CN114373756B 电容结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）_第1页
CN114373756B 电容结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）_第2页
CN114373756B 电容结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）_第3页
CN114373756B 电容结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）_第4页
CN114373756B 电容结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩25页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

JPH0964298A,1997.03.07KR20080001952A,2008US5710075A,1998.01.20法，增加了环绕第一电容接触层侧壁的电容面2下电极层，围绕所述第一电容接触层侧壁，并沿第二电容接触层，位于所述第一电容接触层在所述衬底上形成一导电层，并在所述导电层上形成去除所述电容柱，保留所述第一电极层和所述第一电容接触层，所沉积一层掩膜层覆盖所述电容柱上表面，形成一光阻沉积所述上电极材料层覆盖所述电容介质层表面，沉积3作用原理是利用电容内存储的电荷量来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。随着制程工45[0040]图6为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中导电层和电容堆叠层的结[0041]图7为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中所形成的至少一个电容柱[0042]图8为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中图形化电容堆叠层和导电[0043]图9为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积第一电极层后的结构[0044]图10为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中去除电容柱后的结构示[0045]图11为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中去除衬底上表面的第一[0046]图12为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积一层掩膜层和形成[0047]图13为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中去除电容柱的过程示意[0048]图14为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积电容介质层后的结[0049]图15为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积上电极材料层后的[0050]图16为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积上电极填充层后的6上述材料所组成群组中的两种以上所形成的叠层。电容介质层104的材料还可以为氧化硅电极层103与第一电容接触层102的接触面积，且由于电容介质层104覆盖除阵列排布的第7106的材料可以是金属氮化物和金属硅化物中的至少一种形成的化合物，如氮化钛(TiN)、为下电极层，因此可以增大下电极层和第一电容接触层102的面积，进一步增大了电容面[0073]图6为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中导电层和电容堆叠层的结[0075]图7为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中所形成的至少一个电容柱8一个电容柱203和与电容柱203一一对应的第一电容[0076]具体地，图8为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中图形化电容堆叠[0079]图9为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积第一电极层后的结构[0083]图12为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中沉积一层掩膜层和形成[0084]图13为本申请实施例提供的一种电容结构的形成过程中去除电容柱的过程示意9[0090]沉积上电极材料层3041覆盖电容介质层104表面，图16为本申请实施例提供的一[0093]图17为本申请实施例提供的一种电容结构的制作方法流程

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论