AI上游材料四层级全景拆解：算力基建浪潮下的材料革命溯源AI产业上游资源品

关注AI上游材料的三大逻辑 5普林格周期切换至三阶段，中游制造板块收益占优 5地缘缓和与能源价格回落，材料板块成本下行 6AI投资向产业链上游扩散：从算力到材料 6AI产业链上游材料全景拆解 7芯片级材料 8硅基晶圆材料 8光刻与图形化材料 9工艺化学品与气体 10薄膜沉积与平坦化材料 10化合物与特种衬底 封装级材料 12传统封装材料 12先进封装材料 13互连级材料 13光互连材料 14电互连材料 14系统级材料 15热管理材料 15服务器电源材料 16结构与环境材料 16AI上游材料板块与标的梳理 16建筑板块：洁净室与半导体厂房建设 16建材板块：覆铜板、电子布与先进基板材料 17有色板块：高端铜箔、靶材与光通信材料 19化工板块：半导体材料、电子化学品与液冷材料 20风险提示 22图1：2026年布伦特原油期货结算价（美元/桶） 6图2：2026年WTI原油期货结算价（美元/桶） 6图3：全球半导体材料市场规模（2021-2025） 7图4：2025年半导体材料市场分地区收入（十亿美元） 7图5：AI产业链上游材料图谱 8图6：12英寸半导体硅片晶圆 9图7：半导体级高纯石英砂 9图8：避光瓶装光刻胶 9图9：光掩模版 9图10：高纯气瓶电子特气 10图湿电子化学品：半导体级氢氟酸 10图12：各类溅射靶材产品 图13：CMP抛光垫 图14：磷化铟晶圆衬底 12图15：碳化硅晶圆衬底_ 12图16：TO-CAN封装DFB激光器 14图17：AlN氮化铝陶瓷基板 14图18：覆铜板CCLFR-4板材 15图19：高速铜缆QSFP-DAC 15表1：普林格时钟各阶段特征与策略 5表2：建筑板块AI上游材料相关标的 17表3：建材板块AI上游材料相关标的 18表4：有色板块AI上游材料相关标的 19表5：化工板块AI上游材料相关标的 21在我们的资产配置中期策略展望《China-Commodity-Chip》中，我们指出，今年下半年大类资产配置的核心策略可概括为“CCC策略（China-Commodity-Chip）”，即同时布局中国资产、大宗商品与自主开发半导体。中国资产受益于内需企稳与政策边际改善，具备估值修复空间；大宗商品在全球供应链重构与地缘风险溢价抬升的背景下，价格中枢系统性上移；自主开发半导体则处于产业政策与资本开支双轮驱动的景气周期。在Commodity里，我们重点推荐上游资源品，包括AI上游材料、战略矿产、能源、种植品等。当前时间点来看，国内普林格正从第二阶段切到三阶段，又正逢美伊协议落地原油走弱，对于中游制造业比如化工、建材、机械、有色等行业无疑是非常利好的，国内三阶段本身中游制造就强，目前或是布局中游较好的时间窗口。AI上游材料的三大逻辑AI上游材料板块正处于多重有利因素的交汇点。一方面，全球资产轮动进入周期6投资正沿产业链由下游应用、中游算力持续向上AI材料迎来一轮具备产业支撑的战略性配置机会。普林格周期切换至三阶段，中游制造板块收益占优普林格周期是由技术分析师马丁AIAI散，并非依赖宏观总需求的强复苏。这意味着即便宏观经济修复力度偏弱，AI派生的材料需求仍具有相对独立的成长性，周期属性中嵌入了成长的内核。