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文档简介
本申请公开了一种包含深沟槽结构的半导露；通过光刻工艺对第二区域进行第二刻蚀处2通过光刻工艺进行第一刻蚀处理，在所述第一区域形成第一沟通过光刻工艺对所述第二区域进行第二刻蚀处理，使所述第二沟槽的在所述第一沟槽的底部，以及所述深沟槽中第一氧化进行第三刻蚀处理，去除所述深沟槽中预定深度的第二氧化层去除所述衬垫氧化层和所述硬掩模层，在所述第一区域剩余的3[0002]深沟槽结构(其高度和宽度的比值通常大于4)广泛应用于半导体集成电路领域，例如，Bi-CMOS器件(集成在同一芯片上的互补金属氧化物半导体(complementarymetal45便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、[0033]参考图1，其示出了本申请一个示例性实施例提供的半导体器件的制作方法的流[0035]参考图2，其示出了本申请一个示例性实施例提供的形成有多层薄膜层的衬底的氧化(thermaloxidation)工艺在外延层230上形成，硬掩模层240可通过化学气相沉积层251可通过CVD工艺在硬掩模层240上沉积硅氮化物6二沟槽，然后再通过在第二区域进行第二刻蚀处理将第二沟槽往下继续刻蚀形成深沟槽，的第二外延层222和第二氧化层252，去除深沟槽303中第一外延层221上方的第二外延层222和第二氧化层252(由于深沟槽303的深宽比较大，可通过调整干法刻蚀工艺的角度实CVD工艺沉积硅氧化物形成第三氧化层253，第三氧化层253填充第一沟槽301和深沟槽3037[0053]参考图9，其示出了进行平坦化处理后去除硬掩模层上方的第一氧化层和第三氧化层的剖面示意图。示例性的，可通过化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，硬掩模层240不包含硅氧化物，因此可通过湿法刻蚀工艺进行第三刻蚀处理，去除深沟槽二外延层222、第二氧化层252和第三氧化层253构成对位标记410，第二区域202的深沟槽89
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