CN114014257B 一种硅基mems气体传感器芯片的制备方法及应用 （华中科技大学）_第1页
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A,2021.04.23A,2014.03.26A,2018.10.26A,2018.10.12A,2011.12.14ManufacturingofMEMSH2FilmPatterns.ADVANCEDSCIENCE.202一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯2S3、在所述加热电极表面晶圆级沉积绝缘层，使S4、在所述绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口S7、在所述腐蚀窗口处通入腐蚀液，对所述气一个硅晶圆基片上同时制备多个硅基MEMS气MEMS气体传感器芯片的制备方法制备得到。3发展。4提供的硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法制备得到。5基片上通过热氧化生长、PECVD或LPCVD工艺制备氧化硅、氮化硅或复合膜支撑层(总厚度~300um)。本实施例中，使用lift[0052]具体地，绝缘层的制备过程如图4所示，在加热电极3上方制备绝缘层4(厚度为成位置，再通过RIE或ICP等干法刻蚀工艺去除悬臂结构腐蚀窗口对应位置的绝缘层4和悬6[0063]需要说明的是，上述图2-图9均以硅基MEMS气体传感器芯片上的一个气体传感器硅晶圆基片上可以同时制备多个硅基MEMS气体传感器芯7[0068]一种硅基MEMS气体传感器芯片，采用实施例1所提供的硅基MEMS气体传感器芯片[0075]加热电极的材料优选为钛-铂金属，用于利用金属电极的焦耳热效应提供气体传[0078]需要说明的是，本实施例中的硅基MEMS气体传感器芯片可以由实施例1中所述的硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法制备得到，实施例1中所述的硅晶圆基片包括多个硅硅基MEMS气体传感器芯片中的各硅晶圆基片单元共同构成实施例1中所述的硅晶圆基片；各硅基MEMS气体传感器芯片中的各悬臂支撑单元共同构成实施例1中所述的悬臂支8域31；中心加热区域的斜对角处分别设置有一个矩形引线区域32(共有两个矩形引线区[0085]所述粘结层6设置于测试电极5和气敏薄膜7之间。粘结层6制备在测试电极5的中9

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