普林格阶段三类资产与经济特征 资产配置策略表1普林格阶段三类资产与经济特征 资产配置策略阶段一 债券率先见底回升，股票、商品仍跌；衰退后期 重配债券阶段二 债券与股票同步上行，商品仍弱；复苏初期 股债双牛，股票更优阶段二 债券与股票同步上行，商品仍弱；复苏初期 股债双牛，股票更优阶段四 债券见顶转跌，股票与商品仍涨；复苏末至过热 减债券，加股票与商品阶段三 债券、股票、商品全部上行；全面复苏 股债商均衡，增配商品阶段四 债券见顶转跌，股票与商品仍涨；复苏末至过热 减债券，加股票与商品阶段五 股票见顶转跌，商品仍涨；过热期 减股票，重配商品阶段六 商品见顶转跌，三类资产齐跌；衰退期 防御，回避风险资产，增加现金阶段六 商品见顶转跌，三类资产齐跌；衰退期 防御，回避风险资产，增加现金地缘缓和与能源价格回落，材料板块成本下行中东地缘局势经历了剧烈震荡后逐步走向缓和。202624120660天的临时停火协议，允许伊朗恢复出口并逐步重新6237762026年四季度预测由90美元下调至802027年均价下调至75WTI对应下调至四季度75美元和202770OPEC718.8万桶/6月增幅持平。然而实际情况是，受冲突影响多数成员国实际产量明显下滑，OPEC24277万43319修复，原油价格中枢相比战时显著下移。图1：2026年布伦特原油期货结算（美元/桶） 图2：2026年WTI原油期货结算价美元/桶）120 120100 10080 8060 6040 4020 2002026/1 2026/2 2026/3 2026/4 2026/5 2026/6

02026/1 2026/2 2026/3 2026/4 2026/5 2026/6AI投资向产业链上游扩散：从算力到材料随着中游算力标的估值持续走高，资金沿产业链向上游寻找新的机会，2026年这一扩散趋势进一步加速，AI上游材料逐渐成为资金配置的新主线。SEMI20265年全球半导体材料市场营收同比6.8%7325.4%458亿美9.3%274亿美元，封装材料增速连续第二年高于晶圆制造材2171615612.5%亿美元位列第三。SEMI图3：全球半导体材料市场规模（2021-2025） 图4：2025年半导体材料市场分地收入（十亿美元）2025 YoY%Growth2520151050北美 欧洲 日本中国台湾韩国中国大陆其他地

15%10%5%0%-5%-10%SEMI SEMIGB300RubinAI800G/1.6T光模块及超大规模交换机8/M9PCB单台价值显著提升。年，需求持续性明确。AI20264APCBAI上游材料这一投资主线正在形成。从传导路径看，AI投资由下游应用和机器人，到中游的GPUPCBHBM，再进一步延伸至芯片级、封装级、互连级与系统级材料。AI产业逻辑扩散驱动，因此即便宏观经济复苏偏弱，AI算力建设带来的材料需求仍具备独立成长性。AI产业链上游材料全景拆解AI支撑等多个物理层面，若按传统化工/有色的产品分类方式梳理，容易割裂材料之间的产业AI产业链的投资扩散节奏。因此，本章突破传统框架，—封装级—互连级—AI算力的"物理本源决定晶体管的制造精度与算力密度；封装级材料是性能释放的桥梁，HBM、Chiplet等先进"神经网络"后勤保障AISEMI全球半导体材料统计口径（晶圆制造材料+封装材料）兼容，同时向下游自然延伸至互连与系AI算力全链条的完整材料图谱。图5：AI产业链上游材料图谱绘制芯片级材料AIGPU、TPUASIC，所有电路都构37%同构成第二大类材料，显示出在先进制程中的关键作用。CMP材料占比为7%，光刻胶占22%，涵盖封装材料、清洗液等多种辅助材料。硅基晶圆材料硅片是晶圆制造的基底，127nm及以下先进制程所必需，8英寸则用于芯片而言，除尺寸外，每平方厘米缺陷数直接决定良率，且对平整度要求极严。当前技术前沿迭代方向涵盖射频/低功耗用的绝缘体上硅（SI、功率器件外延片，以及碳化硅、SOISOISoitec主导，技术壁垒极高；12英寸硅片产能亦由2-3AI芯片需求持续增长，低缺陷高平整度的高端硅片供需偏紧。石英制品与高纯石英砂是光刻和刻蚀工艺的关键耗材。