连接。第一连接线CNL1和第二连接线CNL2可设置的预定区域。子电极PRT可包括在第二方向DR2上从第一连接线CNL1分叉到像素PXL的发射区域EMA中的第一子电极PRT1至第三子电极PRT3。第二子电极PRT2可通过穿过第二层间绝缘层ILD2的第一接触孔CH1与第一晶体管T1(T)的第二端子DE电连接和/[0324]分支电极BRC可设置和/或形成在第二层间绝缘层ILD2上并且与第二连接线CNL2线CNL2的预定区域。分支电极BRC可包括在第二方向DR2上从第二连接线CNL2分叉到像素PXL的发射区域EMA中的第一分支电极BRC1和第二分支屏蔽电极线SDL、第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2以及第一子电极PRT1至第三子电极PRT1至第三子电极PRT3中的一个与第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2中的一个之电极PRT1至第三子电极PRT3以及第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2上。钝化层PSV可电极PRT3以及第一分支电极BRC1和第二分支极PRT1至第三子电极PRT3以及第一分支电极BRC1和第二分支电极BRC2设置和/或形成在与BRC2可设置在与像素PXL的像素电路层PCL中所包括的导电图案中的任一个的层相同的层[0328]像素PXL的显示元件层DPL可设置和/或形成在钝化层PSV上。显示元件层DPL可包LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极C机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层[0331]第一电极EL1中的每个可通过依次穿过第一绝缘层INS1和钝化层PSV的第一通孔VIA1与相应的子电极PRT电连接和/在相同的列中的第二电极EL2可设置在相应的分支电极BRC上并且与相应的分支电极BRC重[0333]第二电极EL2中的每个可通过依次穿过第一绝缘层INS1和钝化层PSV的第二通孔VIA2与相应的分支电极BRC电连接和/其下的子电极PRT的宽度大(或长)的宽度。第二电极EL2中的每个可在第一方向DR1上具有比设置在其下的分支电极BRC的宽度大(或长)的宽度。在第一电极EL1和第二电极EL2中的每个在第一方向DR1上具有大(或长)宽度的情况下，可减小在像素PXL的发射区域EMA中设置在相同的行中的至少一个第一电极EL1与至少一个第二电极EL2之间的宽度(参考图4的