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文档简介

US2007013000A1,2007.0本发明提供一种超级结沟槽栅MOSFET及其用剩余厚度的掩膜结构和第三氧化硅层作为掩注入区与所述栅介质层之间的距离大于各所述请通过利用剩余厚度的掩膜结构和第三氧化硅改善积累区(沟槽栅与外延层的交叠处)的导通2依次形成第一氧化硅层和氮化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述采用离子注入工艺在所述掩膜结构两侧的所述外延层中形成两去除部分厚度的所述掩膜结构并形成第三氧化硅层，所述第三氧化采用离子注入工艺在剩余厚度的所述掩膜结构两侧的所述外延层、所述形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅介质层、所述沟槽形成源端金属层和漏端金属层，所述源端金属层覆盖所述层间介质其中，各所述低能量注入区与所述栅介质层之间的距离大于注入区与所述栅介质层之间的距离和各所述高能量注入区与所述栅介质层之间的距离的5.根据权利要求1所述的超级结沟槽栅MOSFET能量注入区的离子注入浓度为2E12atoms/cm2~2E13atoms/cm2，注入能量大于或者等于6.根据权利要求1所述的超级结沟槽栅MOSFET的制备3对所述扩散区、所述高能量注入区和所述低能量注入区进行热退火工艺4以提高产品的竞争力。为了改善中高压(50V～200V)沟槽栅的导通电阻，超级结-沟槽栅[0004]但是通过离子注入工艺形成的P-pillar，由于高能P型离子注入需要很厚[0010]采用离子注入工艺在所述掩膜结构两侧的所述外延层中5栅介质层之间的距离和各所述高能量注入区与所述栅介质层之间的距离的差值等于所述入区的离子注入浓度为2E12atoms/cm2～2E13atoms/cm2，注入能量小于或者等于200KeV~6构和第三氧化硅层作为掩膜注入形成低能量注入区，使得低能量注入区的注入的开口减[0047]图2-图11是本发明实施例的制备超级结沟槽栅MOSFET的各工艺步骤中的半导体7便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、[0059]S40：采用离子注入工艺在所述掩膜结构两侧的所述外延层中形成两个高能量注8延层102可以为N型外延层，也可以称为N型漂移区，其中N型杂质的掺杂浓度可以为5E15atoms/cm3～1E17atoms/述第二氧化硅层203，保留所述沟槽栅105上方的所述氮化硅层202上的剩余的所述光刻胶层204和所述第二氧化硅层203以得到所述掩膜204和所述第二氧化硅层203)两侧的所述外延层201中形成两个高能量注入区103-1，所述9胶层204，并在所述氮化硅层202表面和所述第二氧化硅层203表面淀积所述第三氧化硅层低能量注入区103-2与所述栅介质层104之间的距离和各所述高能量注入区103-1与所述栅介质层104之间的距离的差值等于所述第三氧化硅层盖所述层间介质层110和所述重掺杂区108的剩余表面和金属插塞(接触孔109)的表面，所所述沟槽栅105覆盖所述栅介质层104并填充所述沟槽，所述外延层102中还形成有体区

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