CN114128140B 一种体声波谐振装置的形成方法 （常州承芯半导体有限公司）

2022.01.21PCT/CN2019/1046002019.09.05WO2021/042343ZH2021.03.11一基底侧，第一层的第二侧对应空腔预处理层2在去除所述第一基底后，去除所述第一子压电层，所述第一326.如权利要求5所述的体声波谐振装置的形成29.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成30.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形45[0002]无线通信设备的射频(RadioFrequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、双工器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括声表面波系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)滤波器、集成无源装置(IntegratedBAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至[0004]图1a示出了一种BAW滤波器电路，包括由多个BAW谐振器接触区域的声阻抗与金属电极的声阻抗有较大[0005]薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticWaveResonator，FBAR)是一种可以把基底101上表面侧包括空腔103；电极层105，位于所述基底101及所述空腔103上；压电层67的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高，方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；89[0033]图3a是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法200中空腔预处理层形成[0034]图3b是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法200中空腔预处理层形成[0035]图3c是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法200中空腔预处理层形成[0036]图4是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法200中第二层形成方法400第四方向的向量的夹角范围包括175度至1第四方向的向量的夹角范围包括175度至1第四方向的向量的夹角范围包括175度至1间层705与所述基底701之间设置所述薄膜703有助于防止所述基底701表面形成自由电子[0282]在另一个实施例中，所述形成边缘结构901还包括：刻蚀所述金属边缘结构内侧[0285]基于所述光刻标记502，形成电极层1001，位于所述第二侧，接触所述子压电层[0295](1)所述子压电层503和所述子压电层505形成于所述基底501上，所述基底501的[0296](2)所述基底701的加工和有源层(至少包括所述压电层505、所述电极层601所述边缘结构901及所述电极层1001)的加工可以分开进行，使谐振装置的形成方法具有灵活[0297](3)所述中间层801的声阻抗与所述压电层505的声阻抗相比较小，从而阻隔声波[0298](4)所述中间层801与所述基底701之间设置所述薄膜703有助于防止所述基底701质量较好的所述子压电层505，从而可以进一步提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装[0300](6)所述光刻标记502具有校准作用，形成所述边缘结构901及所述电极层1001相[0301]图11至14是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法的剖面A结构示意第四方向的向量的夹角范围包括175度至1[0331]需要说明的是，所述中间层1301的声阻抗与所述压电层11[0341]图15至18是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法的剖面A结构示意[0349]形成中间层1509，位于所述压电层1503上，覆盖所述牺牲层1507及所述电极层第四方向的向量的夹角范围包括175度至1[0371]需要说明的是，所述中间层1701的声阻抗与所述压电层15[0374]基于所述光刻标记1502，形成电极层1801，位于所述第二侧，接触所述压电层