CN114080536B 量测方法和相关的计算机产品 （Asml荷兰有限公司）

2022.01.07PCT/EP2020/0691392020.07.07WO2021/005067EN2021.01.14US2015043803A1,2015.0TW201843534A,2018.12.16分量的经测量的辐射的重新计算的相关性来选2测量从量测设备中的被测的量测目标反射的第一辐射，所基于测量的被反射的所述第一辐射和所述第二辐射，将经测量2.根据权利要求1所述的方法，其中分解经测量的所述第一辐射和所述第二辐射是利a)利用辐射照射量测目标，所述量测目标包括上部结6.根据权利要求5所述的方法，其中套刻精度误差使用反向分解并仅利用所选择的分a)利用辐射照射量测目标，所述量测目标包括上部结其中在步骤d)中所获得的测量结果以单独8.根据权利要求7所述的方法，其中所述滤波器包括定义单独的分量的上限值和下限9.根据权利要求7所述的方法，其中所述滤波器包括定义分量的间隔的上限值和下限3或掩模版)可以用于生成要在IC的一个单独的层(anindividuallayer)上形成的电路图4[0010]本发明的另一方面包括用于执行第一方面的方法的计算机程序和相关联的计算[0016]图3(c)是在使用用于基于衍射的套刻精度测量的测量设备时提供另外的照射模[0017]图3(d)是第三对照射孔径的示意图，该第三对照射孔径在使用用于基于衍射的套刻精度测量的测量设备时提[0018]图4描绘了具有多个周期性结构(例如，多个光栅)的目标的形式和衬底上的测量[0020]图6是示出使用图3的设备并适用于本发明实施例的套刻精度测量方法的步骤的[0021]图7(a)至7(d)示出了在零区域中具有不同套刻精度值的重叠的周期性结构(例[0025]图11示出了从作为量测工具的诸如波长的参数的函数而测量的量测推断出的值[0026]图12示出了从根据本发明的量测步骤推断的作为量测工具的参数的函数而测量5倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD从源SO传递到照射器6瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)可[0037]辐射束B入射到被保持在图案形成装置支撑件(例如，掩模台MT)上的图案形成装于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉装置、线性编码器、2－D编码器或电容传感似地，第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)可以用于例如在从掩模库机械取得之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)大尺寸限制了在单次静态曝光中被成像的目标[0041]2.在扫描模式中，图案形成装置支撑件(例案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大率和图[0043]也可以采用上述使用模式的组合和/或变型或也可以采用完全不同的使用模式的7(lithocell)或光刻簇(lithocluster)，其还包括在衬底上执行一个或多个曝光前和曝光处理器或机械手RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的处理装置之间移动衬衬底的一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对那些良好的目标部分执行进一步的曝光。整以补偿由光刻工艺步骤引起的衬底到衬底的一个或多个特性在层与层之间和/或跨衬底如何变化。检查设备可以被集成到光刻设备对比度－在已经暴露于辐射的抗蚀剂部分和没有暴露于辐射的抗蚀剂部分之间仅存在非常小的折射率差－并且不是所有的检查设备都具有足够的灵敏度以进行潜像的有用测量。抗蚀剂中的图像可以被称为半潜像。还可以测量经显影的抗蚀剂图像-在该时刻处抗蚀剂的曝光部分或未曝光部分已经被去除-或者在图案转移步骤(诸如蚀刻)之后。例如为了工[0048]常规散射仪所使用的目标包括相对大的周期性结构布局(例如，包括一个或多个8被过填充)。典型地，使用暗场散射测量法(darkfieldscatterometry)来测量这样的目测的示例可见于PCT专利申请公开WO2009/078708及WO2009/106279中，其全文通过引用并于衍射的套刻精度(DBO(diffraction-basedoverlay)或μDBO)使得能够对较小目标进行用于重建光栅。1－D光栅的参数(诸如线宽和形状)或2－D光栅的参数(诸如柱或通孔宽度或长度或形状)可以从印刷步骤和/或其它测量工艺的知识被输入到由处理单元PU执行的一角度照射到目标T上的照射光线I产生零阶光线(实线0)和两个一阶光线(点链线+1和双9征的区域的许多平行光线之一。由于板13中的孔径具有有限的宽度(对允许有用的辐射量[0053]由衬底W上的目标衍射的至少0阶和+1阶由物镜16收集并且通过棱镜15被引导变照射模式或改变成像模式以分别获得－1衍射阶和+1衍射阶强度之后，通过在某些条件和一阶衍射束在第一传感器19(例如CCD或CMOS传感器)上形成目标的衍射光谱(光瞳平面19捕获的光瞳平面图像可以用于聚焦量测设备和/或对一阶束的强度测量进行归一化。