【InN材料的发展研究文献综述3600字】

[24]如图1.3.1，从图中可以看出，两种结构的不同之处主要在于它们原子层有着不同的堆积顺序，纤锌矿结构的堆积方向为[0001]，用字母表示即为ABABABAB…型，闪锌矿结构堆积方式则为沿着晶向的[111]，为ABCABCABC…型。图1-2InN晶格结构（a）六方纤锌矿结构（b）立方闪锌矿结构比较两种晶体结构，六方纤锌矿结构不仅在常温下稳定性好于闪锌矿结构，而且其物理性质相对于闪锌矿结构来说也更加重要，所以目前对InN的研究中，大多数都集中在六方纤锌矿机构上，闪锌矿结构的研究少之又少。参考文献L.Liu,H.H.Edgar,Mater.Sci.Eng.R37,61（2002）F.FichterandZ.Anorg,Chem.54,322(1907)R.Juza,andH.Hahn,ZeitschriftfuranorganischeundallgemeineChemie,239,282(1938)H.P.Maruska,andJ.J.Tietjen,Appl.Phys.Lett.15,327(1969)H.P.Maruska,W.CRhines,andD.A.Stevenson,Mater.Res.Bull.7,777(1972)S.Yoshida,S.Misawa,andS.Gonda,Appl.Phys.Lett.42,427(1983)H.Amano,IAkasaki,K.Hiramatsu,N.Koide,andN.Sawaki,ThinSolidFilms163,415(1988)S.Nakamura,M.Senoh,andT.Mukai,Jpn.J.Appl.Phys.30,L1708(1990)S.Nakamura,M.Senoh,T.MukaiandN.Iwasa,Jpn.J.Appl.Phys.31,L139(1992)M.Bockowski,Phys.B265,1(1999)W.Trainor,andK.Rose,J.Electron.Mater.3,821(1974)A.GBhuiyan,A.Hashimoto,andA.Yamamoto,J.Appl.Phys.94,2779(2003)钱志刚,沈文忠,郭其新等.半导体氮化铟(InN)的晶格振动[J].物理学进展,2003,23(3):257-583.J.Wu,WW.Wicz,KM.Yu,etal.UnusualpropertiesofthefundamentalbandgapofInN[J].JournalofCrystalGrowth,2002,246:315-319.Q.Yan,P.Rinke,A.Janotti,etal.Effectsofstrainonthebandstructureofgroup-IIInitrides[J].PhysicalReviewB,2014,90(12):125118.石相军,汪健,朱洁等.氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响[J].功能材料与器件学报,2012,18(5):397-402.M.Amirhoseiny,Z.Hassan,N.S.Shiong,etal.ReactiveSputteringGrowthandCharacterizationsofInNThinFilmsonSiSubstrates[J].AdvancedMaterialsResearch,2012,545290-293.丁少锋,范广涵,李述体等.InN材料及器件的最新研究进展[J].材料导报,2007,21(6):16-20.A.A.K.V.Yu.Davydov,R.P.Seisyan,V.V.Emtsev.AbsorptionandEmissionofHexagonalInN.潘葳,沈文忠,郭其新等.半导体氮化铟(InN)的电学性质[J].物理学进展,2004,24(2):195-215.T.Matsuoka,H.Okamoto,M.Nakao,etal.OpticalbandgapenergyofwurtziteInN[J].AppliedN.Miller,J.W.AgerIII,H.M.SmithIII,M.A.Mayer,K.M.Yu,E.E.Haller,W.Walukiewice,W.J.Schaff,C.Gallinat,G.Koblmuller,J.S.SpeckJ.Appl.Phys.107,103712(2010)N.Ma,X.Q.Wang,F.J.Xu,N.Tang,B.Shen,Y.Ishitani,angA.Yoshikawa