CN113708219B 一种半导体量子阱激光器及其制备方法 （中国科学院福建物质结构研究所）

CN216699079U,2022.06.072所述下波导层位于下限制层和有源层之间，所述上波导层、过渡层自下所述上保护层上有脊波导和若干刻蚀槽，所述刻蚀槽分布在脊波导上所述脊波导各分段之间的耦合系数、和/或脊波导各分段的长度、和/或3.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，内的脊波导各分段的长度呈啁啾分布或相移分布，位于两侧各1/3范围内的脊波导各分段5.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，内的刻蚀槽的宽度呈啁啾分布或相移分布，位于两侧各1/3范围内的刻蚀槽的宽度呈等效7.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，内各分段之间的耦合系数呈啁啾分布或相移分布，位于两侧各1/3范围内的耦合系数呈等3所述x的取值范围为0_1，所述y的取值范围为0_1；根据设计激光器gg20.根据权利要求18所述的半导体量子阱激光器21.根据权利要求18所述的半导体量子阱激光器423.根据权利要求15所述的半导体量子阱500℃在氮气气氛下合金60s。5Perot半导体激光器，法布里_珀罗半导体激光器DFB激光器（DistributedFeedbackLaser半导体激光器，分布式反馈半导体激光器DBR激光器（distributedBragg[0006]为了实现FP激光器的单纵模输出，由爱尔兰的研究人员提出Slo的复杂工艺。6[0016]优选地，位于所述脊波导中部区域的脊波导各分段的长度呈啁啾分布或相移分[0017]优选地，所述脊波导中部1/3范围内的脊波导各分段的长度呈啁啾分布或相移分[0018]优选地，位于所述脊波导中部区域的刻蚀槽的宽度和/或深度呈啁啾分布或相移[0021]优选地，所述脊波导中部1/3范围内各分段之间的耦合系数呈啁啾分布或相移分7gg[0043]半导体量子阱激光器的材料可以是InGaAsP/InP体系、GaAlN/GaN体系、InGaAs/[0044]根据本发明的实施方案，所述量子阱、势垒采用的材料包括InGaAsP、GaAlN、8[0064]当所述脊波导的高度和刻蚀槽的深度不相同，或者不同9蚀P+_InGaAs接触层，在室温下选用适当的腐蚀液腐蚀或者干法刻蚀上保护层或者上限制腐蚀液腐蚀P+_InGaAs接触层，在室温下选用适当的腐蚀液腐蚀或者干法刻蚀上保护层或子束蒸发Au(20nm)/Zn(50nm)/Au(1000nm)作为P面金属，将芯片衬底减薄至厚度110~150μ光器单纵模模式的稳定性达到甚至是超过其他商用普[0086]下文将结合具体实施例对本发明的通式化合物及其制备方法和应用做更进一步1μm厚的N一InP缓冲层2；掺杂浓度0.4×1018，0.1μm厚的N一InGaAsP下限制层3；含1018InP下保护层；刻蚀槽23的长度和脊波导22的宽度的大小和方向一致；刻蚀槽23的宽度为[0093]所述形成脊波导和刻蚀槽深度不一，且不同的刻蚀[0095]若槽深入有源区，则通过沉积半导体或导电材料使槽的内表面形成厚度50nm~面金属，将芯片衬底减薄至厚度110~150μm，电子束蒸发AuGe(500nm)/Ni(800nm)/Au厚的P_AlxGa1_xAs，x从0渐变到0.3的过渡层7；生长掺杂浓度1×1018，1.5μm厚的P+_述InGaAs接触层9具体为In0.53Ga0.47As层10的有源层5，所述有源层5的具体生长方法如下：550~750℃下先生长10nm的In蚀至N+_GaAs缓冲层，或者上限制层；刻蚀槽23的长度和脊波导22的宽度的大小和方向一[0109]进一步地，其中芯片包含刻蚀槽的脊波导腔长为1000μm;波导的两侧有10~20μm宽的侧沟槽21结构。优选地选定脊波导中间长度1/3部分的耦合系数是啁啾分布或者相移面金属，将芯片衬底减薄至厚度110~150μm，电子束蒸发AuGe(500nm