石英制品包括光刻机用石英透石英-陶瓷复合材料、3D打印石英等技术应用。图6：12英寸半导体硅片晶圆 图7：半导体级高纯石英砂材商城 康石英光刻与图形化材料光刻胶IC50%IC胶必须满足高分辨度、高敏感度、高对比度等技术指标。按照曝光波长不同可分为g线（436nm、i线（365nm、r（248nm、r（193n）和EUV光刻胶（13.5nm。其中ArF/EUV50%ArFEUV光刻辅助材料与光掩模版抗反射涂层、显影液、剥离液等，BARC涂覆在光刻胶下方防止光在硅片表面反射造成图光掩模版采用多层膜反射技术（o/Si多层膜，技术壁垒极高。图8：避光瓶装光刻胶 图9：光掩模版JUNSHENG 工艺化学品与气体电子特气（掺杂（图形化（长（去除杂质6N9N芯片制造中，含氟气体（三氟化氮、六氟化钨）3EUV光刻机的冷却气体，氦气不可人工合成，全球储量（尤其是氦气供给高度集中。AI3EUV（AI湿电子化学品（10ppt）AI芯片的湿电子化学品的需求特点是硫酸和双氧水用量大、氢氟酸精度要图10：高纯气瓶电子特气 图11：湿电子化学品：半导体级氢氟酸未半导体 penta薄膜沉积与平坦化材料溅射靶材（互连线（电极（阻挡层（粘附层5AI10-155N6N芯片对铜靶和钽靶的需求随布前驱体前驱体（Hf、Zr、Al的有机金属化合物SiO2（TiNAIHigh-k前驱体的需求随先进制程栅极介质层复杂度提升而增长，但供给端受限于有机金属合成技术和安全储存运输要求，高端前驱体供需偏紧。CMP抛光材料（CMP）通过化学腐蚀和机械CMP（二氧化硅或氧化铝、氧化剂、络合剂、表面活性剂组成，不同材料层需要不同配方。3CMP20CMPCMPCMP材料供需偏紧。图12：各类溅射靶材产品 图13：CMP抛光垫未半导体 nittadupont化合物与特种衬底III-V（磷化铟/砷化镓InP是高速激光器/LED的主流材料。AIInPInP衬底产缺，扩产受限。AIInPCPO（共封装光学）和高速光通信普及而快速增长，但供给端受限于晶体生长技术（LEC/VGF法）MOCVD设备稀缺，InP衬底供需长期偏紧。（碳化硅基氮化镓3穿电场强度和热导率远高于硅。SiC衬底由物理气相传输（PVT）法生长，6英寸衬底是主流，8英寸正在兴起。GaN-on-SiCGaNSiC的高导热性，是射频功率WolfspeedSiCAI服务器SiCPVT晶体生长速度慢、缺陷控制难度大，SiC衬底供不应求，价格居高不下。薄膜铌酸锂（ockels系数100GHz1.6T/3.2T光模块的最优解。薄膜铌酸锂通过晶圆级键合和减薄工艺制300-600（晶圆级键合+精密减薄AI1.6T/3.2T光模块的需求随算力扩张而快速增长，TFLN调制器作为最优解，供给端受限于薄膜制备良率和晶圆尺寸，供需严重失衡。图14：磷化铟晶圆衬底 图15：碳化硅晶圆衬底_ShalomEO 封装级材料HBMAI芯片向高带宽、高算力、低功耗方向发展，封装技术从传2.5D/3D先进封装演进，对材料的要求也从保护升级为性能增强。传统封装材料（引线框架/BT树脂基板/陶瓷基板树脂基板（双马来酰亚胺三嗪树脂）是传统封装/10-15率器件和高温封装，主要材料是氧化铝（23、氮化铝（AlN，热导率高、绝缘性好。（CTEBTAlN基板仍由日系企业领先。AI芯片对高端基板的需求随汽车电子和工业应用增长而提升，但传统封AI芯片中的占比逐渐下降，被先进封装替代。（金丝/铜丝/铝丝（导电性好、抗氧化，但成本高。铜线（成本低、导电性更好）和银合金线（兼顾成本和性能）是替代方芯片对键合丝的需求在传统封装中仍占一定比例，但先进封装中铜柱凸块正在替代键投资逻辑偏弱。（导电银胶/DAF非导电薄膜DAFHBMDAF垂直导电、水平绝缘）是技术升级方向，烧结银（200W/mK）和纳米银浆（低温烧结）是DAF和烧结银进入门槛较高。