光孔径光阑21用于阻挡零阶衍射束，使得在传感器23上形成的目标的图像DF由－1或+1的一[0058]图4描绘了形成于衬底上的示例复合量测目标。复合目标包括被紧接地定位在一具体参考图7解释套刻偏置(overlaybias[0059]图7(a)至图7(c)示出了具有不同偏置的相应目标T的重叠的周期性结构(在这种出了在X方向上具有周期性的周期性结构。可以提供具有不同偏置和不同取向的这些周期图(c)中示出的这种类型的被偏置的目标及其在测量中的使用。[0064]图5示出了可以在图3的设备中使用图4的目标，使用来自图3(d)的孔径板13NW或[0066]图6示出了如何使用例如在PCT专利申请公开号WO2011/012624中描述的方法，通过周期性结构的不对称性来测量在包含分量周期性结构(componentperiodicstructure)32至35的两层之间的套刻精度误差，如通过比较它们在+1阶和1阶暗场图像中的强度所揭示的。在步骤M1，衬底(例如半导体晶片)通过图2的光刻单元被处理一次或多结构的经测量的不对称性与这些周期性结构的套刻偏置的知识一起使用，以计算在目标T射的波长和周期性结构的间距P以及目标的值用作对应于测量信号的套刻精度的衬底上校准(on-substratecalibration)。在附图测量的目标(或子目标)的光栅偏置。使用目标的具有不同的已知偏置(例如+d和－d)的两[0077]尽管这些测量技术是快速的并且相对计算简单(一旦校准)，但是它们依赖于套如，目标的周期性结构特征(例如光栅线)的一个或多个侧壁可以不是如预期的那样垂直。形成下部周期性结构之后执行的诸如化学机械抛光(CMP)的衬底期性结构中的特征602和/或空间604根本不再具有对称形式，而是通过例如一个或多个处的或相邻目标之间的堆叠差异(stackdifference)可能是不利地影响测量(例如套刻精度测量)的准确性的因素。堆叠差异可以理解为相邻周期性结构或相邻目标之间的物理配置的非设计差异。堆叠差异导致相邻周期性结构或相邻目标之间的测量辐射的光学性质(例性结构或相邻目标之间的厚度差异(例如，一个或多个层的厚度差异使得一个周期性结构差异使得一个周期性结构或目标的一个或多个层的组合折射率不同于另一周期性结构或计为具有基本上相同的材料的另一周期性结构或目标的材料存在差异)、相邻周期性结构或相邻目标的结构的光栅周期的差异(例如，一个周期性结构或目标的光栅周期与被设计为具有基本上相同的光栅周期的另一周期性结构或目标的光栅周期存在差异)、相邻周期为具有基本上相同的深度的另一周期性结构或目标在结构的深度方面存在差异)、相邻周期性结构或相邻目标的特征宽度(CD)的差异(例如，一个周期性结构或目标与被设计为具有基本上相同的特征宽度的另一周期性结构或目标在特征宽度方面存在差异)。在一些示[0081]堆叠差异(其可以被称为光栅之间的光栅不平衡)对强度不对称性测量结果A+d、[0084]其中ΔK表示可归因于堆叠差异的套刻精度灵敏度的差异。因此，套刻精度误差[0085]堆叠差异可以被视为空间堆叠参数变化，即衬底上的堆叠参数变化(目标到目或灵敏度可以相对于目标本身的一个或多个属性和/或被提供到目标上的测量辐射的一个个不同孔径来提供各种照射形状，因此，期望针对特定目标确定被优化的测量概况[0090]用于评估和优化目标－测量参数组合的方法可以包括分析目标响应序列数据(目标响应序列数据描述了目标响应随测量概况变化而发生的变化)的那些，特别是诸如波长可以表示作为测量辐射波长的函数的测量数据(例如，被获得作为场数据(在图像平面处)目标的用于测量强度度量的数据的示例曲线图，在该特定示例中，针对单偏振(在该情况敏度(SS)(也是信号对比度))导出的在一个实施例中，堆叠灵敏度可以用公式表示为SS＝KL/IM，其中L是用户定义的常数(例[0094]A(λ)+d和A(λ)-d是分别对应于偏置+d和－d的作为波长的函数的强度不对称测量，[0095]图10描述了在量测工艺中使用的重叠的光栅。它包括顶部光栅101和底部光栅其中光线120是由顶部光栅101反射的辐射，辐射121是由底部光栅102的顶部反射的辐射，辐射122是由底部光栅102的位于与顶部光栅相距D+H的距离处的部分反射的辐射，并且辐[0100]图11还示出了作为量测设备的参数(例如波长202)的函数的从量测测量推断出的12中进一步描绘了测量结果分解为分量的结果。图12示出了作为波长的函数的元件201的[0103]在本发明的另一方面，获得如图12所示的频谱允许测量所获得的每个谐波的相谐波的相位成比例的参数获得套刻精度值)对于本发明是特定的，并且提供了在量测工艺[0107]上述方法允许通过在量测设备的参数(例如波长、照射辐射的偏振状态或照射辐在获取图像时使用的传感器，例如使用图3(a)的传感器19获得的量测。这种测量是由图3于关于图10至图12描述的方法，其中对在与图像检测互补的检测中获得的测量进行分解。[0117]2.根据条款1所述的方法，其中[0126]6.根据条款3所述的方法，其中[0133]8.根据条款7所述的方法，其中将在步骤[0134]9.根据条款7所述的方法，其中滤波器320包