真空镀膜工艺参数调试技师（初级）考试试卷及答案

真空镀膜工艺参数调试技师（初级）考试试卷及答案填空题（10题，每题1分）1.真空镀膜常用的真空度单位是______答案：帕斯卡（Pa）2.电阻蒸发镀膜最常用的加热源是______答案：钼舟3.真空系统中获得高真空的核心泵是______答案：分子泵4.镀膜前基片需进行______处理提高附着力答案：清洗5.直流磁控溅射的靶材通常为______材料答案：金属6.真空镀膜设备的密闭腔体称为______答案：真空室7.膜厚检测常用的接触式方法是______答案：台阶仪法8.蒸发镀膜时，材料需达到______温度才能沉积答案：蒸发9.真空系统的前级泵一般为______答案：旋片式机械泵10.基片加热温度需根据______调整答案：基片材料单项选择题（10题，每题2分）1.真空镀膜操作第一步是（）A.装基片B.抽低真空C.加热基片D.开蒸发源答案：B2.不能作为电阻蒸发源的材料是（）A.钼B.钨C.铝D.石墨答案：C3.磁控溅射中磁场的作用是（）A.提高靶温B.增加离子密度C.加快基片运动D.降低真空度答案：B4.真空室泄漏时，真空度会（）A.持续升高B.下降后稳定C.持续下降D.不变答案：C5.镀膜后基片取出的条件是（）A.真空度10⁻³PaB.真空室温度≤50℃C.立即开门D.蒸发源冷却10秒答案：B6.属于化学气相沉积（CVD）的是（）A.电阻蒸发B.磁控溅射C.等离子体增强CVDD.离子镀答案：C7.扩散泵的前级压力应低于（）A.10PaB.100PaC.1000PaD.10000Pa答案：A8.膜厚不均的非原因是（）A.蒸发源偏移B.基片旋转慢C.真空度过高D.基片装夹不均答案：C9.真空镀膜安全禁忌是（）A.戴防护镜B.穿防静电服C.带压开门D.远离高温部件答案：C10.离子镀与蒸发镀膜的区别是（）A.有离子轰击B.无真空要求C.基片不加热D.膜层更薄答案：A多项选择题（10题，每题2分）1.影响镀膜附着力的因素有（）A.基片清洗程度B.基片加热温度C.真空度D.膜层材料答案：ABCD2.真空系统组成包括（）A.真空室B.抽气泵组C.测量仪表D.控制系统答案：ABCD3.蒸发镀膜类型有（）A.电阻蒸发B.电子束蒸发C.激光蒸发D.磁控溅射答案：ABC4.基片清洗方法有（）A.超声波清洗B.化学清洗C.离子轰击D.酒精擦拭答案：ABCD5.真空系统泄漏点常见于（）A.法兰密封B.阀门密封C.观察窗D.泵口连接答案：ABCD6.磁控溅射优点是（）A.膜层致密B.靶材利用率高C.沉积速率极快D.基片温度低答案：ABD7.真空镀膜安全注意事项（）A.禁止带压开门B.防高温烫伤C.有毒气体通风D.用电安全答案：ABCD8.膜厚控制方法有（）A.石英晶体振荡法B.台阶仪检测C.称重法D.目视观察答案：ABC9.基片装夹要求（）A.均匀分布B.无遮挡C.固定牢固D.距蒸发源一致答案：ABCD10.真空镀膜工艺参数包括（）A.真空度B.沉积速率C.基片温度D.靶功率答案：ABCD判断题（10题，每题2分）1.真空镀膜必须在高真空下进行（）答案：×2.蒸发源加热前需抽低真空（）答案：√3.射频磁控溅射可溅射绝缘靶材（）答案：√4.真空室开门前需通大气（）答案：√5.膜层越厚附着力越强（）答案：×6.扩散泵可单独使用（）答案：×7.离子镀膜层结合力优于蒸发镀膜（）答案：√8.基片加热温度越高越好（）答案：×9.机械泵可抽高真空（）答案：×10.镀膜后基片立即取出（）答案：×简答题（4题，每题5分）1.简述真空镀膜基本流程答案：①基片预处理：清洗（超声波+化学法）、干燥；②装夹基片：固定于真空室夹具，均匀分布；③抽真空：前级泵抽低真空（≤10Pa），高真空泵抽至高真空（≤10⁻³Pa）；④参数设置：基片温度、沉积速率、功率等；⑤镀膜：开启蒸发/溅射电源，沉积膜层；⑥后处理：冷却至≤50℃，通大气取出，检测膜厚及性能。2.蒸发镀膜“膜厚不均”的原因答案：①蒸发源偏移：未对准基片中心；②基片旋转故障：速度不均或停止；③装夹不均：基片距蒸发源远近不一；④蒸发源温度波动：电阻加热电流不稳定；⑤真空度波动：系统泄漏或泵性能下降。排查可先检查旋转机构，再校准蒸发源位置。3.真空镀膜安全防护重点答案：①真空安全：禁止带压开门；②高温防护：远离蒸发源、加热台；③电气安全：设备接地，定期查线路；④气体安全：有毒气体（O₂、N₂）需通风，戴防毒面具；⑤防护装备：戴防护镜、穿防静电服。4.磁控溅射核心原理答案：真空室中，靶材（阴极）接负高压，基片（阳极）接正电位，靶面设磁场。充入Ar气，电场使Ar电离为Ar⁺和电子；电子在磁场（与电场垂直）下做螺旋运动，增加与Ar碰撞概率，产生更多Ar⁺；Ar⁺轰击靶材，使靶原子溅射沉积于基片。磁场提高电子利用率，加快沉积。讨论题（2题，每题5分）1.如何提高镀膜附着力？答案：①基片处理：加强清洗，镀膜前离子轰击（Ar⁺）去除氧化层；②基片温度：玻璃300-400℃、塑料100-200℃，增强原子扩散；③真空度：≤10⁻³Pa，减少杂质污染；④过渡层：镀Cr、Ti等过渡层；⑤沉积速率：控制0.1-1nm/s，避免疏松。可通过划痕法检测附着力，小批量试验调整参数。2.真空系统“抽真空慢”的排查与解决答案：排查步骤：①前级泵：查油位/油质（变