HBMDAF需求快速增长，材料配方和薄膜制备技术是核心瓶颈。（EMC）HBMEMC（防止薄芯片翘曲（散热、低翘曲（确保多层堆叠精度。EMC格局为日系企业领先，HBMEMC进入门槛很AIEMCHBM（812层/16层演进αEMC供需偏紧。先进封装材料ABF载板/玻璃基板HBMCPUABF2微米/2BT载板线宽/线距约10HBM的高密度互连需求。ABF膜的技术壁垒在于低介电常数（减少信号延迟（匹配硅芯片（确保多层对位精度ABF膜格局为日本味之素绝对垄断，是半导体材料的卡脖子节点之一。AI芯片对ABF载板的需求随HBMChipletABF膜产能（味之素扩产谨慎）和载板制造良率，ABFABF/ABF载板，但中长期是重要方向。再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）Chiplet3D堆叠水平和垂直两个方向上的核心互连技术：RDLI/O水平重布至更大面积，材料包括聚酰亚胺（PI）/聚苯并噁唑（PBO）2μm常数、更窄线宽及更高铜厚均匀性，半加成法（SAP）RDL是工艺重点；TSV则通HBM3DTSV（铜柱/锡银及UM（i/u/Ni（CUF/NUF/MUF）（GMC/Low-α球硅是保障芯片可高玻璃化转变温度及快速流动，MUF可一步完成塑封填充；该领域由德日企业主导，配方HBM3DLow-α球形α导热界面材料（TIM）和临时键合/解键合材料，分别解决高功率芯片散热与超薄晶圆TIMTIM200°C核心工艺仍处追赶阶段。两类材料整体依赖进口，扩产缓慢，供需缺口可能持续。互连级材料AIAI更高的可靠性。光互连材料（DFB/EML/VCSELPIN/APD探测器（光纤阵AIDFB用于中长距、EML（集成调制器用于高速长距、VCSELPIN常规接收、APD用于弱光；AI要求波长稳定、高功率、长寿命，高速激光器（CW/EML）由美InPMOCVD产能制约，CWCPO普及需求爆发而供给严重失用于多光纤精准耦合、实现波分复用、透镜与波导控制光路，要求（AlN陶瓷基板/LCP薄膜/钨铜合金基座170W/mK，是光模块散热的关键；LCP（液晶聚合物）薄膜具有极低的Dk/Df，是高频信号传输的理想材料；钨铜合金（WCu）热导率超过200W/mK，CTE可调，是光模块基座的理想材料。AlN陶瓷基板由日系企业领先，LCP薄膜由美系和台系企业领先，钨铜合金由国内企业领先。AI服务器对光模块结构材料的需求随光模块功率提升而增长，但供给端受限于材料制备工艺，高端结构材料供需偏紧。AI数据中心光互联依赖光连接器与光纤光缆：光连接器以陶瓷插芯（ZrO₂/Al₂O₃）和MPO多芯连接器（8/12/24芯）为核心，陶瓷插芯由日系和国内主导，MPO由美系日系领图16：TO-CAN封装DFB激光器 图17：AlN氮化铝陶瓷基板BOX 电互连材料PCB（印制电路板）AI服务器的核心载体。AIPCB的要求远高于普通服务器：层数更多（20-30vs8-12层、线宽更细、高频高速材料占比更高。覆铜板PCBPCB30%-40%AIPCBPCB的本质差异，在于材料的等级跃迁——FR4向高频高速材料升级。PCB（Low-Dk+Low-CTE+Q布（HVLP4/RTF认证级ABF膜FR4大宗材料。AILow‑Dk/DfLowLos级（8/M9，日台系主导，英伟达M9认证周期12‑18个月，供需严重失衡；其增强ELow‑Dk布、Low‑CTET‑glassQ布（石英纤维PPO/PPEBMIHVLP3‑4代。