CN114438391B 基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合金成分设计和制备方法 （中南大学）

基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合金本发明利用扩散多元节技术进行新型沉淀领域。本发明将高熵合金和/或中熵合金制备为的含量范围和种类设计得到沉淀强化高熵合金散多元节技术对沉淀强化高熵合金的成分区间2通过电子探针技术对步骤A中退火实验后所得每一组扩散偶所对应的扩散层成分进行定义扩散多元节中相接触的两种合金为FG和2.根据权利要求1所述的基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合金成分设计方法，其3.根据权利要求1所述的基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合金成分设计方法，其备CoCrFeNiV、CoCrFeNiMo、CoCrFeNiCu、CoCrFeNiTi、CoCrFeNiAl、CoCrFeNiNb、通过电子探针技术对扩散多元节中相接触的两种合金扩散退火后所产生的扩散层成3相接触的合金为：CoCrFeNiD合金与CoCrFeNiE，在CoCrFeN4.根据权利要求1所述的基于扩散多元节技术的在CoCrFeNiAl与CoCrFeNiTi扩散所形成的扩散层中，以含在CoCrFeNiCu与CoCrFeNiTi扩散所形成的的扩散层Cox1Crx2Fex3Nix4Alx5Tix6或Coy1Cry2Fey3Niy4Cox1Crx2Fex3Nix4Alx5Tix6和Coy1Cry2Fey3Niy4Cuy5Tiy6均为FCC高熵合金；且面心立方基体上均4[0005]针对目前沉淀强化高熵合金成分设计存在的问题，本发明基于提出高通量进行沉淀强化高熵合金成分筛选的新策略和所设计的合金进行的相应机械热5[0014]通过电子探针技术对步骤A中退火实验后所得每一组扩散偶所对应的扩散层成分[0015]在本发明中，若相接触高熵合金的组成元素种类相差大于2则很难获取到有用信[0017]作为优选方案，本发明基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合[0018]作为优选方案，本发明基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合6[0028]作为优选方案，本发明基于扩散多元节技术的沉淀强化高熵合备扩散多元节所需块体；组装成扩散多元节在1050℃~1150℃进行16[0030]通过电子探针技术对扩散多元节中相接触的两种合金扩散退火后所产生的扩散[0031]相接触的合金为CoCrFeNiD合金与CoCrFeNiE时，在CoCrFeNiD合金与CoCrFeNiE为CoCrFeNiAl合金和CoCrFeNiTi合金时，在CoCrFeNiAl与CoCrFeNiTi扩散所形成的扩散[0036]当相接触的合金为CoCrFeNiCu合金和CoCrFeNiTi合金时，在CoCrFeNiCu与Ti含量的交汇点，并获取该扩散层中Cu元素和Ti元素的交叉点所对应的其他元素的含量；不低于99.9块体为立方体或长方体，其各边的取值范围为就具体情况而定，优选为3-[0038]作为本发明的一种方案；CoCrFeNiAl-CoCrFeNiTi扩散所得扩散层的成分从7扩散所得扩散层的成分从Co22.4CrCo、Cr、Fe、Ni、Al、Cu和Ti金属；在非自耗电弧熔炼中制备Cox1Crx2Fex3Nix4Alx5Tix6和[0041]均匀化处理温度为1000-1200℃,时间为12h-24h；作为优选方案，均匀化温度为变形量为5总变形量为70%;[0046]本发明所述沉淀强化高熵合金的制备方法，所得Cox1Crx2Fex3Nix4Alx5Tix6和Coy1Cry2Fey3Niy4Cuy5Tiy6均为FCC高熵合金；且面心立方基体上均8功制备Cox1Crx2Fex3Nix4Alx5Tix6和Coy1Cry2Fey3Niy4Cuy5Tiy6两种代表性的沉淀强化高熵合金，C:CoCrFeNiCu、D:CoCrFeNiTi、E:CoCrFeNiAl、F:CoCrFeNiNb、G:CoCrFeNiHf、H:[0057]图5(a)(b)为实例2所制备的沉淀强化高熵合金(700℃/8h)在不同放大倍数下的[0058]图6(a)(b)为实例3所制备的沉淀强化高熵合金(700℃/8h)在不同放大倍数下的[0059]图7为实例2所制备的沉淀强化高熵合金在不同时效温度后的拉伸工程应力应变[0060]图8为实例3所制备的沉淀强化高熵合金在不同时效温度后的拉伸工程应力应变触。其中真空电子束焊接焊深为1.5～2mm，热等静压参数为：980-1020℃、5-7h/130-9[0067]根据测试结果绘制成分曲线：发现CoCrFeNiAl-CoCrFeNiTi扩散节形成了一百多延伸率为30晶粒尺寸为7.2μm；当时效温度为800℃,时效时间为8h时，屈服强度为延伸率为19晶粒尺寸为8.1μm；当时效温度为800℃,时效时间为8h时，屈服强度为在基体上的纳米级强化相，成功开发两种新型高性能Cox1Crx2Fex3Nix4Alx5Tix6和明实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明