CN114023733B 一种超导量子芯片的三维封装结构及封装方法 （材料科学姑苏实验室）

JP2021072351A,202一种超导量子芯片的三维封装结构及封装本发明公开了一种超导量子芯片的三维封片的第一面并且通过超导材料与所述控制电路量子芯片的第一面和所述控制电路芯片的第一量子芯片的第一面和所述控制电路芯片的第一面中的任一者与所述第一连接部的一端固定连并且所述第一连接部还与第二连接部配合形成2所述量子芯片的第一面面向所述控制电路芯片的第一面并且通过超导材料与所述控所述第一连接部支撑于所述量子芯片的第一面和所二连接部包括设置于所述量子芯片第一面和所述控制电路芯片第一面中另一者的延展性第二连接部的部分或整体嵌入相应的一个第一连接部，所述第一连接部上开设有孔或槽，或者，所述第一连接部一端固定于所述控制电路芯片的第或者，所述第二连接部的一端固定于所述量子芯片的第钒中的任意一种或多种的组合。使所述量子芯片的第一面与所述控制电路芯片的第一面相对，并使3在所述量子芯片与所述控制电路芯片之间施加压力，使所述量4[0008]所述量子芯片的第一面面向所述控制电路芯片的第一面并且通过超导材料与所[0009]所述第一连接部支撑于所述量子芯片的第一面和所述控制电路芯片的第一面之5路芯片的第一面之间，且使每一第一连接部还与相应的一个第二连接部配合形成嵌合结[0017](1)提供的超导量子芯片的三维封装结构，通过在量子芯片与控制电路芯片两者[0018](2)提供的超导量子芯片的三维封装方法，不需对芯片或控制电路芯片的衬底进[0022]图3A至图3E是本发明实施例1中的超导量子芯片的三维封装结构的第二连接部的[0023]图4A至图4E是本发明实施例1中的超导量子芯片的三维封装结构的第一连接部的[0024]图5A至图5C分别是本发明实施例1中的超导量子芯片三维封装结构在不同位置处[0027]图8A至图8E是本发明实施例2中的超导量子芯片的三维封装结构的第一连接部的[0028]图9A至图9E是本发明实施例2中的超导量子芯片的三维封装结构的第一连接部的[0030]图11是本发明实施例2中的超导量子芯片三维封装结构的另一种第一连接部的实6[0033]所述量子芯片的第一面面向所述控制电路芯片的第一面并且通过超导材料与所[0034]所述第一连接部支撑于所述量子芯片的第一面和所述控制电路芯片的第一面之制电路芯片的第一面相抵触，所述第二连接部的一端固定于所述控制电路芯片的第一面；[0048]本发明实施例的另一个方面还提供了一种超导量子芯片的三维封装方法，其包7路芯片的第一面之间，且使每一第一连接部还与相应的一个第二连接部配合形成嵌合结片1和控制电路芯片2，量子芯片1的第一面面向控制电路芯片2的第一面并通过铟柱3与控一面的四角分别设置有一第二连接部，每一第一连接部的一端与控制电路芯片2的第一面子芯片1的第一面与控制电路芯片2的第一面之间，能够通过铜柱4的尺寸精确控制量子芯此能够增强锡柱5与铜柱4之间结合，进而加强量子芯片1和控制电路芯片2之间的键合强8[0064]本实施例中的三维封装结构，一方面通过铜柱4形成的第一连接部支撑于量子芯[0066]以硬质材料铜在控制电路芯片2的第一面的四角分别加工形成铜柱4作为第一连[0067]以延展性材料锡在量子芯片1的第一面的与铜柱4对应的四角分别加工形成锡柱5表面以及对应铜柱4的衬底11的表面形成固定厚度的金9形成更加紧密牢固的结合，进而进一步加强量子芯片1和控制电路芯片2之间的键合强度，[0088]以硬质材料铝在量子芯片1的第一面的四角分别加工形成空心铝管14作为第一连[0089]以延展性材料铟在控制电路芯片2的第一面的与空心铝管14对应的四角分别加工[0095]步骤四、在负性光刻胶7的表面以及对应空心铝管14的空隙17的内表面形成固定金属等离子体刻蚀方法去除负性光刻胶7表面的金属铝