半固化片（Prepreg）CCLDk/Df匹配、流动性好，供给格局类似；PCB辅助材料（干膜、阻焊、电镀液等）LDI干膜、喷墨阻焊仍由日高速铜缆（DAC/AEC）与配套连接器AI服务器机架内短距互联的核心方案：DAC为无源铜缆，成本低但距离短，AEC内置放大芯片；224G/112G差分对铜缆系英伟达GB200/NVL72（高温塑料）作为接口，市场由台系（铜缆）和美系（连接器）主导，224G铜缆及精密冲压注塑工艺壁垒高，AI需求爆发导致高端铜缆与连接器供需严重失衡。背板/（/中板需要高CCL56G112G/224GCCLCCL类似，主要由日系、台系、韩系企业竞争。AI服务器对背板材料的需求随机架规模扩大和信号速率提升而增长，但供给端受限于层压工艺和尺寸控制，高端背板材料供需偏紧。图18：覆铜板CCLFR-4板材 图19：高速铜缆QSFP-DACsdsenrong UnitekFiber系统级材料AI材料两大类。AI数据中心功率密度极高,要求远超传统数据中心。热管理材料散热结构材料（铝型材VC/热管/冷板）（VC）GPU散热的液冷系统材料（电子氟化液/水/乙二醇冷却液/液冷管路）AI数据中心高功率密度散（3M）主导，3M宣布逐步退出氟化液市场后，供给格局面临重大变化，自主开发窗口打开。AI服务器对液冷材料的需求随液冷技术普及（从冷板式向浸没式演进）而爆发式增长。服务器电源材料磁性材料AI服务器电源模块电感。合金磁粉芯（Fe-Si-Al、Fe-Ni-Mo）具有高（Mn-Zn用于高频变压服务器对磁性材料的需求随电源模块功率密度提升而增长，但供给端受限于磁粉制备和磁芯成型工艺，高端磁性材料供需偏紧。MLCC/电子陶瓷AI多层陶瓷电容器具有ESR（等效串联电阻）的特点。MLCC由陶瓷介质（BaTiO3基）和金（NiMLCCMLCC进入门AIMLCCMLCC供需偏紧。结构与环境材料电磁屏蔽材料（导电泡棉金属屏蔽罩/吸波材料/导电涂料）AI服务器内部高频信号AIAIAI服务器的结构支撑与防护密封材料（铝合金/镁合金（PC/ABS级、（填充保护与散热）（I54以上防护AI环境部署需求有所增长，但供需相对平衡，国产化进展较快，仅极高端品种略有依赖。绝缘材料用于高压电缆绝缘、变压器绝缘等。聚酰亚胺（I、聚醚酰亚胺（I、芳AIAI绝缘材料的需求随电力配电系统升级而增长，但供给端相对充足，供需基本平衡。AI上游材料板块与标的梳理建筑板块：洁净室与半导体厂房建设AIAIAI算力建设加速，洁净室需求将持续受益。这一领域竞争格局相对集中，国内头部厂商深耕半导体洁净室多年。洁净室工程正从单纯的施工服务向全生命周期管理延伸，包括微振动控制、化学污染物监测、能耗优化等增值服务比重提升，龙头企业的综合解决方案能力进一步拉开与中小企业的差距。此外，部分企业在洁净室过滤材料领域布局，随着光刻机等关键设备自主开发加速，对化学过滤器和超高效过滤器的认证周期正在缩短，国产过滤材料从备份供应商逐步进入主力供应商序列；传统建筑装饰龙头亦在向半导体洁净室转型切入，但中高端市场的客户认证壁垒仍然较高。10%12英寸晶圆厂建设热潮为洁净室企业带来持续的（MC，带动化学过滤系统等新设备品类需求增长。表2：建筑板块AI上游材料相关标的简称代码核心材料/业务全球竞争地位核心逻辑市值（亿元人民币）亚翔集成603929.SH半导体洁净室工程国内半导体洁净室龙头台积电、中芯国际核心客户449.76太极实业600667.SH半导体厂房建设海力士、华虹客户半导体厂房工程与运营437.55华建集团600629.SH数据中心/电子厂房设计国内建筑设计龙头数据中心与电子厂房设计领先155.13柏诚股份601133.SH半导体洁净室与微污染控制国内洁净室设备龙头长鑫存储等核心客户扩产带动高增154.86再升科技603601.SH微纤维玻璃棉过滤材料国内微纤维玻璃棉龙头洁净室高效过滤材料核心供应商147.02金螳螂002081.SZ洁净室工程建筑装饰龙头转型半导体、生物医药高端制造领域121.88盛剑科技603324.SH半导体工艺废气治理系统 国内半导体废气治理龙头中芯国际、华虹绿色厂务系统供应商60.81美埃科技盛剑科技603324.SH半导体工艺废气治理系统 国内半导体废气治理龙头中芯国际、华虹绿色厂务系统供应商60.81亚厦股份002375.SZ洁净室装修 建筑装饰龙头转型 半导体洁净室装修业务布局 48.11中国海诚002116.SZ中国海诚002116.SZ电子厂房工程设计 国内轻工工程设计龙头电子厂房设计领域积累深厚 40.58建材板块：覆铜板、电子布与先进基板材料AIPCB的骨架，AIPCB的要求远高于普通服务FR4PCBCCLCCL领域集中度更AI需求驱动的结构性升级——传统FR4已无法满足AI服务器的低损耗要求，M8/M9级高速材料渗透率快速提升，这类材料的单价远高于普通FR4，行业价值量显著扩容。AI计算平台的材料升级中占据主动。更关键的是，客户验证周期正在从过去的漫长流AIPCBABF载板与硅中AI芯片厂商的备货节奏通常领先量产两个季度，目前产业链反馈AI服务器电源模块中的渗透表3：建材板块AI上游材料相关标的简称代码核心材料/业务全球竞争地位核心逻辑市值（亿元人民币）康宁GLW.N特种玻璃+玻璃基板全球特种玻璃龙头半导体玻璃载板、显示玻璃技术领先11386.19布局布局M9认证内资，全产业链4077.76国内龙头，全球领先生益科技 600183.SH覆铜板CCL欣兴电子3037.TWABF载板全球ABF载板领先苹果、AMD核心供应商3317.69揖斐电4062.TABF载板全球ABF载板龙头高端CPU/HBM载板领先2893.62南亚塑胶1303.TW覆铜板全球领先高频高速CCL技术领先2624.62建滔积层板1888.HK覆铜板全球龙头全球CCL产能前列，规模优势显著2390.67中国巨石600176.SH玻纤原丝全球玻纤龙头电子布上游全球龙头2359.05宏和科技603256.SH高端超薄电子布高端电子布全球领先国内少数稳定量产高端产品2242.47中材科技002080.SZ玻纤原丝+电子布国内电子布大厂厚型CTE电子布，三代Q布布局1288.80兴森科技002436.SZ封装基板国内封装基板领先ABF载板+BT载板双布局824.34南亚新材688519.SH高频高速覆铜板国内高频CCL专精M10高端基材领先，深度绑定算力客户783.15东材科技 601208.SH碳氢树脂+绝缘材料国内碳氢树脂布局领先高端树脂自主开发，特种助剂追赶 725.82菲利华 300395.SZ石英纤维布+石英器全球石英布Q布核心半导体石英器件自主开发龙头 669.51件联瑞新材 688300.SH球形硅微粉 国内领先，全球前列 CCL+封装双重需求，国内绝对龙头 576.94石英股份 603688.SH高纯石英砂、半

全球少数掌握内层砂技半导体石英坩埚、扩散炉用石英料受益

436.81沃格光电 603773.SH沃格光电 603773.SH玻璃基板+TGV 国内玻璃基板布局 TGV技术领先，试验线推进 386.92

术企业之一于晶圆产能扩张与自主开发凯盛科技 600552.SH玻璃基板 国内玻璃基板龙头 玻璃基板国产替代核心 241.91华正新材 603186.SH高速基材+BT基板国内高速基材领先 5G/车载/AI光模块主力，BT凯盛科技 600552.SH玻璃基板 国内玻璃基板龙头 玻璃基板国产替代核心 241.91注：市值截至2026/6/23收盘有色板块：高端铜箔、靶材与光通信材料AIPCB铜箔、高纯溅射靶材、磷化铟衬底、铌酸锂晶体、稀土永磁以及光通信材料等多个维度。AI服务器对高端铜AI芯片金属化制程，随着国内晶圆厂扩产和制程升级，靶材HVLPAI服务器出AIPCBHVLPCPO上游供给瓶颈较明显的环节，MOCVD设备产能，供给弹性极低，全球供需缺口短1.6T/3.2T以上光模块的关键路线，国内在铌酸锂晶体生长和后加工环节已形成初步产业链，但批量一致性问题仍在攻关中。SiCAIDC-DCAI服务器供应链，部分特种陶瓷材料企业也有望切入陶瓷基板赛SiCAIAI表4：有色板块AI上游材料相关标的简称代码核心材料/业务全球竞争地位核心逻辑市值（亿元人民币）住友电工5802.TInP衬底+铌酸锂晶体全球InP衬底垄断铌酸锂核心材料供应4211.97江西铜业600362.SH铜矿+铜材国内铜矿龙头铜矿+铜材一体化，PCB铜材底座1709.55中国铝业601600.SH铝国内铝业龙头数据中心散热和结构材料1559.39铜冠铜箔301217.SZ电子铜箔国内标准铜箔龙头HVLP1-3量产领先、RTF产销内资第一，HVLP4测试推进中1424.33三井金属5706.T高端铜箔高端铜箔技术领导者HVLP铜箔技术领先，载体铜箔垄断1118.51德福科技301511.SZHVLP高端铜箔国内电解铜箔第一梯队HVLP4小规模放量，服务器认证完备882.96江丰电子300666.SZ高纯溅射靶材国内靶材龙头覆盖台积电、中芯国际，国产替代核心808.13天岳先进688234.SHSiC衬底国内SiC衬底龙头国内市占率领先，全球前列791.72云南锗业002428.SZ磷化铟、砷化镓衬底国内InP衬底龙头化合物半导体材料龙头，扩产积极730.84锡业股份000960.SZ高纯铟全球铟供应主导InP原料核心698.49海亮股份002203.SZ高端铜加工材料全球铜加工龙头PCB上游铜材核心供应商，AI服务器用铜材受益559.19金力永磁300748.SZ钕铁硼永磁全球稀土永磁龙头数据中心风扇电机核心449.82福晶科技 002222.SZTGG磁光晶体+铌锂

全球级磁光晶体 CPO光隔离器核心，铌酸锂晶体 437.33三祥新材603663.SH锆金属材料锆基材料龙头陶瓷基板潜力427.83俄罗斯铝业RUAL.MCX铝全球铝业前四水电铝成本优势415.54化合物半导体+高纯有研新材 600206.SH靶材 国内化合物半导体领先InP+靶材双布局，产能加速释放 409.31天通股份600330.SH铌酸锂晶体国内铌酸锂晶体布局晶体+热管理双布局400.74铂科新材300811.SZ合金磁粉芯国内合金磁粉芯龙头AI服务器电源模块电感核心397.60金居8358.TWO载体铜箔全球载体铜箔龙头可剥铜技术领先，载板核心材料355.47国机精工002046.SZ超硬材料+精密轴承国内超硬材料领先金刚石材料、精密轴承双布局340.96斯瑞新材688102.SH钨铜合金基座光模块基座领先匹配光模块散热提升需求337.89龙磁科技300835.SZ铁氧体软磁材料国内铁氧体软磁领先PCB电感磁芯，AI服务器电源配套279.41四方达300179.SZ金刚石散热材料国内超硬材料龙头CVD金刚石散热，AI芯片散热新材料276.81隆扬电子 301389.SZ电磁屏蔽材料 国内电磁屏蔽领先 AI服务器EMI屏蔽材料核心的（散269.55热辅助材料）力量钻石 301071.SZ人造金刚石 全球人造金刚石领先 培育钻石+工业金刚石，散热材料潜力257.54博威合金 601137.SH引线框架铜合金 全球少数可规模化生产GB300液冷板已小批量供货 226.88中石科技 300684.SZTIM导热材料、

国内服务器导热材料主AI服务器/GPU高功率散热需求爆发，176.71均热板、热管

要供应商

导热与均热方案量价齐升中科三环000970.SZ钕铁硼永磁国内稀土永磁领先老牌磁材企业173.73WolfspeedWOLF.NSiC衬底全球SiC衬底龙头大尺寸SiC衬底重要先驱173.29注：市值截至2026/6/23收盘化工板块：半导体材料、电子化学品与液冷材料化工板块中与AI相关的材料种类繁多，涵盖半导体制造用电子特气和光刻胶、晶圆制造用CMP材料和湿电子化学品、PCB用高端树脂、数据中心用冷却液以及先进封装用环氧塑封料等。半导体材料是AI芯片的制造基础，全球晶圆制造材料市场持续增长，硅片、光刻胶和电子特气是三大核心材料。竞争格局方面，传统核心材料由海外少数巨头主导，高端产品领域近乎垄断，但自主开发正在加速推进。从替代节奏看，硅片领域国内12英寸大硅片已通过多家晶圆厂认证，且正从测试片向正片逐步切换，客户接受度明显提升；光刻胶是国内技术难度最高的环节之一，先进制程光刻胶的配方开发和树脂自主化同步推进，若客户验证通过则意味着国内光刻胶产业从能产迈向能用的关键跨越，但验证周期仍存在不确定性，需持续跟踪；电子特气品类繁多，国内企业已在部分品种上实现进口替代，先进制程所需的高纯气体正在逐品种突破，下游晶圆厂出于供应链安全考虑，对国产气体验证意愿显著增强。当前下游AI驱动持续扩产叠加自主开发加速，上半年部分材料企业订单和业绩已有积极变化。展望下半年，随着国内晶圆厂12英寸产线陆续进入设备搬入和投产阶段，半导体材料需求将迎来新一轮放量；光刻胶、电子特气等关键材料的客户验证进展有望在季度报告中逐步体现。液冷方面，随着AI芯片功耗突破千瓦，液冷渗透率从可选变为必选，冷却液作为耗材的长期需求逻辑进一步强化。先进封装材料伴随HBM和Chiplet方案渗透，单位芯片的材料消耗量持续提升，相关厂商的扩产计划正从规划转向落地。整体来看，化工板块覆盖材料种类较多、自主开发空间较大、边际变化较为显著，且每个细分领域均有明确的客户验证和产能建设事件节点，是AI上游材料中需要逐品种跟踪的重点方向。表5：化工板块AI上游材料相关标的简称代码核心材料/业务全球竞争地位核心逻辑市值（亿元人民币）林德LIN.O电子特气全球电子特气龙头超高纯气体、含氟气体领先16154.57村田6981.TMLCC全球MLCC绝对龙头高端MLCC技术领先9099.33三星电机009150.KSMLCC全球MLCC领先车规+AIMLCC领先6558.02信越化学4063.T 硅片、光刻胶、石英 全球硅片龙头 12英寸硅片龙头，EUV光刻6104.37胶领先空气化工APD.N 电子特气 全球电子特气领先 全球布局氢气+电子特气双轮空气化工APD.N 电子特气 全球电子特气领先 全球布局氢气+电子特气双轮4287.69三环集团300408.SZ电子陶瓷+陶瓷基板 国内电子陶瓷龙头 MLCC+陶瓷基板双布局 2788.50TDK 6762.T 三环集团300408.SZ电子陶瓷+陶瓷基板 国内电子陶瓷龙头 MLCC+陶瓷基板双布局 2788.50节点京瓷6971.T陶瓷基板全球陶瓷基板龙头功率器件封装核心2147.68汉高HEN.DF芯片粘结材料全球DAF/DAF膜龙头节点京瓷6971.T陶瓷基板全球陶瓷基板龙头功率器件封装核心2147.68汉高HEN.DF芯片粘结材料全球DAF/DAF膜龙头芯片粘结材料技术领先1320.61巨化股份600160.SH冷却液国内氟化液追赶者液冷冷却液国产替代1264.83沪硅产业688126.SH12英寸硅片国内12英寸硅片龙头国产替代核心，扩产积极1064.88环球晶圆6488.TWO硅片全球硅片领先12英寸硅片需求增长1034.36国瓷材料300285.SZMLCC陶瓷粉+电子陶瓷全球MLCC